中山 弘(ナカヤマ ヒロシ)NAKAYAMA Hiroshi

  • 所属研究科・専攻:工学研究科 電子情報系専攻(電子・物理工学) 職名:教授
更新日:2016/01/20

プロフィール

主な取得学位

  • 工学博士

主な専門分野

  • 結晶成長素過程および結晶成長物理

主な経歴

取得学位

  • 工学博士

学歴

  • 大阪大学 基礎工学研究科 物理系 博士課程
  • 大阪大学 基礎工学部 電気工学

職歴

  • 1982-1983年 米国IBM サンノゼ研究所
  • 1983-1990年 大阪大学工学部材料物性工学科
  • 1990-2000年 神戸大学工学部電気電子工学科

現在の主な研究課題

現在の専門分野

  • 結晶成長素過程および結晶成長物理
  • 新半導体物質の設計と合成

現在の研究課題

  • 課題名:GaNの分子線エピタキシーとスピンフォトニクス
    研究分野:応用物性・結晶工学
    キーワード:GaN、分子線エピタキシー、スピン・フォトニクス
  • 課題名:シリコン中の遷移金属・希土類元素の不純物状態
    研究分野:応用物性・結晶工学
    キーワード:希土類元素、シリコン、遷移金属元素
  • 課題名:シリコンおよびダイヤモンド系薄膜の超高真空CVD
    研究分野:応用物性・結晶工学
    キーワード:シリコン、ダイヤモンド

主要な研究業績

著書・論文

  • Valence State Analysis of Ca and Si in CaSi2 during CaSi2-H2O Reaction
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1998年
    出版社:J. Mater. Res.
    巻/号、頁:13巻5号1401-1404頁
    共著者名:S. Abe, T. Nishino and S. Iida
  • Influence of the Stacking Sequence on the Electronic Structure and Optical Properties of CaSi2
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1997年
    出版社:J. Phys. Cond. Matt.
    巻/号、頁:9巻46号10159-10171頁
    共著者名:E. Kulatov and H. Ohta
  • Velence-Electron Spectral Change and Charge Transfer Mechanism on CaSi2 during CaSi2-H2O Reaction
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1997年
    出版社:Appl. Surf. Sci.
    巻/号、頁:113-114巻562-566頁
    共著者名:S. Abe, T. Nishino and S. Iida
  • Stochastic Growth Theory of Molecular Beam Epitaxy with Atom Correlation Effects : A Monte-Carlo Master Equation Method
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1997年
    出版社:Appl. Surf. Sci.
    巻/号、頁:113-114巻631-637頁
    共著者名:A. Furuichi, T. Kita and T. Nishino
  • Auger Valence Electron Spectra in Ca-Silicides
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1997年
    出版社:J. Mater. Res.
    巻/号、頁:12巻2号407-411頁
    共著者名:S. Abe, T. Nishino and S. Iida
  • Photocurrent Anisotropy in Compositional Modulated Superlattice of Long-Range Ordered Ga0.5In0.5P
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1996年
    出版社:J. Electronic Materials
    巻/号、頁:25巻4号661-665頁
    共著者名:T. Kita, A. Fujiwara and T. Nishino
  • Atom Correlation and Configurational Ordering in Pseudobinary Epitaxial Semiconductors
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1996年
    出版社:J. Cryst. Growth
    巻/号、頁:163巻135-142頁
    共著者名:T. Takeguchi and T. Nishino
  • モンテカルロ・マスター方程式法によるエピタキシャル薄膜・界面構造シミュレーション
    種別:論文
    単著・共著別:単著
    出版年月:1996年
    出版社:日本金属学会誌「まてりあ」
    巻/号、頁:35巻5号506-512頁
  • Growth Dynamics and an Order-Disorder Transition in Epitaxial Alloy Semiconductors
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1996年
    出版社:Surf. Sci.
    巻/号、頁:363巻409-415頁
    共著者名:T. Takeguchi and T. Nishino
  • Hydrogenated Amorphous Silicon/Crystalline Silicon Double Heterojunction X-Ray Sensor
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1996年
    出版社:Jpn. J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:35巻5342-5345頁
    共著者名:G. Wei, W. Wu, T. Kita, T. Nishino, W. Ma et al.
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  • Valence State Analysis of Ca and Si in CaSi2 during CaSi2-H2O Reaction
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1998年
    出版社:J. Mater. Res.
    巻/号、頁:13巻5号1401-1404頁
    共著者名:S. Abe, T. Nishino and S. Iida
  • Influence of the Stacking Sequence on the Electronic Structure and Optical Properties of CaSi2
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1997年
    出版社:J. Phys. Cond. Matt.
    巻/号、頁:9巻46号10159-10171頁
    共著者名:E. Kulatov and H. Ohta
  • Velence-Electron Spectral Change and Charge Transfer Mechanism on CaSi2 during CaSi2-H2O Reaction
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1997年
    出版社:Appl. Surf. Sci.
    巻/号、頁:113-114巻562-566頁
    共著者名:S. Abe, T. Nishino and S. Iida
  • Stochastic Growth Theory of Molecular Beam Epitaxy with Atom Correlation Effects : A Monte-Carlo Master Equation Method
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1997年
    出版社:Appl. Surf. Sci.
    巻/号、頁:113-114巻631-637頁
    共著者名:A. Furuichi, T. Kita and T. Nishino
  • Auger Valence Electron Spectra in Ca-Silicides
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1997年
    出版社:J. Mater. Res.
    巻/号、頁:12巻2号407-411頁
    共著者名:S. Abe, T. Nishino and S. Iida
  • Photocurrent Anisotropy in Compositional Modulated Superlattice of Long-Range Ordered Ga0.5In0.5P
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1996年
    出版社:J. Electronic Materials
    巻/号、頁:25巻4号661-665頁
    共著者名:T. Kita, A. Fujiwara and T. Nishino
  • Atom Correlation and Configurational Ordering in Pseudobinary Epitaxial Semiconductors
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1996年
    出版社:J. Cryst. Growth
    巻/号、頁:163巻135-142頁
    共著者名:T. Takeguchi and T. Nishino
  • モンテカルロ・マスター方程式法によるエピタキシャル薄膜・界面構造シミュレーション
    種別:論文
    単著・共著別:単著
    出版年月:1996年
    出版社:日本金属学会誌「まてりあ」
    巻/号、頁:35巻5号506-512頁
  • Growth Dynamics and an Order-Disorder Transition in Epitaxial Alloy Semiconductors
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1996年
    出版社:Surf. Sci.
    巻/号、頁:363巻409-415頁
    共著者名:T. Takeguchi and T. Nishino
  • Hydrogenated Amorphous Silicon/Crystalline Silicon Double Heterojunction X-Ray Sensor
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1996年
    出版社:Jpn. J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:35巻5342-5345頁
    共著者名:G. Wei, W. Wu, T. Kita, T. Nishino, W. Ma et al.
  • Direct Optical Transitions in indirect-gap(A10.5Ga0.5)0.51In0.49P by Atomic Ordering
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1996年
    出版社:Phys. Rev. B
    巻/号、頁:53巻23号15713-15718頁
    共著者名:K. Yamashita, T. Kita, and T. Nishino
  • エピタキシャル成長の原子論から量子論的アプローチへ-原子制御を支える成長理論への期待-
    種別:総説
    単著・共著別:単著
    出版年月:1996年
    出版社:日本結晶成長学会誌
    巻/号、頁:23巻1号17-22頁
  • Photocurrent polarization in long-range ordered GaInP
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1995年
    出版社:Appl. Phys. Lett.
    巻/号、頁:66巻14号1794-1796頁
    共著者名:T. Kita, A. Fujiwara and T. Nishino
  • Selective Growth of Micro GaAs Dots on Si by Molecular Beam Epitaxy
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1995年
    出版社:J. Cryst. Growth
    巻/号、頁:150巻671-676頁
    共著者名:H. Maeda, S. Watatani, and T. Nishino
  • Kinetic Ising Model of Site-Correlated Adsorpton and Surface Diffusion in Molecular-Beam EPitaxy
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1995年
    出版社:J. Cryst. Growth 150
    巻/号、頁:150巻168-175頁
    共著者名:M. Tochigi, H. Maeda and T. Nishino
  • Field evolution of electronic states in a finite-period InGaAs/GaAs Strained layer superlattice
    種別:論文
    出版年月:1994年
    出版社:Mem. Grad. School Sci. and Technol. , Kobe Univ.
    巻/号、頁:12-A巻1-9頁
  • Configurational Atomic Ordering Caused by Stochastic Adsorotion Processes in MBE-Grown Alloy Semiconductors
    種別:論文
    出版年月:1994年
    出版社:Applied Surf. Sci.
    巻/号、頁:82-83号214-222頁
  • Multiple Shallow Acceptor Levels of Rare-Earth Impurities in Silicon
    種別:論文
    出版年月:1994年
    出版社:Solid State Commum.
  • Optical transitions in Long-range ordered AIInP
    種別:論文
    出版年月:1994年
    出版社:Proc. 22nd Int. Conf. on Physics of Semicondudtors, Vancouver
  • Theoretical Analysis of Photoacoustic Displacement for Inhomogeneous Materials
    種別:論文
    出版年月:1994年
    出版社:Jpn. J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:33巻6032-6038頁
  • Electric field induced Coupling of wave functions in a InGaAs Single quantum well
    種別:論文
    出版年月:1994年
    出版社:Superrlattice and Microstructures
    巻/号、頁:15巻2号137-140頁
  • 二元系MBE成長における吸着、拡散過程の確率論と原子配列
    種別:論文
    出版年月:1994年
    出版社:日本結晶学会誌
    巻/号、頁:21巻5号S193-S200頁
  • Analysis of Lattice Defects Induced by Ion Implantation wiht Photo-Accoustic Displacement Measurements
    種別:論文
    出版年月:1994年
    出版社:J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:76巻10号5681-5689頁
  • Resonant Coupling between Confined and Unconfined States in a Finite-Period In0.24Ga0.76As/GaAs Strained-Layer Superlattice
    種別:論文
    出版年月:1994年
    出版社:Phys. Rev.
    巻/号、頁:B50巻4号2420-2424頁
  • Selective MBE growth of GaAs on Patterned Si substrate with an array of Si{111} micro facet
    種別:論文
    出版年月:1994年
    出版社:13th Sysposium on Alloy Semiconductor Physics and Electronics, Izu-Nagaoka
  • Electroreflectance and Photoluminescence of long-range ordered Al┣D20.5┫D2In┣D20.5┫D2P
    種別:論文
    出版年月:1994年
    出版社:13th Symposium on Alloy Semiconductor Physics and Electronics, Izu-Nagaoka
  • 分子線エピキタシー過程におけるサイト相関吸着と原子配列秩序
    種別:論文
    出版年月:1994年
    出版社:日本結晶成長学会誌
    巻/号、頁:21巻1号11-23頁
  • Atomic long-range ordering formed by dynamic site-correlated-adsorption processes in molecular-beam epitaxy
    種別:論文
    出版年月:1994年
    出版社:Proc. 7th Topical Meeting on Crystal Growth Mechanism
    巻/号、頁:189-194巻
  • Site-selective analysis of local electronic structures in GaAsP alloy semiconductors by Auger valence electron spectroscopy
    種別:論文
    出版年月:1993年
    出版社:J. Vacuum Soc. Japan
    巻/号、頁:36巻11号869-876頁
  • Site-correlated adsorption and atomic ordering in molecular-beam epitaxial processes of pseudobinary alloy semiconductors
    種別:論文
    出版年月:1993年
    出版社:Proc. 1st Russia Japan Conference on Semiconductor Surface
    巻/号、頁:141-151巻
  • Site-correlated adsorption induced atomic ordering in heteroepitaxial alloy semiconductors
    種別:論文
    出版年月:1993年
    出版社:Jpn. J. Appl. Phys. , Suppl
    巻/号、頁:32-3,407-411巻
  • Anisotropic optical transitions in ordered GaInP alloys
    種別:論文
    出版年月:1993年
    出版社:12th Record of alloy Semiconductor Physics and Electronics
  • Evolution of surface structural phase in MBE-grown GaAs and(In, Ga)As
    種別:論文
    出版年月:1993年
    出版社:Proc. 6th Topical Meeting on Crystal Growth Mechanism
    巻/号、頁:177-181巻
  • Differential Hall-effect spectroscopy of rare-earth impurities(Ce, Er)in silicon
    種別:論文
    出版年月:1993年
    出版社:Materials Science Forum
    巻/号、頁:117-118,279-284巻
  • Effect of ambient gas on photo-acoustic displacement measurement by laser interferometric probe
    種別:論文
    出版年月:1993年
    出版社:J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:74巻11号6530-6533頁
  • Electroreflectance polarization study of valence-band states in ordered Ga0.5In0.5P
    種別:論文
    出版年月:1993年
    出版社:Appl. Phys. Lett.
    巻/号、頁:63巻4号512-514頁
  • Growth anisotropy and selectivity of MBE-grown InGaAs on GaAs
    種別:論文
    出版年月:1992年
    出版社:11th Record of Alloy Semiconductor Physics and Electronics Symposium
    巻/号、頁:313-320巻
  • Inter-layer atomic interaction model of strained heteroepitaxy
    種別:論文
    出版年月:1992年
    出版社:Proc. 5th Topical Meeting on Crystal Growth Mechanism
    巻/号、頁:129-134巻
  • Photoluminescence and photoreflectance study of electronic structure in pseudomorphic n-AlGaAs/InGaAs/GaAs
    種別:論文
    出版年月:1992年
    出版社:Jpn. J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:31/L756-758巻
  • Erasable analog memory in polycrystalline Bi2O3 thin films
    種別:論文
    出版年月:1992年
    出版社:Mem. Grad. School. sci. and Tecnol. , Kobe Univ.
    巻/号、頁:10-A,1-9巻
  • Anew method of photothermal displacement measurement by laser interferometric probe-its mechanism and application to evaluation of lattice damages in semiconductors-
    種別:論文
    出版年月:1992年
    出版社:Jpn. J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:31,3575-3538巻
  • Electronic structure of long-range ordered Ga┣D20.5┫D2In┣D20.5┫D2P alloy semiconductors
    種別:論文
    出版年月:1992年
    出版社:Mem. Grad. School Sci. & Technol. , Kobe Univ.
    巻/号、頁:10-A,1-9巻
  • Auger valence electron spectroscopy of a sturctural phase transformation in metastable alpha-Sn grown on InSb(001)
    種別:論文
    出版年月:1991年
    出版社:Vacuum
    巻/号、頁:42巻8-9号547-533頁
  • Local atomic configuration and Auger valence electron spectra in BiSrCaCuO single crystals
    種別:論文
    出版年月:1991年
    出版社:IEEE Trans. on Magnetics
    巻/号、頁:27巻2号1166-1169頁
  • Photoluminescence polarization study of ordered Ga0.5In0.5P alloys
    種別:論文
    出版年月:1991年
    出版社:Tenth Record of alloy Semiconductor Physics and Electronics Symp. , Nagoya
    巻/号、頁:193-200巻
  • 金属便覧改訂5版(分担執筆) 第2章 2.6.4 薄膜
    種別:論文
    出版年月:1990年
    出版社:日本金属学会編(丸善出版)
  • Surface wave excitation Auger electron spectroscopy of InGaAs/GaAs(001) grown by alternate molecular-beam epitaxy
    種別:論文
    出版年月:1990年
    出版社:J. Electronic Materials
    巻/号、頁:19巻4号801-808頁
  • Electronic structures localized at the boron atom in amorphous Fe-B and Fe-B-P alloys
    種別:論文
    出版年月:1989年
    出版社:Jpn. J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:28巻11号2234-2239頁
  • Structural analysis of amorphous Fe-B alloys on the basis of plasma losses
    種別:論文
    出版年月:1989年
    出版社:Materials Trans. , JIM
    巻/号、頁:30巻9号717-721頁
  • Growth dynamics and sublattice ordering in MBE-grown InGaAs pseudobinary alloy
    種別:論文
    出版年月:1989年
    出版社:Proc. Int. Conf. on Science and Technology of Defect Control in Semiconductors, 1989, ed. by K. Sumino
    巻/号、頁:1085-1095巻
  • Behaviour of valence electrons in the ageing process of Al-2.2at. %Cu crystals
    種別:論文
    出版年月:1989年
    出版社:Philos. Mag. A
    巻/号、頁:59巻4号873-884頁
  • Initial growth process and in-plane ordering in InGaAs/GaAs(001) grown by alternate molecular beam epitaxy
    種別:論文
    出版年月:1989年
    出版社:8th Record of Alloy Semiconductor Physics and Electronics
    巻/号、頁:107-114巻
  • Al-Cu合金の析出初期段階の整合歪みとその役割
    種別:論文
    出版年月:1989年
    出版社:新材料創製討論会部会シンポジューム
    巻/号、頁:3巻37-42頁
  • Superconductivity and x-ray diffraction studies of various compositions of Y-Ba-Cu-O
    種別:論文
    出版年月:1988年
    出版社:Mat. Res. Bull.
    巻/号、頁:23/8巻
  • Cu valence enhancement in Y-Ba-Cu-O-F high Tc superconductors by site-controlled fluorine doping
    種別:論文
    出版年月:1988年
    出版社:Physica C
    巻/号、頁:153-155/巻
  • X-ray powder diffraction analysis of high Tc superconducting oxide Y-Ba-Cu-O-F prepared by thermal quenching and subsequent annealing
    種別:論文
    出版年月:1988年
    出版社:J. Ceramic Soc. Japan, International edition
    巻/号、頁:96/巻
  • Evaluation of on-site 3d electron correlation of copper in La┣D22┫D2CuO┣D24┫D2, La┣D22-X┫D2SrxCuO┣D24┫D2 and Y┣D21┫D2Ba┣D22┫D2Cu┣D23┫D2O┣D27┫D2 by L┣D23┫D2M┣D24┫D2,5M┣D24,5┫D2 Auger valence electron sp
    種別:論文
    出版年月:1988年
    出版社:Physica C
    巻/号、頁:153-155/巻
  • Electronic and Optical Properties of α-,β-, and γ-FeSi2
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2001年
    出版社:J. Phys. Soc. Japan
    巻/号、頁:70巻7号2199-2204頁
    共著者名:E. Kulatov, and H. Ohta
  • Photo-Thermal Excitation Gas-Source MBE Growth of Super-Doped Si:Mn for Spin-Photonics Applications
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2001年
    出版社:Thin Solid Films
    巻/号、頁:395巻230-234頁
    共著者名:H. Ohta and E. Kulatov
  • Growth and Properties of Super-Doped Si:Mn for Spin-Photonics
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2001年
    出版社:Physica B
    巻/号、頁:302-303巻419-424頁
    共著者名:H. Ohta and E. Kulatov
  • Subtracted Auger Electron Spectra of Heavily Doped Transition Metal Impurities in Si
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2000年
    出版社:J. Cryst. Growth
    巻/号、頁:210巻137-142頁
    共著者名:S. Abe, T. Nishino, H. Ohta and S. Iida
  • Site-specific physisorption and chemical reaction of subphthalocyanine molecules on Si(111)-(7x7)
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2000年
    出版社:Phys. Rev. B
    巻/号、頁:61巻3号1959-1964頁
    共著者名:H. Yanagi, D. Schlettwein and T. Nishino
  • Structural Evolution and Valence Electron States Change during Ultra Thin Silicon Oxide Growth
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2000年
    出版社:Appl. Surf. Sci.
    巻/号、頁:159-160巻89-97頁
    共著者名:A. Shimizu, S. Abe, T. Nishino and S. Iida
  • Monte-Carlo Master Equation Mehtod for a Simulation of Epitaxial Growth Dynamics
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2000年
    出版社:Appl. Surf. Sci.
    巻/号、頁:159-160巻380-386頁
    共著者名:T. Morishita, T. Ekaitsu and T. Nishino
  • Auger Electron Spectroscopy of Super Doped Si:Mn Thin Films
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1999年
    出版社:Appl. Surf. Sci.
    巻/号、頁:142巻537-542頁
    共著者名:S. Abe, K. Yamashita, Y. Nakashima, S. Ohkubo, T. Kita, et al.
  • Atomic Ordering in Epitaxial Alloy Semiconductors: from the Discoveries to the Physical Understanding
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1997年
    出版社:Advances in the Understanding of Crystal Growth Mechanism, Elsevier Science
    巻/号、頁:163-183頁
    共著者名:T. Kita and T. Nishino

学会活動

所属学会

  • 学会名:応用物理学会
    1992年~ 結晶工学分科会幹事
    1992年~ 応用電物性分科会幹事
    1993年~1994年 編集委員
  • 学会名:日本結晶成長学会
    1994年~ 評議員

教育活動

担当教育の概要

  • 本講義では、半導体を主な対象として、それらの物性と素子機能を支配する原子・電子構造とその制御のための結晶成長メカニズムの探求を主題としている。実験、理論、シュミレーションの面からその基礎となる物理とテクノロジーを理解することを目標とする。

担当講義

  • 授業科目名:物性制御工学特論I
    講義区分:大学院
  • 授業科目名:物性制御工学特論II
    講義区分:大学院

産学官連携可能情報

専門分野

  • 結晶成長素過程および結晶成長物理

所属研究部門

  • 工学研究科 電子情報系専攻(電子・物理工学)

交流可能研究テーマ

  • 半導体、誘電体、磁性体などの機能性薄膜の成長と評価
    研究テーマの分野:応用物理学・工学基礎

現在の研究課題

  • 課題名:GaNの分子線エピタキシーとスピンフォトニクス
    研究分野:応用物性・結晶工学
    キーワード:GaN、分子線エピタキシー、スピン・フォトニクス
  • 課題名:シリコン中の遷移金属・希土類元素の不純物状態
    研究分野:応用物性・結晶工学
    キーワード:希土類元素、シリコン、遷移金属元素
  • 課題名:シリコンおよびダイヤモンド系薄膜の超高真空CVD
    研究分野:応用物性・結晶工学
    キーワード:シリコン、ダイヤモンド

電子メールアドレス

  • hiroshi@a-phys.eng.osaka-cu.ac.jp

交流研究テーマ情報

交流可能研究テーマ

  • 半導体、誘電体、磁性体などの機能性薄膜の成長と評価
    研究テーマの分野:応用物理学・工学基礎
    研究テーマの概要:GaN、Si、C、系などの各種半導体、誘電体薄膜、磁性半導体薄膜の成長を行っている。新機能材料の開発と、薄膜成長機構の解明、表面構造解析、成長シミュレーションなどを行っている。
    交流可能な時期・期間:2001-
    交流の種別:技術相談、受託研究、共同研究、講演
    知識・技術の活用分野・応用方法等:応用分野としては、オプトエレクトロニクス、スピンエレクトロニクスなどのデバイス材料、機械材料への皮膜などへの応用も考えられる。
    キーワード:機能性薄膜、薄膜成長、CVD、MBE
    共同研究の希望:産学連携等、民間を含む他機関との共同研究を希望する

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