大阪市立大学 研究者要覧


重川 直輝(シゲカワ ナオテル)SHIGEKAWA Naoteru

  • 所属研究科・専攻:工学研究科 電子情報系専攻(電子・物理工学) 職名:教授
更新日:2017/03/20

プロフィール

兼担部署名

  • 複合先端研究機構

主な取得学位

  • 博士(理)

主な専門分野

  • 電子デバイス・機器工学

主な経歴

取得学位

  • 博士(理)

現在の主な研究課題

現在の専門分野

  • 電子デバイス・機器工学

現在の研究課題

  • 課題名:シリコン基板上異種材料タンデム太陽電池
    研究分野:電子デバイス・機器工学
    キーワード:グリーンパワーデバイス、高効率太陽電池、パワーエレクトロニクス

主要な研究業績

著書・論文

  • Realization of direct bonding of single crystal diamond and Si substrates
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2017年03月
    出版社:Applied Physics Letters
    巻/号、頁:110巻111603-1-111603-4頁
    共著者名:Jianbo Liang, Satoshi Masuya, Makoto Kasu, and Naoteru Shigekawa
  • Determination of Band Structure at GaAs/4H-SiC Heterojunctions
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年09月
    出版社:ECS Transaction
    巻/号、頁:75巻9号221-227頁
    共著者名:J. Liang, S. Shimizu, M. Arai, and N. Shigekawa
  • Ultra-thick metal ohmic contact fabrication using surface activated bonding
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年09月
    出版社:ECS Transaction
    巻/号、頁:75巻9号25-32頁
    共著者名:J. Liang, K. Furuna, M. Matsubara, M. Dhamrin, Y. Nishio, and N. Shigekawa
  • Improved electrical properties of n-n and p-n Si/SiC junctions with thermal annealing treatment
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年07月
    出版社:Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:120巻034504-1-034504-7頁
    共著者名:J. Liang, S. Nishida, M. Arai, and N. Shigekawa
  • Thickness modulation and strain relaxation in strain-compensated InGaP/InGaP multiple-quantum-well structures grown by metalorganic molecular beam epitaxy on GaAs (100) sbstrate
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年06月
    出版社:Journal of Crystal Growth
    巻/号、頁:449巻86-91頁
    共著者名:M. Mitsuhara, N. Watanabe, H. Yokoyama, R. Iga, and N. Shigekawa
  • Effects of annealing on the electrical characteristics of GaAs/GaAs junctions by surface-activated bonding
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年05月
    出版社:Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:55巻068002-1-068002-3頁
    共著者名:Li Chai, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa
  • Low-temperature (> 400 ºC) growth of InN by metalorganic vapor phase epitaxy using an NH3 decomposition catalyst
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年04月
    出版社:Japanese Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:55巻05FD04-1-05FD04-5頁
    共著者名:Akio Yamamoto, Kazuki Kodama, Naoteru Shigekawa, Takashi Matsuoka, and Masaaki Kuzuhara
  • Mapping of Si/SiC p–n heterojunctions using scanning internal photoemission microscopy
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年03月
    出版社:Japanese Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:55巻04ER15頁
    共著者名:Masato Shingo, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Manabu Arai, and Kenji Shiojima
  • 4H-SiC/Si Heterojunction Bipolar Transistors Fabricated by Surface Activated Bonding
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2015年09月
    出版社:ECS Solid State Lett.
    巻/号、頁:4巻Q55頁
    共著者名:Jianbo Liang, Sae Shimizu, Shota Nishida, Naoteru Shigekawa, and Manabu Arai
  • MOCVD growth of thick (~1 µm) InGaN on AlN/Si substrates for InGaN/Si tandem solar cells
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2015年07月
    出版社:Jpn. J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:54巻08KA12頁
    共著者名:Akio Yamamoto, Kazuki. Kodama, Md. Tanvir Hasan, Naoteru Shigekawa, and Masaaki Kuzuhara
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  • Realization of direct bonding of single crystal diamond and Si substrates
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2017年03月
    出版社:Applied Physics Letters
    巻/号、頁:110巻111603-1-111603-4頁
    共著者名:Jianbo Liang, Satoshi Masuya, Makoto Kasu, and Naoteru Shigekawa
  • Determination of Band Structure at GaAs/4H-SiC Heterojunctions
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年09月
    出版社:ECS Transaction
    巻/号、頁:75巻9号221-227頁
    共著者名:J. Liang, S. Shimizu, M. Arai, and N. Shigekawa
  • Ultra-thick metal ohmic contact fabrication using surface activated bonding
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年09月
    出版社:ECS Transaction
    巻/号、頁:75巻9号25-32頁
    共著者名:J. Liang, K. Furuna, M. Matsubara, M. Dhamrin, Y. Nishio, and N. Shigekawa
  • Improved electrical properties of n-n and p-n Si/SiC junctions with thermal annealing treatment
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年07月
    出版社:Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:120巻034504-1-034504-7頁
    共著者名:J. Liang, S. Nishida, M. Arai, and N. Shigekawa
  • Thickness modulation and strain relaxation in strain-compensated InGaP/InGaP multiple-quantum-well structures grown by metalorganic molecular beam epitaxy on GaAs (100) sbstrate
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年06月
    出版社:Journal of Crystal Growth
    巻/号、頁:449巻86-91頁
    共著者名:M. Mitsuhara, N. Watanabe, H. Yokoyama, R. Iga, and N. Shigekawa
  • Effects of annealing on the electrical characteristics of GaAs/GaAs junctions by surface-activated bonding
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年05月
    出版社:Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:55巻068002-1-068002-3頁
    共著者名:Li Chai, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa
  • Low-temperature (> 400 ºC) growth of InN by metalorganic vapor phase epitaxy using an NH3 decomposition catalyst
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年04月
    出版社:Japanese Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:55巻05FD04-1-05FD04-5頁
    共著者名:Akio Yamamoto, Kazuki Kodama, Naoteru Shigekawa, Takashi Matsuoka, and Masaaki Kuzuhara
  • Mapping of Si/SiC p–n heterojunctions using scanning internal photoemission microscopy
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年03月
    出版社:Japanese Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:55巻04ER15頁
    共著者名:Masato Shingo, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Manabu Arai, and Kenji Shiojima
  • 4H-SiC/Si Heterojunction Bipolar Transistors Fabricated by Surface Activated Bonding
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2015年09月
    出版社:ECS Solid State Lett.
    巻/号、頁:4巻Q55頁
    共著者名:Jianbo Liang, Sae Shimizu, Shota Nishida, Naoteru Shigekawa, and Manabu Arai
  • MOCVD growth of thick (~1 µm) InGaN on AlN/Si substrates for InGaN/Si tandem solar cells
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2015年07月
    出版社:Jpn. J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:54巻08KA12頁
    共著者名:Akio Yamamoto, Kazuki. Kodama, Md. Tanvir Hasan, Naoteru Shigekawa, and Masaaki Kuzuhara
  • Current-voltage and spectral-response characteristics of surface-activated-bonding-based InGaP/GaAs/Si hybrid triple-junction cells
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2015年07月
    出版社:Jpn. J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:54巻08KE03頁
    共著者名:Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Ryusuke Onitsuka, Takaaki Agui, Hiroyuki Juso, and Tatsuya Takamoto
  • Growth temperature dependent critical thickness for phase separation in thick(~1 µm) InxGa1-xN (x=0.2-0.4)
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2015年03月
    出版社:J. Crystal Growth
    巻/号、頁:419巻64頁
    共著者名:A. Yamamoto, Tanvir Md. Hasan, K. Kodama, N. Shigekawa, and M. Kuzuhara
  • Thick (~1 µm) p-type InxGa1-xN (x~0.36) grown by MOVPE at a low temperature (~570 ºC)
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2015年02月
    出版社:Physica Stat. Solidi B
    巻/号、頁:1-4巻DOI: 10.1002/pssb.201451736頁
    共著者名:A. Yamamoto, T. Md. Hasan, K. Kodama, N. Shigekawa, and M. Kuzuhara
  • Investigation on the interface resistance of Si/GaAs heterojunctions fabricated by surface-activated bonding
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2015年02月
    出版社:Jpn. J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:54巻030211頁
    共著者名:Jianbo Liang, Li Chai, Shota Nishida, Masashi Morimoto and Naoteru Shigekawa
  • Effects of annealing on electrical properties of Si/Si junctions by surface-activated bonding
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2015年02月
    出版社:Jpn. J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:54巻030212頁
    共著者名:Masashi Morimoto, Jianbo Liang, Shota Nishida and Naoteru Shigekawa
  • Correlation between the electrical properties of p-Si/n-4H-SiC junctions and cocentrations of acceptors in Si
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2015年02月
    出版社:Jpn. J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:54巻030210頁
    共著者名:Shota Nishida, Jianbo Liang, Tomohiro Hayashi, Manabu Arai and Naoteru Shigekawa
  • Influence of InGaN/GaN multiple quantum well structure on photovoltaic characteristics of solar cell
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2014年10月
    出版社:Jpn. J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:53巻112301頁
    共著者名:N. Watanabe, M. Mitsuhara, H. Yokoyama, J. Liang, and N. Shigekawa
  • Effects of interface state charges on the electrical properties of Si/SiC heterojunctions
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2014年10月
    出版社:Appl. Phys. Lett.
    巻/号、頁:105巻151607頁
    共著者名:J. Liang, S. Nishida, T. Hayashi, M. Arai, and N. Shigekawa
  • Hybrid Triple-Junction Solar Cells by Surface Activated Bonding of III-V Double-Junction-Cell Heterostructures to Ion-Implantation-Based Si Cells
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2014年
    出版社:Proc. 40th IEEE Photovoltaic Specialists Conference
    巻/号、頁:534-537頁
    共著者名:Naoteru Shigekawa, et al.
  • Type-II Band Profile of GaAs/Si Hetero Junctions by Surface Activated Bonding for Hybrid Tandem Cells
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2014年10月
    出版社:ECS Trans.
    巻/号、頁:64巻5号235-242頁
    共著者名:Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Masashi Morimoto, and Shota Nishida
  • Effects of thermal annealing process on the electrical properties of p+-Si/n-SiC heterojunctions
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2014年04月
    出版社:Appl. Phys. Lett.
    巻/号、頁:104巻161604頁
    共著者名:J. Liang, S. Nishida, M. Arai, and N. Shigekawa
  • Fabrication of nitride/Si tandem cell structures with low environmental burden by surface activated bonding
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2014年03月
    出版社:Physica Status Solidi C
    巻/号、頁:11巻3-4号644-647頁
    共著者名:14.N. Shigekawa, J. Liang, N. Watanabe, and A. Yamamoto
  • Demonstration of Nitride-on-Phosphide Hybrid Tandem Solar Cells by Using Surface Activated Bonding
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2013年
    出版社:Proc. 39th IEEE Photovoltaic Specialists Conference
    巻/号、頁:2470-2473頁
    共著者名:N. Shigekawa, J. Liang, and N. Watanabe
  • Band structures of Si/InGaP heterojunctions by using surface-activated bonding
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2013年09月
    出版社:Phys. Status Solidi C
    巻/号、頁:10巻1644頁
    共著者名:J. Liang, M. Morimoto, S. Nishida, and N. Shigekawa
  • Observation of Negative Differential Resistance in a GaN/AlGaN/GaN: Possible Tunneling Junction Using Polarization
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2013年
    出版社:Japanese Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:52巻08JN03頁
    共著者名:N. Watanabe, H. Yokoyama
  • A Comparative Study on Metalorganic Vapor Phase Epitaxial InGaN with Intermediate In Compositions Grown on GaN/Sapphire Template and AlN/Si(111) Substrate
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2013年
    出版社:Japnese Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:52巻08JB19頁
    共著者名:A. Yamamoto, A. Mihara, Y. Zheng
  • Surface-activating-bonding-based low-resistance Si/III-V junctions
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2013年
    出版社:Electronics Letters
    巻/号、頁:49巻13号830頁
    共著者名:J. Liang, S. Nishida, M. Morimoto
  • Marked suppression of In incorporation in heavily Si-doped InxGa1-xN (x~0.3) grown on GaN/a-Al2O3(0001) template
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2013年
    出版社:Applied Physics Letters
    巻/号、頁:103巻082113頁
    共著者名:6.A. Yamamoto, A. Mihara, and N. Narita
  • Band structures of Si/InGaP heterojunctions by using surface-activated bonding
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2013年
    出版社:Physica Status Solidi C
    巻/号、頁:10巻1644頁
    共著者名:J. Liang, M. Morimoto, S. Nishida
  • Electrical properties of Si/Si interfaces by using surface-activated bonding
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2013年
    出版社:Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:114巻183703頁
    共著者名:J. Liang, T. Miyazaki, M. Morimoto, S. Nishida
  • Phase separation of thick (~1 µm) InxGa1-xN (x~0.3) grown on AlN/Si (111): Simulateneous emergence of metallic In-Ga and GaN-rich InGaN
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2014年
    出版社:Applied Physics Express
    巻/号、頁:7巻035502頁
    共著者名:A. Yamamoto, M. T. Hasan, A. Mihara, and M. Kuzuhara
  • Surface-activated-bonding-based InGaP-on-Si double-junction cells
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2014年
    出版社:Japanese Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:53巻04ER05頁
    共著者名:M. Morimoto, S. Nishida, and J. Liang
  • I-V characteristics in surface-activated bonding (SAB) based Si/SiC junctions in raised ambient temperatures
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2014年
    出版社:Materials Science Forum
    巻/号、頁:778-780巻718頁
    共著者名:S. Nishida, J. Liang, M. Morimoto, and M. Arai
  • Electrical Properties of Si-based Junctions by SAB
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2012年12月
    出版社:Proc. 3rd International IEEE Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration
    巻/号、頁:109-112頁
    共著者名:N. Shigekawa, N. Watanabe, E. Higurashi
  • MOVPE Growth of InxGa1-xN (x~0.5) on Si(111) substrates with a pn junction on the surface
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2013年02月
    出版社:Physica Status Solidi (C)
    巻/号、頁:10巻437-440頁
    共著者名:A. Yamamoto, A. Mihara, D. Hironaga, K. Sugita, A. G. Bhuiyan, A. Hashimoto, N. Shigekawa, N. Watanabe
  • Electrical Properties of p-Si/n-GaAs Heterojunctions by Using Surface Activated Bonding
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2013年01月
    出版社:Applied Physics Express
    巻/号、頁:6巻021801-1-021801-3頁
    共著者名:Jianbo Liang, Tatsuya Miyazaki, Masashi Morimoto, Shota Nishida, Noriyuki Watanabe, Naoteru Shigekawa
  • Barrier Thickness Dependence of Photovoltaic Characteristics of InGaN/GaN Multiple Quantum Well Solar Cells
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2012年10月
    出版社:Japanese Jounral of Applied Physics
    巻/号、頁:51巻10号10ND10-1-10ND10-5頁
    共著者名:Noriyuki Watanabe, Haruki Yokoyama, Naoteru Shigekawa, Ken-ichi Sugita, Akio Yamamoto
  • Reduction of In Composition in Heavily Zn-Doped InAlGaAs Layers Grown at Low Temperature by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2012年02月
    出版社:Japanese Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:51巻2号025601-1-025601-4頁
    共著者名:Haruki Yokoyama, Takuya Hoshi, Naoteru Shigekawa, and Minoru Ida
  • Inverted InAlAs/InGaAs Avalanche Photodiode with Low-High-Low Electric Field Profile
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2012年02月
    出版社:Japanese Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:51巻2号02BG03-1-02BG03-4頁
    共著者名:Masahiro Nada, Yoshifumi Muramoto, Haruki Yokoyama, Naoteru Shigekawa, Tadao Ishibashi, Satoshi Kodama
  • Optimization of AlGaN-based spacer layer for InAlN/GaN interfaces
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2011年12月
    出版社:Physica Status Solidi (C)
    巻/号、頁:9巻3-4号592-595頁
    共著者名:M. Akazawa, B. Gao, T. Hashizume, M. Hiroki, S. Yamahata, N. Shigekawa
  • MOVPE growth of InGaN on Si(111) substrates with an intermediate range of In content
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2011年11月
    出版社:Physica Status Solidi (C)
    巻/号、頁:9巻3-4号670-672頁
    共著者名:Ashraful G. Bhuiyan, A. Mihara, T. Esaki, K. Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto, N. Watanabe, H. Yokoyama, N. Shigekawa
  • Analysis of Passivation-Film-Induced Stress Effects on Electrical Properties in AlGaN/GaN HEMTs
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2010年08月
    出版社:IEICE Transaction on Electronics
    巻/号、頁:E93-C巻8号1212-1217頁
    共著者名:Naoteru Shigekawa, Suehiro Sugitani
  • Measurement of valence-band offsets of InAlN/GaN heterostructures grown by metal-organic vapor phase epitaxy
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2011年01月
    出版社:Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:109巻1号013703-1-013703-8頁
    共著者名:M. Akazawa, B. Gao, T. Hashizume, M. Hiroki, S. Yamahata, N. Shigekawa
  • Suppression of space charge effect in MIC-PD using composite field structure
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2010年01月
    出版社:Electronics Letters
    巻/号、頁:46巻13号941-943頁
    共著者名:T. Yoshimatsu, Y. Muramoto, S. Kodama, T. Furuta, N. Shigekawa, H. Yokoyama, and T. Ishibashi
  • Al0.44Ga0.56N spacer layer to prevent electron accumulation inside barriers in lattice-matched InAlN/AlGaN/AlN/GaN heterostructures
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2011年03月
    出版社:Applied Physics Letters
    巻/号、頁:98巻14号142117-1-142117-3頁
    共著者名:M. Akazawa, B. Gao, T. Hashizume, M. Hiroki, S. Yamahata, and N. Shigekawa

研究費獲得実績

科研費補助金獲得実績

  • 研究課題名:パワー素子に向けたダイヤモンド/シリコン常温接合とその結晶工学的機構の解明
    研究種目:平成28年度 挑戦的萌芽研究
    代表者区分:代表者
    申請年度:2016年
    研究期間:2016年04月~2018年03月
    獲得金額【直接経費】:
    1年目 1200(千円)
    獲得金額【間接経費】:
    1年目 420(千円)

競争的研究資金獲得実績

  • 名称:マッチングプランナープログラム「企業ニーズ解決試験」 平成28年度公募
    研究課題名:金属箔の表面活性化接合による金属厚膜の形成
    代表者区分:代表者
    研究期間:2016年06月~2017年03月
    形態:受託研究
    獲得金額【直接経費】:
    1年目 3000(千円)
    獲得金額【間接経費】:
    1年目 900(千円)
  • 名称:NEDO/高性能・高信頼性太陽光発電の発電コスト低減技術開発
    研究課題名:超高効率・低コストIII-V化合物太陽電池モジュールの研究開発(高効率・低コストIII-V/Siタンデム)
    代表者区分:分担者
    研究期間:2015年06月~2018年03月
    形態:受託研究
    獲得金額【直接経費】:
    1年目 6957(千円)
    2年目 6957(千円)
    獲得金額【間接経費】:
    1年目 1043(千円)
    2年目 1043(千円)
  • 名称:JST/CREST
    研究課題名:シリコン基板上窒化物等異種材料タンデム太陽電池の研究開発
    代表者区分:代表者
    研究期間:2010年10月~2016年03月
    形態:受託研究
    獲得金額【直接経費】:
    1年目 15000(千円)
    2年目 45000(千円)
    3年目 20500(千円)
    4年目 14000(千円)
    5年目 23500(千円)
    6年目 9000(千円)
    獲得金額【間接経費】:
    1年目 4500(千円)
    2年目 13500(千円)
    3年目 6150(千円)
    4年目 4200(千円)
    5年目 7050(千円)
    6年目 2700(千円)

その他研究資金獲得実績

  • 名称:共同研究(民間)
    研究課題名:金属箔の表面活性化接合による半導体デバイス開発
    代表者区分:代表者
    研究期間:2016年10月~2017年09月
    形態:共同研究
    資金区分:民間企業・財団等
    獲得金額【直接経費】:
    1年目 405(千円)
    獲得金額【間接経費】:
    1年目 45(千円)
  • 名称:使途特定寄付金
    研究課題名:表面活性化法によるタンデム太陽電池の研究開発
    代表者区分:代表者
    研究期間:2015年04月~2016年03月
    形態:教育研究奨励寄附
    資金区分:民間企業・財団等
    獲得金額【直接経費】:
    1年目 900(千円)
    獲得金額【間接経費】:
    1年目 100(千円)

学会活動

所属学会

  • 学会名:応用物理学会、日本物理学会、電子情報通信学会、電気学会、IEEE、IOP

学会等における発表

  • Electrical Characterisation of Coupling Properties in InGaP/GaAs/Si Triple-Junction Cells
    発表年月:2016年10月
    発表会議名:26th International Photovoltaic Science and Engineering Conference
    学会発表区分:シンガポール
  • Effects of Ar beam irradiation on Si-based Schottky contacts
    発表年月:2016年06月
    発表会議名:IEEE 2016 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    学会発表区分:国内
  • Electrical characteristics of SAB-Based n+-n Ge/4H-SiC heterojunctions
    発表年月:2016年06月
    発表会議名:IEEE 2016 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    学会発表区分:国内
  • Electrical characteristics of Al foil/Si junctions by surface activated bonding method
    発表年月:2016年06月
    発表会議名:IEEE 2016 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    学会発表区分:国内
  • Effects of layered CdTe nano particles on Si solar cells
    発表年月:2016年06月
    発表会議名:IEEE 2016 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    学会発表区分:国内
  • III-V-on-Si hybrid tandem cells by room-temperature surface-activated bonding
    発表年月:2016年01月
    発表会議名:EMN Meeting on Photovoltaic 2016
    学会発表区分:中国(香港)
  • GaAs 傾斜基板上に成長したInGaP/InGaP 多重量子細線構造
    発表年月:2014年11月
    発表会議名:第44 回結晶成長国内会議
    学会発表区分:国内
  • Observation of phase separation for thick (~1 μm) InxGa1-xN (x~0.3) grown on AlN/Si substrate
    発表年月:2014年05月
    発表会議名:5th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-5)
    学会発表区分:アメリカ
  • Hybrid Triple-Junction Solar Cells by Surface Activate Bonding of III-V Double-Junction-Cell Heterostructures to Ion-Implantation-Based Si Cells
    発表年月:2014年06月
    発表会議名:40th IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE
    学会発表区分:アメリカ
  • Improvement in electrical properties in SAB-based n+-Si/n-4H-SiC junctions by annealing
    発表年月:2014年06月
    発表会議名:2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
    学会発表区分:国内
  • Fabrication and characterization of Si/~10-μm mesa-etched Si junctions by surface activated bonding
    発表年月:2014年06月
    発表会議名:2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
    学会発表区分:国内
  • III-V系半導体セルとイオン注入Siセルの貼り合せによるハイブリッド3接合セル
    発表年月:2014年07月
    発表会議名:第11回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム
    学会発表区分:国内
  • Effects of annealing on GaAs/Si bonding interfaces for hybrid tandem solar cells
    発表年月:2014年07月
    発表会議名:2014 4th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)
    学会発表区分:国内
  • Annealing temperature dependence of SAB based Si/Si junctions
    発表年月:2014年07月
    発表会議名:2014 4th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)
    学会発表区分:国内
  • Investigation on the effects of annealing process on the electrical properties of n+-Si/n-SiC junctions
    発表年月:2014年07月
    発表会議名:2014 4th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)
    学会発表区分:国内
  • Annealing characteristics of p+-Si/n-4H-SiC junctions by using surface-activated bonding
    発表年月:2014年07月
    発表会議名:2014 4th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)
    学会発表区分:国内
  • p-type InxGa1-xN (x~0.3) grown by MOVPE at a low temperature (~570ºC)
    発表年月:2014年08月
    発表会議名:2014 International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2014)
    学会発表区分:ポーランド
  • 異種材料直接接合によるInGaP/GaAs/Siタンデムセル
    発表年月:2014年09月
    発表会議名:第75回応用物理学会秋季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • GaAs 傾斜基板上に多重積層させた自己形成InGaP/InGaP 量子細線状構造
    発表年月:2014年09月
    発表会議名:第75 回応用物理学会秋季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • MOVPE GROWTH OF THICK (~1 μm) InGaN ON AlN/Si SUBSTRATES FOR InGaN/Si TANDEM SOLAR CELL
    発表年月:2014年11月
    発表会議名:6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6)
    学会発表区分:国内
  • SAB 法による4H-SiC/Si HBT構造における少数キャリア注入特性
    発表年月:2015年03月
    発表会議名:2015 年第62 回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • SAB 法によるSi/Si 接合の界面特性の評価
    発表年月:2015年03月
    発表会議名:2015 年第62 回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 表面活性化接合によるn+-Si/n-GaN コンタクトの検討
    発表年月:2015年03月
    発表会議名:2015 年第62 回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • AR 膜によるInGaP/GaAs/Si 3 接合セル中サブセル特性の制御
    発表年月:2015年03月
    発表会議名:2015 年第62 回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • Growth temperature dependent critical thickness for phase separation in thick (~1 μm) InxGa1-xN (x = 0.2~0.4)
    発表年月:2014年08月
    発表会議名:2014 International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2014)
    学会発表区分:ポーランド
  • SiC 基板上Si 薄膜のウェット酸化と界面構造の安定
    発表年月:2014年09月
    発表会議名:第75 回応用物理学会秋季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • RTA of MOVPEgrown Mg-doped InxGa1-xN (x~0.3) for Mg activation
    発表年月:2014年09月
    発表会議名:第75 回応用物理学会秋季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • Type-II Band Profile of GaAs/Si Hetero Junctions by Surface Activated Bonding for Hybrid Tandem Cells
    発表年月:2014年10月
    発表会議名:226th Meeting of The Electrochemical Society
    学会発表区分:メキシコ
  • InGaP/GaAs/Si Hybrid Triple-Junction Cells by Surface-Activated Bonding of Invertedly-Grown III-V Heterostructures to Si- Based Bottom Cells
    発表年月:2014年11月
    発表会議名:The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion
    学会発表区分:国内
  • InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造が短絡電流に与える影響
    発表年月:2014年11月
    発表会議名:電子情報通信学会電子デバイス研究会
    学会発表区分:国内
  • MOVPE 成長InGaN 厚膜における相分離の臨界膜厚
    発表年月:2014年11月
    発表会議名:電子情報通信学会電子デバイス研究会
    学会発表区分:国内
  • タンデム太陽電池応用のためのSi/InGaP ヘテロ接合の電気伝導特性
    発表年月:2015年03月
    発表会議名:2015 年第62 回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • MOVPE 法によるn+-p 構造InxGa1-xN (x~0.3)光起電力素子の作製
    発表年月:2015年03月
    発表会議名:第62 回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • Electrical characterization of GaAs/GaAs bonding interfaces
    発表年月:2015年06月
    発表会議名:The 2015 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    学会発表区分:国内
  • Electrical properties of n+-Si/n-GaN junctions by room temperature bonding
    発表年月:2015年06月
    発表会議名:The 2015 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    学会発表区分:国内
  • Interface characteristics of Si/Si junctions by using surface-activated bonding
    発表年月:2015年06月
    発表会議名:The 2015 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    学会発表区分:国内
  • Fabrication and characterization of Si-based bipolar transistor structures using low-temperature bonding
    発表年月:2015年06月
    発表会議名:The 2015 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    学会発表区分:国内
  • Impacts of optical properties of anti-reflection coatings on characteristics of InGaP/GaAs/Si hybrid triple-junction cells
    発表年月:2015年06月
    発表会議名:42nd IEEE International Photovoltaic Specialists Conference
    学会発表区分:アメリカ
  • Fabrication and characterization of GaAs/4H-SiC junctions by using SAB
    発表年月:2015年08月
    発表会議名:11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
    学会発表区分:国内
  • Impacts of annealing in N2/H2 ambient on electrical properties of Si/GaN junctions
    発表年月:2015年08月
    発表会議名:11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
    学会発表区分:国内
  • Band lineups in GaAs/GaN junctions using surfaceactivated bonding
    発表年月:2015年08月
    発表会議名:11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
    学会発表区分:国内
  • MOVPE Growth and Device Fabrication of Thick N+-P InGaN with in Composition of 0.3 and No Phase Separation at 600 ºC
    発表年月:2015年09月
    発表会議名:11th International Conference on Nitride Semiconductors
    学会発表区分:中国
  • Electrical Properties of Room Temperature Bonded Si/GaN Heterojunctions without Buffer Layers
    発表年月:2015年09月
    発表会議名:11th International Conference on Nitride Semiconductors
    学会発表区分:中国
  • GaN/Ga2O3テンプレート基板上に成長したInGaN/GaN MQW太陽電池構造
    発表年月:2015年09月
    発表会議名:2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • Transport Characteristics of Minority Carriers in 4H-SiC/Si Heterojunction Bipolar Transistor Structures Fabricated by Surface Activated Bonding
    発表年月:2015年09月
    発表会議名:2015 International Conference on Solid State Devices and Materials
    学会発表区分:国内
  • Mapping of Si/SiC Hetero p-n Junctions Using Scanning Internal Photoemission Microscopy
    発表年月:2015年09月
    発表会議名:2015 International Conference on Solid State Devices and Materials
    学会発表区分:国内
  • Photoemission Spectroscopy Measurements of p+-Si/n-SiC and n+-Si/n-SiC Junctions by Surface Activated Bonding
    発表年月:2015年09月
    発表会議名:2015 International Conference on Solid State Devices and Materials
    学会発表区分:国内
  • GaN 基板上InGaN/GaN MQW 太陽電池における井戸層厚と太陽電池特性
    発表年月:2016年03月
    発表会議名:第63回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 熱処理による4H-SiC/Si HBTの電気特性の改善
    発表年月:2016年03月
    発表会議名:第63回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 表面活性化ボンディング法によるAl箔/Si接合の電気特性評価
    発表年月:2016年03月
    発表会議名:第63回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • “NH3分解触媒援用MOVPE成長InxGa1-xN(x~0.35)のMgドーピング挙動
    発表年月:2016年03月
    発表会議名:第63回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • Surface-activated bonding of n+-Si to n-GaN: A possible process for fabricating ohmic contacts to nitrides with smooth surface
    発表年月:2015年06月
    発表会議名:39th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits
    学会発表区分:スロバキア
  • NH3分解触媒援用MOVPE法によるInN系材料の低温(~400℃)成長(Ⅰ): InN成長
    発表年月:2015年09月
    発表会議名:2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • NH3分解触媒援用MOVPE法によるInN系材料の低温(~400℃)成長(Ⅱ): InxGa1-xN(x~0.3)の成長
    発表年月:2015年09月
    発表会議名:2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 多接合太陽電池のボトムセル応用のためのSi逆ピラミッド構造の検討
    発表年月:2015年09月
    発表会議名:2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 表面活性化接合によるp-Si/n-GaN接合の電気特性評価
    発表年月:2015年09月
    発表会議名:2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • GaAs/GaAs接合界面の電気特性に対するアニール効果の抽出の試み
    発表年月:2015年09月
    発表会議名:2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 界面顕微光応答法によるSi/SiCヘテロp-n接合の2次元評価
    発表年月:2015年09月
    発表会議名:2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 常温接合法によるGaAs/4H-SiCヘテロ接合作製及び電気特性評価
    発表年月:2015年09月
    発表会議名:2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • Low-resistivity InxGa1-xN (x=0~0.35) grown by low-temperature (≲ 600˚C) MOVPE using NH3 decomposition catalysts
    発表年月:2015年11月
    発表会議名:6th International Symposium on Growth of III-Nitrides
    学会発表区分:国内
  • Migration-enhanced, low-temperature (~400˚C) MOVPE growth of InN using NH3 decomposition catalysts
    発表年月:2015年11月
    発表会議名:6th International Symposium on Growth of III-Nitrides
    学会発表区分:国内
  • NH3 decomposition catalyst-assisted MOVPE growth of In0.3Ga0.7N for solar cell application
    発表年月:2015年11月
    発表会議名:PVSEC-25
    学会発表区分:韓国
  • GaAs/GaAs接合の電気特性に対するアニール効果
    発表年月:2015年11月
    発表会議名:電子情報通信学会電子デバイス研究会
    学会発表区分:国内
  • 表面活性化ボンディング法に依るSi/SiC接合の電気特性
    発表年月:2015年11月
    発表会議名:電子情報通信学会電子デバイス研究会
    学会発表区分:国内
  • GaN/Ga2O3 基板およびGaN 基板に成長したInGaN/GaN MQW 太陽電池特性
    発表年月:2016年03月
    発表会議名:第63回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • Si 基板上GaAs/GaN ヘテロ接合の縦方向電気特性評価
    発表年月:2016年03月
    発表会議名:第63回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • タンデム型太陽電池実現を目指す表面活性化異種半導体接合形成
    発表年月:2013年01月
    発表会議名:応用物理学会関西支部セミナー「光物性とその光機能 太陽光エネルギーハーベスティングのための新しい光機能」
    学会発表区分:国内
  • 高効率発電を目指すIII-N系太陽電池技術
    発表年月:2013年03月
    発表会議名:電子情報通信学会電子デバイス研究会(ED)専門委員会特別ワークショップ「電子デバイスから見たエネルギーハーベストの最新技術と展開」
    学会発表区分:国内
  • 表面活性化ボンディング法によるSi/4H-SiC 接合のC-V 特性評価
    発表年月:2013年03月
    発表会議名:2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 表面活性化ボンディングによる低抵抗Si/III-V接合
    発表年月:2013年03月
    発表会議名:2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 表面活性化ボンディングによるSi/GaAsヘテロ接合のバンド構造評価
    発表年月:2013年03月
    発表会議名:2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 表面活性化ボンディングによるSi/InGaPヘテロ接合のバンド構造評価
    発表年月:2013年03月
    発表会議名:2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 表面活性化ボンディングによるn-Si/n-4H-SiCヘテロ接合の作製及び評価
    発表年月:2013年03月
    発表会議名:2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 表面活性化ボンディングによるメサエッチングSi基板の接合特性評価
    発表年月:2013年03月
    発表会議名:2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 表面活性化ボンディングによるSi・異種材料接合の電気特性評価
    発表年月:2012年11月
    発表会議名:電子情報通信学会電子デバイス研究会(ED)
    学会発表区分:国内
  • MOMBE成長によるGaAs基板上SnドープInGaPのn型ドーピング制御
    発表年月:2012年09月
    発表会議名:2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会
    学会発表区分:国内
  • InGaN/GaN MQWにおけるキャリア寿命特性の井戸層厚依存性
    発表年月:2012年09月
    発表会議名:2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 表面活性化ウェハボンディングによるp-Si/n-GaAs貼り合せ構造の特性評価
    発表年月:2012年09月
    発表会議名:2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会
    学会発表区分:国内
  • 表面活性化ボンディングによるp-Si/n+-Si貼り合わせ構造の輸送特性評価
    発表年月:2012年09月
    発表会議名:2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会
    学会発表区分:国内

教育活動

担当教育の概要

  • 学部教育: アナログ電子回路の基礎的事項及びパワーエレクトロニクスの基礎的事項を講義(電子回路学基礎、パワーエレクトロニクス) 大学院教育: パワー半導体デバイスの材料及びデバイス動作原理、パワーエレクトロニクス回路構成を講義(パワーエレクトロニクス技術特論)

担当講義

  • 担当年度:2013年
    授業科目名:電子物理工学実務技術論
    講義区分:専門
  • 担当年度:2013年
    授業科目名:技術と生命
    講義区分:共通
  • 担当年度:2013年
    授業科目名:パワーエレクトロニクス技術特論
    講義区分:大学院
  • 担当年度:2013年
    授業科目名:パワーエレクトロニクス
    講義区分:専門
  • 担当年度:2013年
    授業科目名:電子回路学基礎
    講義区分:専門
  • 担当年度:2012年
    授業科目名:パワーエレクトロニクス技術特論
    講義区分:大学院
  • 担当年度:2012年
    授業科目名:電子回路学I
    講義区分:専門
  • 担当年度:2012年
    授業科目名:パワーエレクトロニクス
    講義区分:専門

産学官連携可能情報

専門分野

  • 電子デバイス・機器工学

所属研究部門

  • 工学研究科 電子情報系専攻(電子・物理工学)

現在の研究課題

  • 課題名:シリコン基板上異種材料タンデム太陽電池
    研究分野:電子デバイス・機器工学
    キーワード:グリーンパワーデバイス、高効率太陽電池、パワーエレクトロニクス

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