梁 剣波(リョウ ケンボ)RYO Kenbo

  • 所属研究科・専攻:工学研究科 電子情報系専攻(電子・物理工学) 職名:講師
更新日:2017/03/19

プロフィール

主な取得学位

  • 博士(工学)

主な専門分野

  • 固体物性I(光物性・半導体・誘電体)

主な経歴

取得学位

  • 博士(工学)

現在の主な研究課題

現在の専門分野

  • 固体物性I(光物性・半導体・誘電体)

現在の研究課題

  • 課題名:シリコン基板上窒化物等異種材料タンデム太陽電池の研究開発
    研究分野:電子デバイス・機器工学
    キーワード:タンデム太陽電池、シリコンセル、化合物太陽電池

主要な研究業績

著書・論文

  • Realization of direct bonding of single crystal diamond and Si substrates
    種別:論文
    単著・共著別:単著
    出版年月:2017年
    出版社:Applied Physics Letters
    巻/号、頁:110巻111603頁
  • Ultra-Thick Metal Contact Fabrication Using Surface Activated Bonding
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年09月
    出版社:Electrochemical Society Transaction
    巻/号、頁:75(9)巻25頁
    共著者名:Jianbo Liang, Katuya Huruna, Moeko Matsubara, Marwan Dhamrin, Yositaka Nishio, and Naoteru Shigekawa
  • Determination of Band Structure at GaAs/SiC Heterojunctions
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年09月
    出版社:Electrochemical Society Transaction
    巻/号、頁:75(9)巻221頁
    共著者名:Jianbo Liang, Sae Shimizu, Manabu Arai, and Naoteru Shigekawa
  • Effects of Ar beam irradiation on Si-based Schottky contacts
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年
    出版社:2016 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
    巻/号、頁:40-41頁
    共著者名:Shohei Hisamoto, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa
  • Effects of layered CdTe nano particles on Si solar cells
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年
    出版社:2016 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
    巻/号、頁:114-115頁
    共著者名:Tomoki Ogawa, Jianbo Liang, Shingo Imasaki, Taichi Watanabe, Daegwi Kim, and Naoteru Shigekawa
  • Electrical Characteristics of SAB-based n+-n Ge/4H-SiC Heterojunctions
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年
    出版社:2016 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
    巻/号、頁:74-75頁
    共著者名:Sho Morita, Takuya Nishimura, Jianbo Jiang, and Naoteru Shigekawa
  • Electrical characteristics of Al foil/Si junctions by surface activated bonding
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年
    出版社:2016 IEEEInternational Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
    巻/号、頁:86-87頁
    共著者名:Katsuya Furuna, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Moeko Matsubara, Marwan Dhamrin, and Yoshitaka Nishio
  • Improved electrical properties of n-n and p-n Si/SiC junctions with thermal annealing treatment
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年
    出版社:Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:120巻034504頁
    共著者名:Jianbo Liang, Shota Nishida, Manabu Arai, and Naoteru Shigekawa
  • Effects of annealing on the electrical characteristics of GaAs/GaAs junctions by surface-activated bonding
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年
    出版社:Japanese Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:55巻068002頁
    共著者名:Li Chai, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa
  • Mapping of Si/SiC hetero p-n Junctions Using ScanningInternal Photoemission Microscopy
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年
    出版社:Japanese Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:55巻04ER15頁
    共著者名:Masato Shingo, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Manabu Arai, and Kenji Shiojima
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  • Realization of direct bonding of single crystal diamond and Si substrates
    種別:論文
    単著・共著別:単著
    出版年月:2017年
    出版社:Applied Physics Letters
    巻/号、頁:110巻111603頁
  • Ultra-Thick Metal Contact Fabrication Using Surface Activated Bonding
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年09月
    出版社:Electrochemical Society Transaction
    巻/号、頁:75(9)巻25頁
    共著者名:Jianbo Liang, Katuya Huruna, Moeko Matsubara, Marwan Dhamrin, Yositaka Nishio, and Naoteru Shigekawa
  • Determination of Band Structure at GaAs/SiC Heterojunctions
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年09月
    出版社:Electrochemical Society Transaction
    巻/号、頁:75(9)巻221頁
    共著者名:Jianbo Liang, Sae Shimizu, Manabu Arai, and Naoteru Shigekawa
  • Effects of Ar beam irradiation on Si-based Schottky contacts
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年
    出版社:2016 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
    巻/号、頁:40-41頁
    共著者名:Shohei Hisamoto, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa
  • Effects of layered CdTe nano particles on Si solar cells
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年
    出版社:2016 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
    巻/号、頁:114-115頁
    共著者名:Tomoki Ogawa, Jianbo Liang, Shingo Imasaki, Taichi Watanabe, Daegwi Kim, and Naoteru Shigekawa
  • Electrical Characteristics of SAB-based n+-n Ge/4H-SiC Heterojunctions
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年
    出版社:2016 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
    巻/号、頁:74-75頁
    共著者名:Sho Morita, Takuya Nishimura, Jianbo Jiang, and Naoteru Shigekawa
  • Electrical characteristics of Al foil/Si junctions by surface activated bonding
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年
    出版社:2016 IEEEInternational Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
    巻/号、頁:86-87頁
    共著者名:Katsuya Furuna, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Moeko Matsubara, Marwan Dhamrin, and Yoshitaka Nishio
  • Improved electrical properties of n-n and p-n Si/SiC junctions with thermal annealing treatment
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年
    出版社:Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:120巻034504頁
    共著者名:Jianbo Liang, Shota Nishida, Manabu Arai, and Naoteru Shigekawa
  • Effects of annealing on the electrical characteristics of GaAs/GaAs junctions by surface-activated bonding
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年
    出版社:Japanese Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:55巻068002頁
    共著者名:Li Chai, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa
  • Mapping of Si/SiC hetero p-n Junctions Using ScanningInternal Photoemission Microscopy
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年
    出版社:Japanese Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:55巻04ER15頁
    共著者名:Masato Shingo, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Manabu Arai, and Kenji Shiojima
  • 表面活性化ボンディング法に依るSi/SiC接合の電気特性
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2015年
    出版社:電子情報通信学会技術研究報告
    巻/号、頁:115(331)巻111頁
    共著者名:林朋宏、梁剣波、新井学、重川直輝
  • GaAs/GaAs接合の電気特性に対するアニール効果
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2015年
    出版社:電子情報通信学会技術研究報告
    巻/号、頁:115(329)巻105頁
    共著者名:柴麗、梁剣波、重川直輝
  • Impact of optical properties of anti-reflection coatings on characteristics of InGaP/GaAs/Si hybrid triple-junction cells
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2015年
    出版社:2015 IEEE 42nd Photovoltaic Specialists Conference
    共著者名:Naoteru Shigekawa and Jianbo Liang
  • Current-voltage and spectral-response characteristics of surface-activated-bonding based InGaP/GaAs/Si hybrid triple-junction cells
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2015年
    出版社:Japanese Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:54巻08KE03頁
    共著者名:Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Ryusuke Onitsuka, Takaaki Agui, Hiroyuki Juso, and Tatsuya Takamoto
  • Fabrication and Characterization of Si-Based Bipolar Transistor Structures Using Low-Temperature Bonding
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2015年
    出版社:2015 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
    巻/号、頁:64-65頁
    共著者名:Sae Shimizu, Shota Nishida, Jianbo Liang, Manabu Arai, and Naoteru Shigekawa
  • InGaN/GaN MQW 太陽電池における短絡電流最大化に関する検討
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2014年
    出版社:電子情報通信学会技術研究報告
    巻/号、頁:114(337)巻103頁
    共著者名:渡邊則之、満原学、横山春喜、梁剣波、重川直輝
  • Interface Characteristics of Si/Si Junctions by Using Surface-Activated Bonding
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2015年
    出版社:2015 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
    巻/号、頁:62-63頁
    共著者名:Syoji Yamajo, Masashi Morimoto, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa
  • Electrical Properties of n+-Si/n-GaN Junctions by Room Temperature Bonding
    種別:著書
    単著・共著別:共著
    出版年月:2015年
    出版社:2015 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
    巻/号、頁:46-47頁
    共著者名:Takuya Nishimura, Jianbo Liang, Noriyuki Watanabe, and Naoteru Shigekawa
  • Electrical Characteristics of GaAs/GaAs Bonding Interfaces
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2015年
    出版社:2015 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
    巻/号、頁:44-45頁
    共著者名:Li Chai, Jianbo Liang, Shota Nishida, Masashi Morimoto, and Naoteru Shigekawa
  • 4H-SiC/Si Heterojunction Bipolar Transistor Fabricated by Surface Activated Bonding
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2015年
    出版社:ECS Solid State Letters
    巻/号、頁:4巻Q55頁
    共著者名:Jianbo Liang, Sae Shimizu, Shota Nishida, Naoteru Shigekawa, and Manabu Arai
  • Impacts of annealing on electrical properties of Si/Si junctions by surface activated bonding
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2015年
    出版社:Japanese Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:54巻030212頁
    共著者名:Masashi Morimoto, Jianbo Liang, Shota Nishida, and Naoteru Shigekawa
  • Single phase CuO thin films prepared by thermal oxidation in air with water vapor
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2015年
    出版社:Advanced Materials Research
    巻/号、頁:1109巻544-548頁
    共著者名:Jianbo Liang, XuYang Li, Naoki Kishi, and Tetsuo Soga
  • Correlation between the electrical properties of p-Si/n-4H-SiC junctions and concentrations of acceptors in Si
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2015年
    出版社:Japanese Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:54巻030210頁
    共著者名:Shota Nishida, Jianbo Liang, Tomohiro Hayashi, Naoteru Shigekawa, and Manabu Arai
  • Investigation on the Interface Resistance of Si/GaAs Heterojunctions by Using Surface-Activated Bonding
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2015年
    出版社:Japanese Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:54巻030211頁
    共著者名:Jianbo Liang, Li Chai, Shota Nishida, Masashi Morimoto, and Naoteru Shigekawa
  • Effects of Interface State Charges on the Electrical Properties of Si/SiC Heterojunctions
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2014年
    出版社:Applied Physics Letters
    巻/号、頁:105巻151607頁
    共著者名:J. Liang, S. Nishida, T. Hayashi, M. Arai, and N. Shigekawa
  • Type-II Band Profile of GaAs/Si Hetero Junctions by Surface Activated Bonding for Hybrid Tandem Cells
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2014年
    出版社:Electrochemical Society Transaction
    巻/号、頁:64巻5号235-242頁
    共著者名:Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Masashi Morimoto, and Shota Nishida
  • Hybrid triple-junction solar cells by surface activated bonding of III-V double-junction-cell heterostructures to ion-implantation-based Si cells
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2014年
    出版社:40th IEEE Photovoltaic Specialists Conference
    巻/号、頁:0534頁
    共著者名:Naoteru Shigekawa, Li Chai, Masashi Morimoto, Jianbo Liang, et al.
  • Effects of annealing on GaAs/Si Bonding Interfaces for Hybrid Tandem Solar Cells
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2014年
    出版社:2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
    巻/号、頁:90-91頁
    共著者名:Li Chai, Jianbo Liang, Shota Nishida, Masashi Morimoto, and Naoteru Shigekawa
  • Improvement in electrical properties in SAB-based n+-Si/n-4H-SiC junctions by annealing
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2014年
    出版社:2014 IEEEInternational Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
    巻/号、頁:72-73頁
    共著者名:Tomohiro Hayashi, Jianbo Liang, Shota Nishida, and Naoteru Shigekawa
  • Fabrication and Characterization of Si/ 10m Mesa-Etched Si Junctions by Surface Activated Bonding
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2014年
    出版社:2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
    巻/号、頁:88-89頁
    共著者名:Kohji Takemura, Masashi Morimoto, Shota Nishida, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa
  • Influence of InGaN/GaN multiple quantum well structure on photovoltaic characteristics of solar cell
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2014年
    出版社:Japanese Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:53巻112301頁
    共著者名:Noriyuki Watanabe, Manabu Mitsuhara, Haruki Yokoyama, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa
  • Effect of thermal annealing process on the electrical properties of p+-Si/n-SiC heterojunctions
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2014年
    出版社:Applied Physics Letters
    巻/号、頁:104巻161604頁
    共著者名:J. Liang, S. Nishida, M. Arai, and N. Shigekawa
  • Fabrication of nitride/Si tandem cell structures with low environmental burden by surface activated bonding
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2014年
    出版社:Physica status solidi C
    巻/号、頁:11巻644-647頁
    共著者名:Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Noriyuki Watanabe, and Akio Yamamoto
  • I-V characteristics in surface-activated Bonding based Si/SiC junctions at raised ambient temperatures
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2014年
    出版社:Materials Science Forum
    巻/号、頁:778-780巻718-721頁
    共著者名:Shota Nishida, Jianbo Liang, Masashi Morimoto, Naoteru Shigekawa, and Manabu Arai
  • Surface-activated-bonding-based InGaP-on-Si double-junction cells
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2014年
    出版社:Japanese Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:53巻04ER05頁
    共著者名:Naoteru Shigekawa, Masashi Morimoto, Shota Nishida, and Jianbo Liang
  • Growth of high-quality (111) oriented cuprous oxide thin films oxidized in water vapor
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2014年
    出版社:Advanced Materials Research
    巻/号、頁:832巻138-142頁
    共著者名:Jianbo Liang, XuYang Li, Naoki Kishi, and Tetsuo Soga
  • Graphene synthesis by thermal chemical vapor deposition using solid precursor
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2013年
    出版社:Journal Material Science: Material Electron
    巻/号、頁:24巻2151頁
    共著者名:Mohsin Ahmed, Naoki Kishi, Ryo Sugita, Akiji Fukaya, Ishwor Khatri, Jianbo Liang, Sharif Mohammad Mominuzzaman
  • 表面活性化ボンディング法によるタンデム太陽電池の作成
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2013年
    出版社:電子情報通信学会技術研究報告
    巻/号、頁:113(329)巻27頁
    共著者名:梁剣波、森本雅史、西田将太、重川直輝
  • 表面活性化ボンディング法により形成したSi/SiCヘテロ接合の電気特性
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2013年
    出版社:電子情報通信学会技術研究報告
    巻/号、頁:113(331)巻21頁
    共著者名:西田将太、梁剣波、森本雅史、重川直輝
  • InGaN/GaN MQW 太陽電池におけるMQW構造最適化に関する考察
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2013年
    出版社:電子情報通信学会技術研究報告
    巻/号、頁:113(330)巻31頁
    共著者名:渡邊則之、満原学、横山春喜、梁剣波、重川直輝
  • Demonstration of Nitride-on-Phosphide Hybrid Tandem Solar Cells by Using Surface-Activated Bonding
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2013年
    出版社:IEEE Photovoltaic Specialists Conference
    巻/号、頁:Proc. 39th巻2470-2473頁
    共著者名:Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, and Noriyuki Watanabe
  • Electrical properties of Si/Si interfaces by using surface-activated bonding
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2013年
    出版社:Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:114巻183703頁
    共著者名:J. Liang, T. Miyazaki, M. Morimoto, S. Nishida, and N. Shigekawa
  • Type II band lineup in SAB-Based GaAs/Si Heterojunctions
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2013年
    出版社:2013 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
    巻/号、頁:48-49頁
    共著者名:Masashi Morimoto, Jianbo Liang, Shota Nishida, Tatsuya Miyazaki, and Naoteru Shigekawa
  • Band structures of Si/InGaP heterojunctions by using surface activated bonding
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2013年
    出版社:Physics Status Solidi C
    巻/号、頁:10巻1644-1647頁
    共著者名:Jianbo Liang, Masashi Morimoto, Shota Nishida, and Naoteru Shigekawa
  • Synthesis of cupric oxide nanowires on spherical surface by thermal oxidation method
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2013年
    出版社:Materials Letters
    巻/号、頁:96巻192-194頁
    共著者名:Xuyang Li, Jianbo Liang, Naoki Kishi, and Tetsuo Soga
  • Surface-activating-bonding-based low resistance Si/III-V junctions
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2013年
    出版社:Electronics Letters
    巻/号、頁:49巻830頁
    共著者名:J. Liang, S. Nishida, M. Morimoto, and N. Shigekawa
  • Electrical Properties of p-Si/n-GaAs Heterojunctions by Using Surface-Activated Bonding
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2013年
    出版社:Applied Physics Express
    巻/号、頁:6巻021801頁
    共著者名:Jianbo Liang, Tatsuya Miyazaki, Masashi Morimoto, Shota Nishida, Noriyuki Watanabe, and Naoteru Shigekawa
  • 表面活性化ボンディングによるSi · 異種材料接合の電気特性評価
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2012年
    出版社:電子情報通信学会技術研究報告
    巻/号、頁:112(327)巻1頁
    共著者名:梁剣波、重川直輝、日暮 栄治
  • Thin cuprous oxide films prepared by thermal oxidation of copper foils with water vapor
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2012年
    出版社:Thin solid films
    巻/号、頁:520巻2679-2682頁
    共著者名:JianBo Liang, Naoki Kishi, Tetsuo Soga, and Takashi Jimbo
  • Synthesis of highly-aligned cupric oxide nanowiers by thermal oxidation of copper foils
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2011年
    出版社:Journal of Nanomaterials
    巻/号、頁:Article ID 268508巻8 pages頁
    共著者名:JianBo Liang, Naoki Kishi, Tetsuo Soga, and Takashi Jimbo
  • Cross-sectional characterization of Cupric Oxide Nanowires grown by Thermal Oxidation of Copper Foils
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2010年
    出版社:Applied Surface Science
    巻/号、頁:257巻62-66頁
    共著者名:JianBo Liang, Naoki Kishi, Tetsuo Soga, and Takashi Jimbo

学会活動

所属学会

  • 学会名:IEEE
  • 学会名:応用物理学会

学会等における発表

  • 表面活性化接合法によるAl箔/n+-Si/n-GaN接合のコンタクト抵抗評価
    発表年月:2017年03月
    発表会議名:第64回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 表面活性化ボンディング法によるGaAs/ITO/Si接合のアニール温度依存性
    発表年月:2017年03月
    発表会議名:第64回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 表面活性化ボンディング法によるAl箔/Si接合への熱処理効果
    発表年月:2017年03月
    発表会議名:第64回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 常温で表面活性化接合したSi/GaAs界面の原子・電子構造
    発表年月:2017年03月
    発表会議名:第64回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • Si基板上GaAs/GaNヘテロ接合の縦方向電気特性評価(2)
    発表年月:2017年03月
    発表会議名:第64回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • InGaP/GaAs/Si3接合セルにおけるBonding 界面抵抗評価
    発表年月:2017年03月
    発表会議名:第64回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • Effects of layered CdTe nano particles on Si solar cells
    発表年月:2016年06月
    発表会議名:2016 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    学会発表区分:国内
  • Electrical characteristics of Al foil/Si junctions by surface activated bonding method
    発表年月:2016年06月
    発表会議名:2016 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    学会発表区分:国内
  • Electrical characteristics of SAB-Based n+-n Ge/4H-SiC heterojunctions
    発表年月:2016年06月
    発表会議名:2016 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    学会発表区分:国内
  • Effects of Ar beam irradiation on Si-Based Schottky contacts
    発表年月:2016年06月
    発表会議名:2016 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    学会発表区分:国内
  • abrication and characterization of Si/4H-SiC interfaces by surface activated bonding
    発表年月:2016年09月
    発表会議名:EMN Surface and Interface Meeting 2016
    学会発表区分:マレーシア
  • Determination of Band Structure at GaAs/4H-SiC Heterojunctions
    発表年月:2016年10月
    発表会議名:Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science 2016
    学会発表区分:アメリカ
  • Ultra-Thick Metal Contact Fabrication Using Surface Activated Bonding
    発表年月:2016年10月
    発表会議名:Pacific Rim Meeing on Electrochemical and Solid-State Science 2016
    学会発表区分:アメリカ
  • ダイヤモンド単結晶とSi単結晶基板の常温接合
    発表年月:2016年09月
    発表会議名:第77回応用物理学会秋季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 表面活性化接合法によるAl 箔/ワイドギャップ半導体接合の電気特性
    発表年月:2016年09月
    発表会議名:第77回応用物理学会秋季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 表面活性化ボンディング法によるCu 箔/Si 接合の電気特性評価
    発表年月:2016年09月
    発表会議名:第77回応用物理学会秋季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 常温で表面活性化接合し 常温で表面活性化接合し た Si /GaAs 界面 の平界面 の平TEM 観
    発表年月:2016年09月
    発表会議名:第77回応用物理学会秋季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • Si 基板/ITO 薄膜表面活性化接合の形成
    発表年月:2016年09月
    発表会議名:第77回応用物理学会秋季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • Si ショットキー接合に対するAr 原子ビーム照射時間の影響と熱処理による回復
    発表年月:2016年09月
    発表会議名:第77回応用物理学会秋季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • InGaP/GaAs/Si 3 接合太陽電池におけるIII-V/Si サブセル間カップリング特性
    発表年月:2016年09月
    発表会議名:第77回応用物理学会秋季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • GaAs薄層 /Si 接合の硬 X線光電子分-バンドオフセット の評価
    発表年月:2016年09月
    発表会議名:第77回応用物理学会秋季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • GaAs薄膜/Si接合の硬X線光電子分光ー電子状態への熱酸化処理
    発表年月:2016年09月
    発表会議名:第77回応用物理学会秋季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • Si 基板上GaAs/GaN ヘテロ接合の縦方向電気特性評価
    発表年月:2016年03月
    発表会議名:第63回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 表面活性化ボンディング法によるAl箔/Si接合の電気特性評価
    発表年月:2016年03月
    発表会議名:第63回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 熱処理による4H-SiC/Si HBTの電気特性の改善
    発表年月:2016年03月
    発表会議名:第63回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • Room-temperature bonding technologies of dissimilar semiconductor materials applied for high-efficiencies and low-cost devices
    発表年月:2015年11月
    発表会議名:World Engineering Conference and Convention: Engineering Innovation and Society
    学会発表区分:国内
  • 表面活性化ボンディング法に依るSi/SiC接合の電気特性
    発表年月:2015年11月
    発表会議名:電子情報通信学会電子デバイス研究会
    学会発表区分:国内
  • GaAs/GaAs接合の電気特性に対するアニール効果
    発表年月:2015年11月
    発表会議名:電子情報通信学会電子デバイス研究会
    学会発表区分:国内
  • 常温接合法によるGaAs/4H-SiCヘテロ接合作製及び電気特性評価
    発表年月:2015年09月
    発表会議名:第76回応用物理学会秋季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 界面顕微光応答法によるSi/SiCヘテロp-n接合の2次元評価
    発表年月:2015年09月
    発表会議名:第76回応用物理学会秋季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • GaAs/GaAs接合界面の電気特性に対するアニール効果の抽出の試み
    発表年月:2015年09月
    発表会議名:第76回応用物理学会秋季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 表面活性化接合によるp-Si/n-GaN接合の電気特性評価
    発表年月:2015年09月
    発表会議名:第76回応用物理学会秋季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 多接合太陽電池のボトムセル応用のためのSi逆ピラミッド構造の検討
    発表年月:2015年09月
    発表会議名:第76回応用物理学会秋季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • Photoemission Spectroscopy Measurements of p+-Si/n-SiC and n+-Si/n-SiC Junctions by Surface Activated Bonding
    発表年月:2015年09月
    発表会議名:2015 International Conference on Solid State Devices and Materials
    学会発表区分:国内
  • Mapping of Si/SiC Hetero p-n Junctions Using Scanning Internal Photoemission Microscopy
    発表年月:2015年09月
    発表会議名:2015 International Conference on Solid State Devices and Materials
    学会発表区分:国内
  • Transport Characteristics of Minority Carriers in 4H-SiC/Si Heterojunction Bipolar Transistor Structures Fabricated by Surface Activated Bonding
    発表年月:2015年09月
    発表会議名:2015 International Conference on Solid State Devices and Materials
    学会発表区分:国内
  • Electrical Properties of Room Temperature Bonded Si/GaN Heterojunctions without Buffer Layers
    発表年月:2015年09月
    発表会議名:11th International Conference on Nitride Semiconductors
    学会発表区分:中国
  • Band lineups in GaAs/GaN junctions using surfaceactivated bonding
    発表年月:2015年08月
    発表会議名:11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
    学会発表区分:国内
  • Impacts of annealing in N2/H2 ambient on electrical properties of Si/GaN junctions
    発表年月:2015年08月
    発表会議名:11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
    学会発表区分:国内
  • Fabrication and characterization of GaAs/4H-SiC junctions by using SAB
    発表年月:2015年08月
    発表会議名:11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
    学会発表区分:国内
  • Surface-activated bonding of n+-Si to n-GaN: A possible process for fabricating ohmic contacts to nitrides with smooth surface
    発表年月:2015年06月
    発表会議名:39th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits
    学会発表区分:スロバキア
  • Impacts of optical properties of anti-reflection coatings on characteristics of InGaP/GaAs/Si hybrid triple-junction cells
    発表年月:2015年06月
    発表会議名:42nd IEEE International Photovoltaic Specialists Conference
    学会発表区分:アメリカ
  • Interface characteristics of Si/Si junctions by using surface-activated bonding
    発表年月:2015年06月
    発表会議名:2015 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    学会発表区分:国内
  • Fabrication and characterization of Si-based bipolar transistor structures using low-temperature bonding
    発表年月:2015年06月
    発表会議名:2015 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    学会発表区分:国内
  • Electrical properties of n+-Si/n-GaN junctions by room temperature bonding
    発表年月:2015年06月
    発表会議名:2015 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    学会発表区分:国内
  • Electrical characterization of GaAs/GaAs bonding interfaces
    発表年月:2015年06月
    発表会議名:2015 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    学会発表区分:国内
  • タンデム太陽電池応用のためのSi/InGaP ヘテロ接合の電気伝導特性
    発表年月:2015年03月
    発表会議名:第62 回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • AR 膜によるInGaP/GaAs/Si 3 接合セル中サブセル特性の制御
    発表年月:2015年03月
    発表会議名:第62 回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 表面活性化接合によるn+-Si/n-GaN コンタクトの検討
    発表年月:2015年03月
    発表会議名:第62 回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • SAB 法によるSi/Si 接合の界面特性の評価
    発表年月:2015年03月
    発表会議名:第62 回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • SAB 法による4H-SiC/Si HBT構造における少数キャリア注入特性
    発表年月:2015年03月
    発表会議名:第62 回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造が短絡電流に与える影響
    発表年月:2014年11月
    発表会議名:電子情報通信学会電子デバイス研究会
    学会発表区分:国内
  • InGaP/GaAs/Si Hybrid Triple-Junction Cells by Surface-Activated Bonding of Invertedly-Grown III-V Heterostructures to Si- Based Bottom Cells
    発表年月:2014年11月
    発表会議名:The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion
    学会発表区分:国内
  • Type-II Band Profile of GaAs/Si Hetero Junctions by Surface Activated Bonding for Hybrid Tandem Cells
    発表年月:2014年10月
    発表会議名:2014 ECS and SMEQ Joint International Meeting
    学会発表区分:メキシコ
  • Investigation on the effects of annealing process on the electrical properties of n+-Si/n-SiC junctions
    発表年月:2014年07月
    発表会議名:2014 4th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration
    学会発表区分:国内
  • Annealing Characteristics of p+-Si/n-4H-SiC junctions by Using Surface Activated Bonding
    発表年月:2014年07月
    発表会議名:2014 4th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration
    学会発表区分:国内
  • Annealing temperature dependence of SAB based Si/Si junctions
    発表年月:2014年07月
    発表会議名:2014 4th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration
    学会発表区分:国内
  • Effects of annealing on GaAs/Si Bonding Interfaces for Hybrid Tandem Solar Cells
    発表年月:2014年07月
    発表会議名:2014 4th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration
    学会発表区分:国内
  • Improvement in electrical properties in SAB-based n+-Si/n-4H-SiC junctions by annealing
    発表年月:2014年06月
    発表会議名:2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    学会発表区分:国内
  • Effects of Annealing on GaAs/Si Bonding Interface for Hybrid Tandem Solar Cells
    発表年月:2014年06月
    発表会議名:2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    学会発表区分:国内
  • Fabrication and Characterization of Si/ 10m Mesa-Etched Si Junctions by Surface Activated Bonding
    発表年月:2014年06月
    発表会議名:2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    学会発表区分:国内
  • Hybrid triple-junction solar cells by surface activate bonding of III-V Double-junction-cell heterostructures to ion-implanation-based Si cells
    発表年月:2014年06月
    発表会議名:40th IEEE Photovoltaic Specialist Conference
  • SiC 基板上Si 薄膜のウェット酸化と界面構造の安定
    発表年月:2014年09月
    発表会議名:第75 回応用物理学会秋季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 異種材料直接接合によるInGaP/GaAs/Siタンデムセル
    発表年月:2014年09月
    発表会議名:第75回応用物理学会秋季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • III-V系半導体セルとイオン注入Siセルの貼り合わせによるハイブリッド3接合セル
    発表年月:2014年07月
    発表会議名:第11回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム
    学会発表区分:国内
  • ハイプリッドタンデム太陽電池構造の接合界面に対するアニール効果
    発表年月:2014年03月
    発表会議名:第61回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • SAB法による深いメサ構造を有するSi/Si接合における寄生容量の低減
    発表年月:2014年03月
    発表会議名:第61回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 表面活性化ボンディング法によるSi/Si接合特性における熱処理依存性
    発表年月:2014年03月
    発表会議名:第61回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • Si/4H-SiCヘテロ接合界面に対する熱処理の効果
    発表年月:2014年03月
    発表会議名:第61回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • SAB法によるp+-Si/n-4H-SiC接合のアニール温度依存性
    発表年月:2014年03月
    発表会議名:第61回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 表面活性化ボンディング法によるタンデム太陽電池の作成
    発表年月:2013年11月
    発表会議名:電子情報通信学会技術研究報
    学会発表区分:国内
  • 表面活性化ボンディング法により形成したSi/SiCヘテロ接合の電気特性
    発表年月:2013年11月
    発表会議名:電子情報通信学会技術研究報
    学会発表区分:国内
  • InGaN/GaN MQW 太陽電池におけるMQW構造最適化に関する考察
    発表年月:2013年11月
    発表会議名:電子情報通信学会技術研究報
    学会発表区分:国内
  • Fabrication of nitride/Si tandem cell structures with low environmental burden by surface activated bonding
    発表年月:2013年10月
    発表会議名:3rd International Congress on Natural Science (ICNS 2013)
    学会発表区分:国内
  • SAB法によるSi/Si接合特性におけるArプラズマ照射効果
    発表年月:2013年09月
    発表会議名:第74回秋季応用物理学会学術講演会
    学会発表区分:国内
  • InGaN/GaN MQW 太陽電池における短絡電流とMQW構造の相関
    発表年月:2013年09月
    発表会議名:第74回秋季応用物理学会学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 表面活性化ボンディングによるInGaP/Si タンデム太陽電池の作製
    発表年月:2013年09月
    発表会議名:第74回秋季応用物理学会学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 表面活性化ボンディングによるSi/4H-Sic接合のブレークダウン特性
    発表年月:2013年09月
    発表会議名:第74回秋季応用物理学会学術講演会
    学会発表区分:国内
  • I-V characteristics in Surface-Activated Bonding (SAB) based Si/SiC junctions at raised ambient temperatures
    発表年月:2013年09月
    発表会議名:International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013
    学会発表区分:国内
  • Electrical Properties of p+-Si /n-SiC Heterojunctions by Using Surface-Activated Bonding
    発表年月:2013年09月
    発表会議名:10th Topical Workshop on Heterostructure Miroelectronics
    学会発表区分:国内
  • Type II band lineup in SAB-Based GaAs/Si Heterojunctions
    発表年月:2013年06月
    発表会議名:2013 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    学会発表区分:国内
  • Demonstration of Nitride-on-Phosphide Hybrid Tandem Solar Cells by Using Surface-Activated Bonding
    発表年月:2013年06月
    発表会議名:39th IEEE Photovoltaic Specialists Conference
    学会発表区分:国内
  • Band Structures of Si/InGaP heterojunctions by Using Surface-Activated Bonding
    発表年月:2013年05月
    発表会議名:Compound Semiconductor Week 2013
    学会発表区分:国内
  • Well-number dependence of photovoltaic properties of InGaP/GaN multiple quantum well solar cells
    発表年月:2013年05月
    発表会議名:Compound Semiconductor Week 2013
    学会発表区分:国内
  • Growth of high-quality (111) oriented cuprous oxide thin films oxidized in water vapor
    発表年月:2013年03月
    発表会議名:International Conference on Nanoscience and Nanotechnology 2013
    学会発表区分:マレーシア
  • InGaN/GaN MQW 太陽電池特性のペア数依存性
    発表年月:2013年03月
    発表会議名:第60回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 表面活性化ボンディングによるSi/4H-SiC接合のC-V特性評価
    発表年月:2013年03月
    発表会議名:第60回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 表面活性化ボンディングによるSi/InGaPヘテロ接合のバンド構造評価
    発表年月:2013年03月
    発表会議名:第60回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 表面活性化ボンディングによるSi/GaAsヘテロ接合のバンド構造評価
    発表年月:2013年03月
    発表会議名:第60回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 表面活性化ボンディングによる低抵抗Si/III-V接合
    発表年月:2013年03月
    発表会議名:第60回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 表面活性化ボンディングによるn-Si/n-4H-Sicヘテロ接合の作製及び評価
    発表年月:2013年03月
    発表会議名:第60回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 表面活性化ボンディングによるメサエッチングSi基板の接合特性評価
    発表年月:2013年03月
    発表会議名:第60回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 表面活性化ボンディングによるp-Si/n+-Si貼り合わせ構造の輸送特性評価
    発表年月:2012年09月
    発表会議名:第73回秋季応用物理学会学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 面活性化ウェハボンディングによるp-Si/n-GaAs貼り合わせ構造の特性評価
    発表年月:2012年09月
    発表会議名:第73回秋季応用物理学会学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 表面活性化ボンディングによるSi • 異種材料接合の電気特性評価
    発表年月:2012年11月
    発表会議名:電子情報通信学会技術研究報
    学会発表区分:国内

教育活動

担当教育の概要

  • 電子・物理工学実験Ⅰでは、情報処理システムの動作を理解するために必要エレクトロニクスに関する基礎知識を実験により修得することを目的している。 電磁気学Ⅰ演習では、電磁気学をより深く理解し、それによって応用能力を身につけるためには、練習問題を実際に数多く解いてみることが極めて重要である。

担当講義

  • 担当年度:2016年
    授業科目名:電子・物理工学実験Ⅰ
    講義区分:専門
  • 担当年度:2016年
    授業科目名:電磁気学Ⅰ演習
    講義区分:専門
  • 担当年度:2015年
    授業科目名:電磁気学Ⅰ演習
    講義区分:専門
  • 担当年度:2015年
    授業科目名:電子・物理工学実験Ⅰ
    講義区分:専門

産学官連携可能情報

専門分野

  • 固体物性I(光物性・半導体・誘電体)

所属研究部門

  • 工学研究科 電子情報系専攻(電子・物理工学)

交流可能研究テーマ

  • シリコン基板上窒化物等異種材料タンデム太陽電池の研究開発
    研究テーマの分野:電気電子工学

現在の研究課題

  • 課題名:シリコン基板上窒化物等異種材料タンデム太陽電池の研究開発
    研究分野:電子デバイス・機器工学
    キーワード:タンデム太陽電池、シリコンセル、化合物太陽電池

交流研究テーマ情報

交流可能研究テーマ

  • シリコン基板上窒化物等異種材料タンデム太陽電池の研究開発
    研究テーマの分野:電気電子工学
    研究テーマの概要:表面活性化接合法を用いてGaAs基板上に結晶成長したInGaP系トップとGaAs系ミドルセルからなる2接合セルをSi系ボトムセルと接合し、3接合タンデム太陽電池を作製する。
    交流可能な時期・期間:2015-
    交流の種別:共同研究、技術相談、受託研究、講演
    知識・技術の活用分野・応用方法等:表面活性化接合法は電子デバイス(パワーエレクトロニクスや太陽電池等)に幅広く活用できる
    キーワード:シリコンセル、化合物セル、タンデム太陽電池
    共同研究の希望:産学連携等、民間を含む他機関との共同研究を希望する

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