大阪市立大学 研究者要覧


中山 正昭(ナカヤマ マサアキ)NAKAYAMA Masaaki

更新日:2017/03/19

プロフィール

主な取得学位

  • 理学博士

主な専門分野

  • 光物性工学

現在の研究概要

  • 我々の身近にある発光ダイオード、CDや光通信用の半導体レーザー、太陽電池、デジタルカメラの撮像部などは、半導体の光機能性を利用した素子です。光機能性は、光と物質の相互作用(光物性)に基づくものです。当研究室では、「半導体ナノ構造・超薄膜の光物性と光機能性」を中心テーマとしての研究を行っています。電子は、マクロなサイズでは粒子として振る舞いますが、ナノメートル(10億分の1メートル)のスケールでは波動性(量子効果)が顕著に現れ、マクロな結晶とは異なる新たな光物性と光機能性が発現します。また、ナノ構造を制御することによって光物性を制御し、新たな光機能性素子を作り出すことが可能です。

個人URL HP

主な経歴

取得学位

  • 理学博士

学歴

  • 関西学院大学 理学研究科 物理学 修士課程
  • 関西学院大学 理学部 物理学

職歴

  • 1980-1983年 日東電気工業(株)技術研究所研究員
  • 1983-1988年 関西学院大学理学部実験助手
  • 1988-1991年 大阪市立大学工学助手
  • 1991-1995年 大阪市立大学工学部講師
  • 1995-1999年 大阪市立大学工学部助教授
  • 1999-2000年 大阪市立大学工学部教授
  • 2001-年 大阪市立大学大学院工学研究科 教授

受賞学術賞

  • 2014年 スマートプロセス学会Best Review賞

現在の主な研究課題

現在の専門分野

  • 光物性工学
  • 光機能性ナノ薄膜構造の作製

現在の研究課題

  • 課題名:ナノ構造半導体(超格子、量子井戸、量子ドット)の光物性と光機能性
    研究分野:固体物性I(光物性・半導体・誘電体)、応用物性・結晶工学
    キーワード:半導体超格子、量子井戸構造、光物性
  • 課題名:半導体マイクロキャビティの作製と励起子ポラリトンの光学応答
    研究分野:固体物性I(光物性・半導体・誘電体)、応用物性・結晶工学
    キーワード:半導体マイクロキャビティ、励起子ポラリトン、光学応答
  • 課題名:半導体薄膜とイオン性結晶薄膜の励起子光物性
    研究分野:固体物性I(光物性・半導体・誘電体)、応用物性・結晶工学
    キーワード:励起子、半導体、イオン結晶

現在の研究概要

  • 我々の身近にある発光ダイオード、CDや光通信用の半導体レーザー、太陽電池、デジタルカメラの撮像部などは、半導体の光機能性を利用した素子です。光機能性は、光と物質の相互作用(光物性)に基づくものです。当研究室では、「半導体ナノ構造・超薄膜の光物性と光機能性」を中心テーマとしての研究を行っています。電子は、マクロなサイズでは粒子として振る舞いますが、ナノメートル(10億分の1メートル)のスケールでは波動性(量子効果)が顕著に現れ、マクロな結晶とは異なる新たな光物性と光機能性が発現します。また、ナノ構造を制御することによって光物性を制御し、新たな光機能性素子を作り出すことが可能です。

主要な研究業績

著書・論文

  • Initial process of photoluminescence dynamics of self-trapped excitons in a beta-Ga2O3 single crystal
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2017年03月
    出版社:Phys. Rev. B
    巻/号、頁:95巻094304-1--094304-5頁
    共著者名:S. Yamaoka, Y. Furukawa, and M. Nakayama
  • Longitudinal optical phonon-plasmon coupled mode in undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial structures observed by Raman scattering and terahertz time-domain spectroscopic measurements: Difference in observed modes and initial polarization effects
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2017年03月
    出版社:IEEE Trans. THz Sci. Technol.
    巻/号、頁:7巻124-130頁
    共著者名:H. Takeuchi, T. Sumioka, and M. Nakayama
  • Cavity effect on a biexciton in a CuCl microcavity
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年09月
    出版社:Phys. Rev. B
    巻/号、頁:94巻115308-1--115308-5頁
    共著者名:Y. Motsumori, S. Matsuura, S. Uchiyama, K. Edamatsu, and M. Nakayama
  • Unique characteristics of nonequilibrium carrier transport dynamics in an undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial structure
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年06月
    出版社:Appl. Phys. Express
    巻/号、頁:9巻071001-1--071001-4頁
    共著者名:T. Hasegawa and M. Nakayama
  • Blueshifted flat dispersion of exciton-polariton condensates in a CuBr microcavity
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年04月
    出版社:J. Phys. Soc. Jpn.
    巻/号、頁:85巻054702-1--054702-7頁
    共著者名:M. Nakayama, K. Murakami, and D. Kim
  • Photoluminescence from exciton-electron inelastic scattering in a GaAs/AlAs multiple-quantum-well structure
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年04月
    出版社:Phys. Status Solidi C
    巻/号、頁:13巻109-112頁
    共著者名:S. Nakanishi, Y. Furukawa, and M. Nakayama
  • Photoluminescence dynamics of formation of electron-hole droplets in a GaAs/AlAs type-II superlattice
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年03月
    出版社:Phys. Status Solidi C
    巻/号、頁:13巻101-104頁
    共著者名:Y. Furukawa and M. Nakayama
  • Evidence for formation of self-trapped excitons in a beta-Ga2O3 single crystal
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年03月
    出版社:Phys. Status Solidi C
    巻/号、頁:13巻93-96頁
    共著者名:S. Yamaoka and M. Nakayama
  • Polariton dispersion relations under condensation in a CuBr microcavity
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年03月
    出版社:Phys. Status Solidi C
    巻/号、頁:13巻81-84頁
    共著者名:M. Nakayama, K. Murakami, and D. Kim
  • Dynamical formation process of electron-hole droplets in a GaAs/AlAs type-II superlattice
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年02月
    出版社:J. Phys. Soc. Jpn
    巻/号、頁:85巻034701-1--034701-6頁
    共著者名:Y. Furukawa and M. Nakayama
著書・論文を全て表示する
著書・論文一覧閉じる
  • Initial process of photoluminescence dynamics of self-trapped excitons in a beta-Ga2O3 single crystal
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2017年03月
    出版社:Phys. Rev. B
    巻/号、頁:95巻094304-1--094304-5頁
    共著者名:S. Yamaoka, Y. Furukawa, and M. Nakayama
  • Longitudinal optical phonon-plasmon coupled mode in undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial structures observed by Raman scattering and terahertz time-domain spectroscopic measurements: Difference in observed modes and initial polarization effects
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2017年03月
    出版社:IEEE Trans. THz Sci. Technol.
    巻/号、頁:7巻124-130頁
    共著者名:H. Takeuchi, T. Sumioka, and M. Nakayama
  • Cavity effect on a biexciton in a CuCl microcavity
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年09月
    出版社:Phys. Rev. B
    巻/号、頁:94巻115308-1--115308-5頁
    共著者名:Y. Motsumori, S. Matsuura, S. Uchiyama, K. Edamatsu, and M. Nakayama
  • Unique characteristics of nonequilibrium carrier transport dynamics in an undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial structure
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年06月
    出版社:Appl. Phys. Express
    巻/号、頁:9巻071001-1--071001-4頁
    共著者名:T. Hasegawa and M. Nakayama
  • Blueshifted flat dispersion of exciton-polariton condensates in a CuBr microcavity
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年04月
    出版社:J. Phys. Soc. Jpn.
    巻/号、頁:85巻054702-1--054702-7頁
    共著者名:M. Nakayama, K. Murakami, and D. Kim
  • Photoluminescence from exciton-electron inelastic scattering in a GaAs/AlAs multiple-quantum-well structure
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年04月
    出版社:Phys. Status Solidi C
    巻/号、頁:13巻109-112頁
    共著者名:S. Nakanishi, Y. Furukawa, and M. Nakayama
  • Photoluminescence dynamics of formation of electron-hole droplets in a GaAs/AlAs type-II superlattice
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年03月
    出版社:Phys. Status Solidi C
    巻/号、頁:13巻101-104頁
    共著者名:Y. Furukawa and M. Nakayama
  • Evidence for formation of self-trapped excitons in a beta-Ga2O3 single crystal
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年03月
    出版社:Phys. Status Solidi C
    巻/号、頁:13巻93-96頁
    共著者名:S. Yamaoka and M. Nakayama
  • Polariton dispersion relations under condensation in a CuBr microcavity
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年03月
    出版社:Phys. Status Solidi C
    巻/号、頁:13巻81-84頁
    共著者名:M. Nakayama, K. Murakami, and D. Kim
  • Dynamical formation process of electron-hole droplets in a GaAs/AlAs type-II superlattice
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2016年02月
    出版社:J. Phys. Soc. Jpn
    巻/号、頁:85巻034701-1--034701-6頁
    共著者名:Y. Furukawa and M. Nakayama
  • Polariton condensation effects on photoluminescence properties in a CuBr microcavity
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2015年07月
    出版社:J. Phys.: Conf. Ser.
    巻/号、頁:619巻012015-1--012015-4頁
    共著者名:M. Nakayama, K. Murakami, and D. Kim
  • Photoluminescence observation of electron-hole droplets in a GaAs/AlAs type-II superlattice
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2015年07月
    出版社:J. Phys.: Conf. Ser.
    巻/号、頁:619巻012005-1--012005-4頁
    共著者名:Y. Furukawa and M. Nakayama
  • Effects of surface modification on photoluminescence properties of self-assembled monolayer of CdSe quantum dots
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2015年07月
    出版社:J. Phys.: Conf. Ser.
    巻/号、頁:619巻012024-1--012024-4頁
    共著者名:T. Watanabe, H. Yokota, M. Nakayama, and D. Kim
  • Theory for lifetime of an exciton incoherently created below its resonance frequency by inelastic scattering
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2015年06月
    出版社:Phys. Rev. B
    巻/号、頁:91巻235205-1--235205-13頁
    共著者名:M. Bamba, S. Wakaiki, H. Ichida, K. Mizoguchi, D. Kim, M. Nakayama, and Y. Kanematsu
  • Systematic investigation of effects of exciton-acoustic-phonon scattering on photoluminescence rise times of free excitons in GaAs/Al0.3Ga0.7As single quantum wells
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2015年04月
    出版社:J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:117巻134306-1--134306-6頁
    共著者名:M. Nakayama, T. Ohno, and Y. Furukawa
  • Unique properties pf photoluminescence excitation spectra in a Eu-doped GaN epitaxial film
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2015年01月
    出版社:Appl. Phys. Lett.
    巻/号、頁:106巻012102-1--012102-4頁
    共著者名:M. Nakayama, S. Nakamura, H. Takeuchi, A. Koizumi, and Y. Fujiwara
  • Photoluminescence characteristics of polariton condensation in a CuBr microcavity
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2014年07月
    出版社:Appl. Phys. Lett.
    巻/号、頁:105巻021903-1--021904-4頁
    共著者名:M. Nakayama, K. Murakami, Y. Furukawa, and D. Kim
  • Photon-field-shape effects on Rabi splitting energies in ZnO microcavities
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2014年06月
    出版社:Optical Materials
    巻/号、頁:36巻1622-1626頁
    共著者名:M. Kawakami, T. Kawase, D. Kim, and M. Nakayama
  • Polariton characteristics of photoluminescence dynamics of exciton–exciton scattering in GaAs/AlAs multiple quantum wells
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2014年04月
    出版社:J. Phys. Soc. Jpn.
    巻/号、頁:83巻054709-1--054709-62301頁
    共著者名:Y. Furukawa, H. Takeuchi, and M. Nakayama
  • High-sensitivity polarization modulation reflectance spectroscopy of cavity polaritons in a ZnO microcavity
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2014年04月
    出版社:Appl. Phys. Express
    巻/号、頁:7巻032003-1--032003-4頁
    共著者名:T. Hasegawa, R. Kishimoto, Y. Takagi, T. Kawase, D. Kim, and M. Nakayama
  • Observation of bound and antibound states of cavity polariton pairs in a CuCl microcavity
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2014年02月
    出版社:Phys. Rev. B
    巻/号、頁:89巻035317-1--035317-6頁
    共著者名:S. Matsuura, Y. Mitsumori, K. Edamatsu, K. Miyazaki, D. Kim, M. Nakayama, G. Oohata, H. Ajiki, and H. Ishihara
  • Correlation between the intra-atomic Mn3+ photoluminescence and antiferromagnetic transition in an YMnO3 epitaxial film
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2014年01月
    出版社:Appl. Phys. Express
    巻/号、頁:7巻023002-1--23002-4頁
    共著者名:M. Nakayama, Y. Furukawa, K. Maeda, T. Yoshimura, H. Uga, and N. Fujimura
  • Precise control of photoluminescence enhancement and quenching of semiconductor quantum dots using localized surface plasmons in metal nanoparticles
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2013年10月
    出版社:J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:114巻154304-1--154304-5頁
    共著者名:D. Kim, H. Yokota, T. Taniguchi, and M. Nakayama
  • Radiation of terahertz electromagnetic waves from coherent longitudinal optical phonons in multiple quantum wells
    種別:解説
    単著・共著別:単著
    出版年月:2013年11月
    出版社:J. Nanoelectronics and Optelectronics
    巻/号、頁:8巻415-424頁
  • Voltage-controllable terahertz radiation from coherent longitudinal optical phonons in a p-i-n diode structure of GaAs
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2013年10月
    出版社:Appl. Phys. Lett.
    巻/号、頁:103巻141109-1--141109-4頁
    共著者名:M. Nakayama, S. Asai, H. Takeuchi, O. Ichikawa, and M. Hata
  • 半導体の光物性
    種別:著書
    単著・共著別:単著
    出版年月:2013年08月
    出版社:コロナ社
    巻/号、頁:1-354頁
  • Thickness dependence of photoluminescence-decay profiles of exciton-exciton scattering in ZnO thin film
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:3013年07月
    出版社:Eur. Phys. J B
    巻/号、頁:86巻387-1--387-4頁
    共著者名:S. Wakaiki, H. Ichida, T. Kawase, K. MIzoguchi, D. Kim, M. Nakayama, and Y. Kanemitsu
  • Photoluminescence dynamics of excitons at the mini-Brillouin-zone edge in a GaAs/AlAs superlattice
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2013年06月
    出版社:J. Cryst. Growth
    巻/号、頁:378巻61-64頁
    共著者名:M. Nakayama, T. Yamashita, and T. Hasegawa
  • Characteristics of ultrafast optical responses originating from non-equilibrium carrier transport in undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial structures
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2013年05月
    出版社:J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:113巻203506-1--203506-6頁
    共著者名:T. Hasegawa, Y. Takagi, H. Takeuchi, H. Yamada, M. Hata, and M. Nakayama
  • Enhancement mechanism of terahertz radiation from coherent longitudinal optical phonons in undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial structures
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2013年04月
    出版社:J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:113巻143502-1--143502-5頁
    共著者名:S. Tsuruta, H. Tekuchi, H. Yamada, M. Hata, and M. Nakayama
  • Terahertz radiation from the coherent longitudinal optical phonon-plasmon coupled mode in an i-GaAs/n-GaAs epitaxial structure
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2013年04月
    出版社:J. Phys: Conf. Ser.
    巻/号、頁:417巻012051-1--012051-6頁
    共著者名:S. Tsuruta, H. Takeuchi, and M. Nakayama
  • Photon-field-shape effects on Rabi splitting energies in CuCl microcavities
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2013年03月
    出版社:Eur. Phys. J. B
    巻/号、頁:86巻69-1--69-6頁
    共著者名:T. Kawase, K. Miyazaki, D. Kim, and M. Nakayama
  • Control of Rabi-splitting energies of exciton polaritons in CuI microcavities
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2013年01月
    出版社:Eur. Phys. J. B
    巻/号、頁:86巻32-1--32-5頁
    共著者名:M. Nakayama, M. Kameda, T. Kawase, and D. Kim
  • Characteristics of cavity polaritons in a CuBr microcavity
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2012年12月
    出版社:Eur. Phys. J. B
    巻/号、頁:85巻390-1--390-6頁
    共著者名:Y. Kanatani, T. Kawase, D. Kim, and M. Nakayama
  • Photogenerated-carrier-induced band bending effects on generation of a coherent longitudinal optical phonon in a GaAs buffer layer optically masked by a GaSb top epitaxial layer
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2012年11月
    出版社:Phys. Status Solidi C
    巻/号、頁:9巻2610-2613頁
    共著者名:H. Takeuchi, S. Tsuruta, and M. Nakayama
  • Temperature dependence of cavity-polariton energies in ZnO and CuCl microcavities
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2012年11月
    出版社:J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:112巻093512-1--083512-6頁
    共著者名:T. Kawase, K. Miyazaki, D. Kim, and M. Nakayama
  • Quantum beats of type-I and type-II excitons in an InxGa1-xAs/GaAs strained quantum well
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2012年08月
    出版社:J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:112巻043522-1--043522-4頁
    共著者名:O. Kojima, K. Mizoguchi, and M. Nakayama
  • Active-layer-thickness dependence of Rabi splitting energies in ZnO microcavities
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2012年05月
    出版社:Phys. Status Solidi C
    巻/号、頁:9巻1797-1800頁
    共著者名:T. Kawase, D. Kim, and M. Nakayama
  • Control of Rabi splitting energies in CuCl microcavities with HfO2/SiO2 distributed Bragg reflectors
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2012年05月
    出版社:Phys. Procedia
    巻/号、頁:29巻6-11頁
    共著者名:M. Nakayama, K. Miyazaki, T. Kawase, and D. Kim
  • Time evolution of terahertz electromagnetic waves from undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures clarified with use of a time-partitioning Fourier transform method
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2012年05月
    出版社:Phys. Procedia
    巻/号、頁:29巻30-35頁
    共著者名:H. Takeuchi, S. Tsuruta, H. Yamada, M. Hata, and M. Nakayama
  • Intense monochromatic terahertz electromagnetic waves from coherent GaAs-like longitudinal optical phonons in (11n)-oriented GaAs/In0.1Al0.9As strained multiple quantum wells
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2012年06月
    出版社:Appl. Phys. Lett.
    巻/号、頁:100巻242107-1--242107-4頁
    共著者名:H. Takeuchi, S. Asai, S. Tsuruta, and M. Nakayama
  • Exciton polaritons in a CuBr microcavity with HfO2/SiO2 distributed Bragg reflectors
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2012年05月
    出版社:Phys. Rev. B
    巻/号、頁:85巻205320-1--205320-5頁
    共著者名:M. Nakayama, Y. Kanatani, T. Kawase, and D. Kim
  • Ultrafast optical response originating from carrier-transport processes in undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial structures
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2012年05月
    出版社:Appl. Phys. Lett.
    巻/号、頁:100巻211902-1--211902-4頁
    共著者名:T. Hasegawa, Y. Takagi, H. Takeuchi, H. Yamada, M. Hata, and M. Nakayama
  • Photoluminescence properties of self-assembled monolayers of CdSe and CdSe/ZnS quantum dots
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2012年04月
    出版社:J. Phys. Chem.
    巻/号、頁:116巻5456-5459頁
    共著者名:H. Yokota, K. Okazaki, K. Shimura, M. Nakayama, and D. Kim
  • Frequency-tunable quantum beats under a Franz-Keldysh oscillation condition in a GaAs/AlxGa1-xAs superlattice
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2012年04月
    出版社:Appl. Phys. Express
    巻/号、頁:5巻041202-1--041202-3頁
    共著者名:T. Hasegawa, Y. Takagi, and M. Nakayama
  • Electric field effects on reduced effective masses of minibands at the mini-Brillouin-zone center and edge in a GaAs/AlAs superlattice
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2012年03月
    出版社:J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:111巻053523-1--053523-4頁
    共著者名:M. Nakayama and T. Kawabata
  • Detection of coherent longitudinal optical phonon in a GaAs buffer layer optically covered with a GaSb top epitaxial layer using terahertz specctroscopy
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2011年11月
    出版社:AIP Conf. Proc.
    巻/号、頁:1416巻84-87頁
    共著者名:H. Takeuchi, S. Tsuruta,and M. Nakayama
  • Terahertz spectroscopy of dynamics of coupling between the coherent longitudinal optical phonon and plasmon in the surge current of instantaneously photogenerated carriers flowing through the i-GaAs layer of an i-GaAs/n-GaAs epitaxial structure
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2011年07月
    出版社:J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:110巻013515-1--013515-6頁
    共著者名:H. Takeuchi, S. Tsuruta, and M. Nakayama
  • Cavity polaritons of heavy-hole and light-hole excitons in a CuI microcavity
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2011年06月
    出版社:Phys. Rev. B
    巻/号、頁:83巻235325-1--235325-5頁
    共著者名:M. Nakayama, M. Kameda, T. Kawase, and D. Kim
  • Electric field effects on excitonic quantum beats in a single quantum well embedded in a GaAs/AlAs superlattice
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2011年05月
    出版社:Phys. Rev. B
    巻/号、頁:83巻205309-1- -205309-6頁
    共著者名:T. Hasegawa, Y. Takagi, and M. Nakayama
  • Emission of the terahertz electromagnetic wave from coherent longitudinal optical phonons in a GaAs buffer layer optically masked by a GaSb top epitaxial layer
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2011年04月
    出版社:Appl. Phys. Lett.
    巻/号、頁:96巻151905-1--151905-3頁
    共著者名:H. Tekeuchi, S. Tsuruta, and M. Nakayama
  • Control of exciton-photon interactions in CuCl microcavities
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2011年02月
    出版社:Phys. Rev. B
    巻/号、頁:83巻075318-1--075318-5頁
    共著者名:M. Nakayama, K. Miyazaki, T. Kawase, and D. Kim
  • Exciton polaritons in ZnO microcavities with different active layer thicknesses
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2011年02月
    出版社:Phys. Status Solidi B
    巻/号、頁:248巻460-463頁
    共著者名:T. Kawase, D. Kim, K. Miyazaki, and M. Nakayama
  • Photoluminescence properties of exciton-exciton scattering in a dilute nitride GaAs1-xNx epitaxial film
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2011年02月
    出版社:Phys. Status Solidi C
    巻/号、頁:8巻372-374頁
    共著者名:M. Nakayama, J. Hashimoto, and Y. Maeda
  • Simple strategy for enhancing terahertz emission from coherent longitudinal optical phonons using undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2011年02月
    出版社:Phys. Status Solidi C
    巻/号、頁:8巻343-345頁
    共著者名:H. Takeuchi, J. Yanagisawa, S. Tsuruta, H. Yamada, M. Hata, and M. Nakayama
  • Coherent control of terahertz wave from coherent longitudinal optical phonon in a GaAs/AlAs multiple-quantum-well structure
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2010年12月
    出版社:Jpn. J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:49巻120202-1--120202-4頁
    共著者名:K. Mizoguchi, Y. Kanzawa, G. Oohata, S. Saito, K. Sakai, and M. Nakayama
  • Photoluminescence properties of exciton-exciton scattering in GaAs/AlAs multiple quantum wells
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2010年09月
    出版社:Physica E
    巻/号、頁:42巻2644-2647頁
    共著者名:M. Nakayama, T. Hirao, and T. Hasegawa
  • Effects of distributed Bragg reflectors on temporal stability of CuCl microcavities
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2010年04月
    出版社:Jpn. J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:49巻042802-1--042802-4頁
    共著者名:K. Miyazaki, D. Kim, T. Kawase, M. Kameda, and M. Nakayama
  • 半導体超格子におけるミニバンド構造とワニエ・シュタルク局在
    種別:解説
    単著・共著別:単著
    出版年月:2010年03月
    出版社:応用物理
    巻/号、頁:79巻3号198-205頁
  • Photoluminescence from exciton-exciton scattering in a GaAsN thin film
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2010年02月
    出版社:Appl. Phys. Lett.
    巻/号、頁:96巻081910-1--081910-3頁
    共著者名:J. Hashimoto, Y, Maeda, and M. Nakayama
  • Temperature dependence of the energy transfer of exciton states in bilayer structures of CdSe/ZnS quantum dots
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2009年07月
    出版社:Phys. Rev. B
    巻/号、頁:80巻045322-1--045322-5頁
    共著者名:D. Kim, K. Okazaki, and M. Nakayama
  • Characteristics of photoluminescence due to exciton-exciton scattering in GaAs/AlAs multiple quantum well
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2009年06月
    出版社:J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:105巻123525-1--123525-4頁
    共著者名:M. Nakayama, T. Hirao, and T. Hasegawa
  • Effect of nitrogen incorporation on a direction of a surface band bending investigated by polarity of terahertz electromagnetic waves in GaAs1-xNx epitaxial layer
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2009年
    出版社:J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:105巻093539-1--093539-2頁
    共著者名:H. Takeuchi, J. Yanagisawa, J. Hashimoto, and M. Nakayama
  • Enhanced terahertz emission from coherent longitudinal optical phonons in a quantum well structure under applied bias
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2009年05月
    出版社:Appl. Phys. Lett.
    巻/号、頁:94巻171105-1--171105-3頁
    共著者名:K. Mizoguchi, Y. Kanzawa, S. Saito, K. Sakai, and M. Nakayama
  • Experimental determination of exciton dispersion relation from center-of-mass quantization effect in PbI2 thin films
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2009年04月
    出版社:J. Phys. Soc. Jpn.
    巻/号、頁:78巻024702-1--024702-5頁
    共著者名:G. Oohata, Y. Yokotsuji, D. Kim, H. Ishihara, and M. Nakayama
  • Exciton polaritons in bulk CuCl microcavities grown by vacuum deposition
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2009年01月
    出版社:Phys. Status Sol. C
    巻/号、頁:6巻280-283頁
    共著者名:G. Oohata, T. Nishioka, D. Kim, H. Ishihara, and M. Nakayama
  • Photoluminescence dynamics of exciton-exciton scattering in a lightly alloyed InGaN thin film
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2008年12月
    出版社:Appl. Phys. Lett.
    巻/号、頁:93巻261904-1--261904-3頁
    共著者名:M. Nakayama and K. Sakaguchi
  • Giant Rabi splitting in a bulk CuCl microcavity
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2008年12月
    出版社:Phys. Rev. B
    巻/号、頁:78巻233304-1--23304-4頁
    共著者名:G. Oohata, T. Nishioka, D. Kim, H. Ishihara, and M. Nakayama
  • Experimental verification of Forster energy transfer between semiconductor quantum dots
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2008年10月
    出版社:Phys. Rev. B
    巻/号、頁:78巻153301-1--153301-4頁
    共著者名:D. Kim, S. Okahara, Y. Shim, and M. Nakayama
  • Observation of exciton polaritons in a ZnO microcavity with HfO2/SiO2 distributed Bragg reflectors
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2008年09月
    出版社:J. Phys. Soc. Jpn.
    巻/号、頁:77巻093705-1--093705-4頁
    共著者名:M. Nakayama, S. Komura, T. Kawase, and D. Kim
  • Ambience effects in annealing on improvements of optical properties of GaInNAs/GaAs single quantum wells
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2008年07月
    出版社:J. Crystal Growth
    巻/号、頁:310巻4786-4789頁
    共著者名:T. Ishizuka, H. Doi, M. Shimazu, S. Takagishi, R. Yaginuma, and M. Nakayama
  • Enhancement of terahertz electromagnetic wave emission from an undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structure
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2008年08月
    出版社:Appl. Phys. Lett.
    巻/号、頁:93巻081916-1--081916-3頁
    共著者名:H. Takeuchi, J. Yanagisawa, T. Hasegawa, and M. Nakayama
  • Temperature dependence of photoluminescence dynamics in colloidal CdS quantum dots
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2008年06月
    出版社:J. Phys. Chem. C
    巻/号、頁:112巻10668-10673頁
    共著者名:D. Kim, T. Mishima, K. Tomihira, and M. Nakayama
  • Highly efficient preparation of size-controlled CdS quantum dots with high photoluminescence yield
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2008年06月
    出版社:J. Crystal Growth
    巻/号、頁:310巻4244-4247頁
    共著者名:D. Kim, K. Tomihira, S. Okahara, and M. Nakayama
  • Interactions between coherent optical phonons and excitonic quantum beats in GaAs/AlAs multiple quantum wells: strategy for enhancement of terahertz radiation from coherent optical phonons
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2008年05月
    出版社:Phys. Status Sol. C
    巻/号、頁:5巻2911-2916頁
    共著者名:M. Nakayama and K. Mizoguchi
  • High sensitivity of photoluminescence-excitation spectroscopy for probing effects of plasma-induced surface damages on carrier transport in AlxGa1-xN/GaN heterostructures
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2008年02月
    出版社:Phys. Status Sol. C
    巻/号、頁:5巻1525-1528頁
    共著者名:H. Takeuchi, T. Shirahama, Y. Yamamoto, Y. Kamo, T. Kunii, T. Oku, H. Tanaka, and M. Nakayama
  • Ultrafast photoluminescence dynamics in ZnO thin films under intense excitation conditions
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2008年02月
    出版社:J. Lumin.
    巻/号、頁:128巻1059-1061頁
    共著者名:H. Ichida, S. Wakaiki, K. Mizoguchi, D. Kim, Y. Kanematsu and M. Nakayama
  • Excitonic quantum beat at the mini-Brillouin-zone boundary in a GaAs/AlAs superlattice
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2008年02月
    出版社:J. Lumin.
    巻/号、頁:128巻1056-1058頁
    共著者名:T. Hasegawa, K. Mizoguchi, and M. Nakayama
  • Enhancement of terahertz radiation from coherent optical phonons via impulsive interference of excitons in GaAs/AlAs multiple quantum wells
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2008年02月
    出版社:J. Lumin.
    巻/号、頁:128巻1043-1045頁
    共著者名:M. Nakayama, S. Itoh, K. Mizoguchi, S. Saito, K. Akahane, N. Yamamotoc, and K. Sakai
  • Photoluminescence due to exciton-exciton scattering in a GaAs/AlAs multiple quantum well
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2008年02月
    出版社:J. Lumin.
    巻/号、頁:128巻960-962頁
    共著者名:T. Hirao, T. Hasegawa, and M. Nakayama
  • Generation of intense and monochromatic terahertz radiation from coherent longitudinal optical phonons in GaAs/AlAs multiple quantum wells at room temperature
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2008年01月
    出版社:Appl. Phys. Express
    巻/号、頁:1巻012004-1--012004-3頁
    共著者名:M. Nakayama, S. Ito, K. Mizoguchi, S. Saito, and K. Sakai
  • Transformation process from quantum beats of miniband excitons to Bloch oscillations in a GaAs/AlAs superlattice under applied electric fields
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2007年09月
    出版社:Phys. Rev. B
    巻/号、頁:76巻115323-1--115323-6頁
    共著者名:T. Hasegawa, K. Mizoguchi, M. Nakayama
  • Energy-relaxation dynamics of photogenerated excitons observed from time-resolved photoluminescence of exciton-exciton scattering in CuI thin films
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2007年08月
    出版社:Phys. Rev. B
    巻/号、頁:76巻085417-1--085417-5頁
    共著者名:H. Ichida, Y. Kanematsu, K. Mizoguchi, D. Kim, and M. Nakayama
  • Observation of biexciton-resonant hyper-parametric scattering in SiO2/CuCl layered structures
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2007年03月
    出版社:Jpn. J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:46巻L234-L236頁
    共著者名:M. Nakayama, T. Nishioka, S.Wakaiki, G. Oohata, K. Mizoguchi, D. Kim, and K. Edamatsu
  • Terahertz radiation from coherent confined optical phonons in GaAs/AlAs multiple quantum wells
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2007年02月
    出版社:phys. stat. sol. (a)
    巻/号、頁:204巻518-521頁
    共著者名:M. Nakayama, K. Mizoguchi, O. Kojima, T. Furuichi, A. Mizumoto, S. Sato, and K. Sakai
  • Photocurrent bistability in a GaAs/AlxGa1-xAs superlattice under resonant-coupling conditions of Wannier-Stark-localization states
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2007年02月
    出版社:J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:101巻043512-1--043512-5頁
    共著者名:T. Hasegawa and M. Nakayama
  • Stretched exponential profiles of photoluminescence decays related to localized states in InGaAsN/GaAs single-quantum wells
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2007年01月
    出版社:J. Lumin
    巻/号、頁:122-123巻753-755頁
    共著者名:M. Nakayama, Y. Iguchi, K. Nomura, J. Hashimoto, T. Yamada, and S. Takagishi
  • Self-assembled formation of ZnO hexagonal micropyramids with high luminescence efficiency
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2007年03月
    出版社:Appl. Phys. Lett.
    巻/号、頁:90巻101918-1--101918-3頁
    共著者名:D. Kim, S. Wakaiki, S. Komura, and M. Nakayama
  • Photoluminescence-excitation spectroscopy as a highly sensitive probe for carrier transport processes affected by surface damages in AlxGa1-xN/GaN heterostructures
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2007年08月
    出版社:J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:102巻043510--043510-8頁
    共著者名:H. Takeuchi, Y. Yamamoto, Y. Kamo, T. Kunii, T. Oku, T. Shirahama, T. Tanaka, and M. Nakayama
  • Miniband-width effects on Wannier-Stark localization of the first and second quantized states in a GaAs/AlAs superlattice
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2007年02月
    出版社:J. Lumin.
    巻/号、頁:122-123巻841-843頁
    共著者名:T. Hasegawa and M. Nakayama
  • High sensitivity of Franz-Keldysh oscillations in photoreflectance spectra for probing morphology in AlxGa1-xN/GaN heterostructures
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2007年01月
    出版社:Eur. Phys. J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:37巻119-122頁
    共著者名:H. Takeuchi, Y. Yamamoto, Y. Kamo, T. Kunii, and M. Nakayama
  • Optical characterization of improvement of carrier localization in InGaAsN/GaAs single quantum wells by addition of Sb flux to interfaces
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2007年
    出版社:J. Crystal Growth
    巻/号、頁:298巻540-543頁
    共著者名:Y. Iguchi, T. Ishizuka, T. Yamada, S. Takagishi, and M. Nakayama
  • Optical properties of GaInNAs quantum wells on misoriented substrates grown by MOVPE
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2007年
    出版社:J. Crystal Growth
    巻/号、頁:298巻116-120頁
    共著者名:T. Ishizuka, H. Doi, T. Katsuyama, J. Hashimoto, and M. Nakayama
  • Center-of-mass quantization of excitons in PbI2 thin films grown by vacuum deposition
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2006年08月
    出版社:Phys. Rev. B
    巻/号、頁:74巻073306-1--073306-4頁
    共著者名:M. Nakayama, D. Kim, and H. Ishihara
  • Electroreflectance observation of transformation processes of the first and second minibands to Wannier-Stark localization states in a GaAs/AlAs superlattice
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2005年
    出版社:Jpn. J. Appl. Phys
    巻/号、頁:44巻8340-8344頁
    共著者名:T. Hasegawa and M. Nakayama
  • Photoluminescence and optical gain due to exciton-electron scattering in a high quality GaN thin film
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2006年07月
    出版社:Appl. Phys. Lett.
    巻/号、頁:88巻031909-1--031909-3頁
    共著者名:M. Nakayama, H. Tanaka, M. Ando, andT. Uemura
  • Ultrafast photoluminescence dynamics of biexcitons in a CuCl thin film grown by vacuum deposition
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2006年12月
    出版社:phys. stat. sol. (c)
    巻/号、頁:3巻3464-3467頁
    共著者名:M. Nakayama, S. Wakaiki, K. Mizoguchi, D. Kim, and H. Ichida
  • Photoluminescence properties peculiar to the Mn-related transition in a lightly alloyed ZnMnO thin film grown by pulsed laser deposition
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2006年06月
    出版社:Appl. Phys. Lett.
    巻/号、頁:88巻241908-1--241908-3頁
    共著者名:M. Nakayama, H. Tanaka, K. Masuko, T. Fukushima, and N. Fujimura
  • Photoluminescence properties of high-quality ZnO thin films prepared by an RF-magnetron sputtering method
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2006年02月
    出版社:Physica B
    巻/号、頁:376-377巻741-744頁
    共著者名:D. Kim, T. Shimomura, S. Wakaiki, T. Terashita and M. Nakayama
  • Optical properties of ZnO thin films grown by an rf-magnetron sputtering method
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2006年
    出版社:phys. stat. sol. (c)
    巻/号、頁:3巻3504-3507頁
    共著者名:S. Wakaiki, D. Kim, S. Komura, K. Mizoguchi, and M. Nakayama
  • Characterization of terahertz electromagnetic waves from coherent longitudinal optical phonons in GaAs/AlAs multiple quantum wells
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2006年
    出版社:J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:100巻103527-1--103527-7頁
    共著者名:K. Mizoguchi, A, Mizumoto, M. Nakayama et al.
  • Photoluminescence properties and energy transfer processes from excitons to Mn2+ ions in Mn2+-doped CdS quantum dots prepared by a reverse-micelle method
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2006年
    出版社:J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:100巻094313-1--094313-6頁
    共著者名:D. Kim, M. Miyamoto and M. Nakayama
  • Photoluminescence from Exciton-Exciton Scattering in a Lightly Alloyed InGaN Thin Film under Intense Excitation Conditions
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2005年
    出版社:Appl. Phys. Lett.
    巻/号、頁:87巻092106-1--3頁
    共著者名:M. Nakayama, R. Kitano, M. Ando, and T. Uemura
  • Strong enhancement of band-edge photoluminescence in CdS quantum dots prepared by a reverse-micelle method
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2005年
    出版社:J. Appl. Phys
    巻/号、頁:98巻083514-1--083514-4頁
    共著者名:D. Kim, M. Miyamoto, T. Mishima, and M. Nakayama
  • Photoluminescence due to inelastic scattering processes of excitons in a GaN thin film grown by metalorganic vapor phase epitaxy
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2006年
    出版社:phys. stat. sol. (c)
    巻/号、頁:3巻3312-3515頁
    共著者名:H. Tanaka, M. Ando, T. Uemura, and M. Nakayama
  • Effects of a cap layer on built-in electric fields of AlGaN/GaN heterostructures non-destructively probed by Franz-Keldysh oscillations
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2006年
    出版社:Eur. Phys. J. B
    巻/号、頁:52巻311-314頁
    共著者名:H. Takeuchi, Y. Yamamoto, Y. Kamo, T. Oku, and M. Nakayama
  • Temperature dependence of dynamical processes of photoluminescence from exciton-exciton scattering in CuI thin films
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2006年
    出版社:J. Lumin
    巻/号、頁:119-120巻457-461頁
    共著者名:H. Ichida, K. Mizoguchi, D. Kim, Y. Kanematsua, and M. Nakayama
  • Photoluminescence properties related to localized states in colloidal PbS quantum dots
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2006年
    出版社:J. Lumin
    巻/号、頁:119-120巻214-218頁
    共著者名:D. Kim, T. Kuwabara, and M. Nakayama
  • Photoluminescence Dynamics of Exciton-Exciton Scattering Processes in CuI Thin Films
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2005年
    出版社:Phys. Rev. B
    巻/号、頁:72巻045210-1--5頁
    共著者名:H. Ichida, Y. Kanemitsu, T. Shimomura, K. Mizoguchi, D. Kim, and M. Nakayama
  • Photovoltaic Effects on Franz-Keldysh Oscillations in Photoreflectance Spectra: Application to Determination of Surface Fermi Level and Surface Recombination Velocity in Undoped GaAs/n-Type GaAs Epitaxial Layer Structures
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2005年
    出版社:J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:97巻063708-1--16頁
    共著者名:H. Takeuchi, Y. Kamo, Y. Yamamoto, M. Totsuka, and M. Nakayama
  • Scintillation Properties of CsI:Na Thin Films from Viewpoint of Nanoparticle Formation
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2005年
    出版社:J. Luminescence
    巻/号、頁:112巻156-160頁
    共著者名:M. Nakayama, K. Okuda, N. Ando, and H. Nishimura
  • Optical Properties of High-Quality ZnO Thin Films Grown by a Sputtering Method
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2005年
    出版社:J. Luminescence
    巻/号、頁:112巻156-160頁
    共著者名:T. Shimomura, D. Kim, and M. Nakayama
  • Intense Terahertz Radiation from Longitudinal Optical Phonons in GaAs/AlAs Multiple Quantum Wells
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2005年
    出版社:Appl. Phys. Lett.
    巻/号、頁:87巻093102-1--3頁
    共著者名:K. Mizoguchi, T. Furuichi, O. Kojima, M. Nakayama, S. Saito, and K. Sakai
  • Intense Coherent Longitudinal Optical Phonons in CuI Thin Films under Exciton-Excitation Conditions
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2005年
    出版社:J. Luminescence
    巻/号、頁:112巻80-83頁
    共著者名:O. Kojima, K. Mizoguchi, M. Nakayama
  • Preparation of ZnS-CdS Alloy Quantum Dots by Chemical Synthetic Methods and Size-Selective Photoetching Effects on Size Distribution
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2005年
    出版社:Jpn. J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:44巻3号1514-1517頁
    共著者名:D. Kim, A. Nabeshima, and M. Nakayama
  • 半導体超格子の光物性
    種別:解説
    単著・共著別:単著
    出版年月:2005年
    出版社:オプロトニクス
    巻/号、頁:1号225-231頁
  • Enhancement of Coherent Longitudinal Optical Phonon Oscillations in a GaAs/AlAs Multiple Quantum Well due to Intersubband Energy Tuning under an Electric Field
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2004年
    出版社:Phys. Rev. B
    巻/号、頁:70巻233306-1--4頁
    共著者名:O. Kojima, K. Mizoguchi, and M. Nakayama
  • Effects of the Dark-Exciton State on Photoluminescence Dynamics in Surface-Modified CdS Quantum Dots Prepared by a Colloidal Method
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2004年
    出版社:Physica E
    巻/号、頁:21巻363-366頁
    共著者名:D. Kim, T. Mishima, and M. Nakayama
  • Nondestructive Determination of Layers Producing Franz-Keldysh Cscillations Appearing in Photoreflectance Spectra of Heterojunctions Bipolar Transistor Structures Based on Their Line-Shape Analysis
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2004年
    出版社:J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:96巻1967-1974頁
    共著者名:H. Takeuchi, Y. Yamamoto, and M. Nakayama
  • Coupled Mode of the Coherent Optical Phonon and Excitonic Quantum Beat in GaAs/AlAs Multiple Quantum Wells
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2004年
    出版社:Phys. Rev. B
    巻/号、頁:69巻233302-1--4頁
    共著者名:K. Mizoguchi, O. Kojima, T. Furuichi, M. Nakayama, and N. Ohtani
  • Scintillation Activated by Nanoparticle Formation in CsI:Na Thin Films
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2004年
    出版社:J. Luminescence
    巻/号、頁:108巻359-363頁
    共著者名:M. Nakayama. N. Ando, J. Hirai, and H. Nishimura
  • Stability of electron-hole plasma in type-I and type-II GaAs-GaAlAs single quantum wells
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2004年
    出版社:Phys. Rev. B
    巻/号、頁:69巻165316-1--12頁
    共著者名:T. Ando, M. Nakayama, and M. Hosoda
  • Bose-Einstein Statistics Behavior of Exciton-Biexciton Photoluminescence Decay Processes in a GaAs/AlAs Type-II Superlattice
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2004年
    出版社:Physica E
    巻/号、頁:21巻651-655頁
    共著者名:M. Nakayama and H. Ichida
  • Effects of the Dark-Exciton State on Photoluminescence Dynamics in Surface-Modified CdS Quantum Dots Prepared by a Colloidal Method
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2004年
    出版社:Physica E
    巻/号、頁:21巻363-366頁
    共著者名:D. Kim, T. Mishima, and M. Nakayama
  • ラマン散乱分光
    種別:解説
    単著・共著別:単著
    出版年月:2004年
    出版社:オプロトニクス
    巻/号、頁:6号154-161頁
  • Line-shape Analysis of Franz-Keldysh Oscillations from a Base-Emitter Junction in an InGaP/GaAs Heterojunctions BipolarTransistor Structure
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2004年
    出版社:Physica E
    巻/号、頁:21巻693-697頁
    共著者名:H. Takeuchi, Y. Yamamoto, R. Hattori, T. Ishikawa, and M. Nakayama
  • Coupling of Coherent Longitudinal Optical Phonons to Excitonic Quantum Beats in GaAs/AlAs Multiple Quantum Wells
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2003年
    出版社:Phys. Rev. B
    巻/号、頁:68巻155325-1--6頁
    共著者名:O. Kojima, K. Mizoguchi, and M. Nakayama
  • Localization Characteristics of Photoluminescence Decay Dynamics in an InGaAsN/GaAs Single Quantum well
    種別:論文
    単著・共著別:単著
    出版年月:2003年
    出版社:Phys. Stat. Sol. (B)
    巻/号、頁:240巻352-355頁
  • Role of Core Excitons Formed by 4f-4f Transitions of Gd┣D13+┫D1 on Ce┣D13+┫D1 Scintillation in Gd┣D22┫D2SiO┣D25┫D2:Ce┣D13+┫D1
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2003年
    出版社:Phys. Rev. B
    巻/号、頁:67巻165206-1-7頁
    共著者名:M. Mori, M. Nakayama, H. Nishimura
  • Photoluminescence Properties of ZnO Thin Films Grown by Electrochemical Deposition
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2003年
    出版社:Jpn. J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:42巻8A号L935-L937頁
    共著者名:D. Kim, T. Terashita, I. Tanaka, M. Nakayama
  • Optical Gain of Stimulated Emission due to Exciton-Exciton Scattering Processes in CuI Thin Films
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2002年
    出版社:Nonlinear Optics
    巻/号、頁:29巻7-9号507-512頁
    共著者名:I. Tanaka, M. Nakayama
  • Excitonic Properties in PbI┣D22┫D2 Thin Films Grown by Vacuum Deposition
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2002年
    出版社:Nonlinear Optics
    巻/号、頁:29巻7-9号319-396頁
    共著者名:D. Kim, S. Uegaki, M. Nakayama
  • Quantum-Statistics Behaviors of the Exciton-Biexciton System in GaAs/AlAs Type-II Superlattices
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2002年
    出版社:Phase Transitions
    巻/号、頁:75巻7-8号979-987頁
    共著者名:M. Nakayama, H. Ichida
  • Stimulated Emission due to the Inelastic Scattering from the Heavy-Hole Exciton to the Light-Hole Exciton in CuI Thin Films
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2002年
    出版社:J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:92巻7号3511-3516頁
    共著者名:I. Tanaka, M. Nakayama
  • Numerically Stable and Flexible Method for Solutions of the Schrodinger Equation with Self-Interaction of Carriers in Quantum Wells
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2002年
    出版社:IEEE J. Quantum Electronics
    巻/号、頁:38巻10号1372-1383頁
    共著者名:T. Ando, H. Taniyama, N. Ohtani, M. Hosoda, M. Nakayama
  • Photoluminescecne from High Γ-Electron Subbands and Intersubband Electroluminescence Using X-Γ Carrier Injection in a Simple GaAs/AlAs Superlattice
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2002年
    出版社:Jpn. J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:41巻8号5073-5077頁
    共著者名:C. Domoto, T. Nishimura, N. Ohtani, K. Kuroyanagi, M. Nakayama, et al.
  • Coherent Folded Acoustic Phonons in GaAs/AlAs Superlattices with Limited Periodicity
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2002年
    出版社:Physica B
    巻/号、頁:316-317巻308-310頁
    共著者名:H. Takeuchi, K. Mizoguchi, T. Hino, M. Nakayama
  • Scintillation from NaI Nanoparticles in CsI:Na Thin Films
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2002年
    出版社:Jpn. J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:41巻3A号L263-L265頁
    共著者名:M. Nakayama, N. Ando, T. Miyoshi, J. Hirai, H. Nishimura
  • Effects of a Miniband Structure on Coherent LO Phonon-Plasmon Coupled Modes in an (InAs)┣D21┫D2/(GaAs)┣D230┫D2 Strained-Layer Superlattice
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2002年
    出版社:Physica B
    巻/号、頁:314巻422-426頁
    共著者名:H. Takeuchi, K. Mizoguchi, T. Aida, M. Nakayama
  • Optoelectronic Properties of Orientation-Controlled Lead Phthalocyanine Films
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2002年
    出版社:Jpn. J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:41巻11A号6421-6425頁
    共著者名:K. Mizoguchi, K. Mizui, D. Kim, M. Nakayama
  • Control of Bose-Einstein-Statisitics Behavior of the Exciton-Biexciton System in a GaAs/AlAs Type-II Superlattice
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2002年
    出版社:Nonlinear Optics
    巻/号、頁:29巻4-6号203-209頁
    共著者名:H. Ichida, M. Nakayama
  • Finite-Size Effects on Coherent Folded Acoustic Phonons in GaAs/AlAs Superlattices
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2002年
    出版社:J. Phys.: Condens. Matter
    巻/号、頁:14巻L103-L109頁
    共著者名:M. Mizoguchi, H. Takeuchi, T. Hino, M.Nakayama
  • Self-Narrowing and Photoetching Effects on the Size Distribution of CdS Quantum Dots Prepared by a Reverse-Micelle Method
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2002年
    出版社:Jpn. J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:41巻8号5064-5068頁
    共著者名:D. Kim, N. Teratani, M. Nakayama
  • Scintillation Mechanism of Bi┣D24┫D2Ge┣D23┫D2O┣D212┫D2
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2002年
    出版社:Nonlinear Optics
    巻/号、頁:29巻10-12号609-613頁
    共著者名:K. Mori, H. Nishimura, M. Nakayama
  • Evidence for Quantum Statistics of the Exciton-Biexciton System in a GaAs/AlAs Type-II Superlattice
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2001年
    出版社:Phys. Rev. B
    巻/号、頁:63巻195316-1-6頁
    共著者名:H. Ichida, M. Nakayama
  • Boson Characteristics of the Exciton-Biexciton System in a GaAs/AlAs Type-II Superlattice
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2001年
    出版社:J. Luminescence
    巻/号、頁:94-95巻379-383頁
    共著者名:H. Ichida, M. Nakayama
  • Simultaneous Observation of Coherent GaSb-Like and AlSb-Like Longitudinal Optical Phonons in GaSb/AlSb Superlattices
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2001年
    出版社:J. Phys. Soc. Jpn
    巻/号、頁:70巻9号2598-2602頁
    共著者名:H. Takeuchi, K. Mizoguchi, M. Nakayama, K. Kuroyanagi, H. Harima et al.
  • Control of Temperature Dependence of Exciton Energies in CuI-BuBr Alloy Thin Films Grown by Vacuum Deposition
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2001年
    出版社:Int. J. Modern Physics B
    巻/号、頁:15巻28-30号3977-3980頁
    共著者名:I. Tanaka, K. Sugimoto, D. Kim, H. Nishimura, M. Nakayama
  • Transition from Biexciton to Electron-Hole Plasma in Photoluminescence Properties of a GaAs/AlAs Multiple-Quantum-Well Structure
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2001年
    出版社:Int. J. Modern Physics B
    巻/号、頁:15巻28-30号3793-3796頁
    共著者名:H. Ichida, K. Tsuji, K. Mizoguchi, H. Nishimura, M. Nakayama
  • Scintillation Mechanism of Ce┣D13+┫D1 Doped Gd┣D22┫D2SiO┣D25┫D2
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2001年
    出版社:Int. J. Modern Physics
    巻/号、頁:15巻28-30号3877-3880頁
    共著者名:K. Mori, M. Yokota, H. Nishimura, M. Nakayama, H. Ishibashi
  • Quantum Beats between Heavy-Hole and Light-Hole Excitons in CuI Thin Films
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2001年
    出版社:J. Luminescence
    巻/号、頁:94-95巻385-388頁
    共著者名:I. Tanaka, K. Mizoguchi, M. Nakayama
  • Excitonic Processes in GaAs/AlAs Type-II Superlattices
    種別:論文
    単著・共著別:単著
    出版年月:2000年
    出版社:J. Luminescence
    巻/号、頁:87巻15-19頁
  • Stimulated Emission from Exciton-Exciton Scattering in CuBr Thin Films
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2000年
    出版社:J. Luminescence
    巻/号、頁:87巻235-237頁
    共著者名:H. Ichida, H. Nishimura
  • Intersubband Electroluminescence using X-Γ Carrier Injection
    in a GaAs/AlAs Superlattice
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2000年
    出版社:Applied Physics Letters
    巻/号、頁:77巻6号848-850頁
    共著者名:C.Domota, N.Ohtani, J.Kuroyanagi, H.Takeuchi, M. Nakayama et al.
  • Photoluminescecne from Heavy-Hole and Light-Hole Excitons Split by
    Thermal Strain in CuI Thin Films
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2000年
    出版社:J. Luminescence
    巻/号、頁:87巻257-259頁
    共著者名:I. Tanaka, D. Kim, H. Nishimura
  • Electric-Field-Induced combination of Wannier-Stark Localization and
    Type-I-Type-II Crossover in a Marginal Type-I GaAs/AlAs Superlattice
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2000年
    出版社:Physical Review B
    巻/号、頁:61巻11号7505-7510頁
    共著者名:N.Ohtani, C.Domoto, N.Egami, M.Ando, H.Mimura, M.Hosoda
  • Photoluminescence and Carrier Transport Properties via the Intersubband
    Scattering in a GaAs/AlAs Superlattice
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:2000年
    出版社:J. Luminescence
    巻/号、頁:87巻411-414頁
    共著者名:M.Ando, H.Takeuchi, N.Ohtani, H.Mimura, M. Nakayama
  • Study of Coherent Folded Acoustic Phonons in Semiconductor Superlattices by Pump-Probe Technique
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1999年
    出版社:Physica B
    巻/号、頁:263-264巻48-50頁
    共著者名:K. Mizoguchi, M. Hase, S. Nakashima, M. Nakayama
  • Coherent Acoustic Phonons in Semiconductor Superlattices
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1999年
    出版社:phys. Stat. sol. (b)
    巻/号、頁:215巻425-430頁
    共著者名:T. Dekorsy, A. Bartels, H. Kurz, K. Mizoguchi, M. Nakayama
  • Photoreflectance Study of Quantum Effects on E┣D21┫D2 and E┣D21┫D2+△┣D21┫D2Transitions in GaAs/AlAs Superlattices
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1999年
    出版社:Inst. Phys. Conf. Ser.
    巻/号、頁:162巻361-366頁
    共著者名:T. Nakanishi, K. Okajima, M. Nakayama, H. Nishimura
  • Influence of Strain Effects on Hole-Subband Resonances in GaAs/InAlAs Superlattices
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1999年
    出版社:Appl. Surface Sci.
    巻/号、頁:142巻633-636頁
    共著者名:K. Kuroyanagi, N. Ohtani, N. Egami, K. Tomonaga, M. Nakayama
  • Thermal-Strain-Induced Splitting of Heavy- and Light-Hole Exciton Energies
    in CuI Thin Films Grown by Vacuum Evaporation
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1999年
    出版社:Physical Review B
    巻/号、頁:60巻19号13879-13884頁
    共著者名:D. Kim, O. Kojima, I. Tanaka, H. Ichida, M. Nakayama, H. Nishimura et al.
  • Franz-Keldysh Oscillations at the Above-Barrier Miniband in a GaAs/Al┣D2x┫D2Ga┣D21-x┫D2As Superlattice
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1999年
    出版社:Superlattices& Microstruc.
    巻/号、頁:25巻1号61-66頁
    共著者名:M. Ando, M. Nakayama, H. Nishimura
  • Strain-Induced Splitting of the Heavy-Hole and Light-Hole Exciton Energies in NaI Thin Films
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1998年
    出版社:Physical Review B
    巻/号、頁:57巻3号2592-2595頁
    共著者名:H. Nishimura, K. Kitano, S. Kawase, M. Nakayama
  • 真空蒸着法によるⅠ-Ⅱ族結晶のエピタキシーと薄膜の励起子物性
    種別:解説
    単著・共著別:共著
    出版年月:1998年
    出版社:真空
    巻/号、頁:41巻12号1027-1033頁
    共著者名:中山正昭, 西村仁
  • Influence of Γ-X Resonance on Photocurrent-Voltage Characteristics in GaAs/InAlAs Strained Superlattices
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1998年
    出版社:Jpn. J. Appl. Phys.
    巻/号、頁:37巻3B号1650-1653頁
    共著者名:K. Kuroyanagi, N. Ohtani, N. Egani, K. Tominaga, M. Nakayama
  • Photoluminescence Detection of the X-Electron Resonance in a GaAs/AlAs Type-II Superlattice
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1998年
    出版社:Physical Review B
    巻/号、頁:58巻11号7216-7221頁
    共著者名:M. Nakayama, M. Ando, H. Nishimura, N. Ohtani, M. Hosoda et al.
  • Type-II Biexcitons in GaAs/AlAs Short-Period Superlattices
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1998年
    出版社:Physica E
    巻/号、頁:2巻340-344頁
    共著者名:M. Nakayama, A. Soumura, H. Nishimura
  • Polarization Choices in Exciton-Biexciton System of GaAs quantum Wells
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1997年
    出版社:Physical Review B
    巻/号、頁:55巻3号1654-1660頁
    共著者名:S. Adachi, M. Miyashita, S. Takeyama, Y. Takagi, M. Nakayama et al.,
  • Observation of Coherent Acoustic Phonons in Fibonacci Superlattices
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1997年
    出版社:Physical Review B
    巻/号、頁:55巻15号9336-9339頁
    共著者名:K. Mizoguchi, S. Nakashima, T. Dekorsy, H. Kurz, M. Nakayama
  • Influence of Γ-X Resonances on Γ┣D21┫D2 Ground State Electron Occupation in Type-I GaAs/AlAs Superlattice
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1997年
    出版社:Applied Physics Letters
    巻/号、頁:70巻12号1581-1583頁
    共著者名:M. Hosoda, K. Tominaga, N. Ohtani, H. Mimura, M. Nakayama
  • Miniband Structures and Effective Maases of GaAs/AlAs Superlattices with Ultra-Thin AlAs Layers
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1997年
    出版社:Solid State Communications
    巻/号、頁:102巻11号803-807頁
    共著者名:M. Nakayama, T. Nakanishi, K. Okajima, M. Ando, H. Nishimura
  • Coherent Reflected Pulses of Exciton Polaritons in Multiple Quantum Wells at Brewster"s-Angle Incidence
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1997年
    出版社:Physical Review B
    巻/号、頁:56巻20号R12780-R12783頁
    共著者名:B.R. Hyun, T. Mishina, Y. Masumoto, M. Nakayama
  • Photoluminescence from the Barrier-X state in GaAs/InAlAs Strained Superlattices under Applied-Bias Voltage
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1997年
    出版社:Phys. Stat. Sol. (b)
    巻/号、頁:204巻187-190頁
    共著者名:K. Kuroyanagi, N. Ohtani, N. Egami, M. Nakayama
  • Hot Excitons in CuCl and CuBr Thin Films Grown by Vacuum deposition
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1997年
    出版社:Physical Review B
    巻/号、頁:55巻15号10099-10105頁
    共著者名:M. Nakayama, A.Soumura, K.Hamasaki, H.Takeuchi, H.Nishimura
  • Flexible Approach to Exciton Binding Energies in Type-I and Type-II Quantum Wells
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1996年
    出版社:Physical Review B
    巻/号、頁:53巻3号1485-1489頁
    共著者名:Z.S. Piao, M. Nakayama, H. Nishimura
  • Binding Energies and Envelope Functions of Light-Hole Excitons in GaAs/In┣D2X┫D2Ga┣D21-X┫D2As Strained Quantum Wells
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1996年
    出版社:Physical Review B
    巻/号、頁:54巻15号10312-10315頁
    共著者名:Z.S. Piao, M. Nakayama, H. Nishimura
  • Hydrostatic Pressure Effects on the Free and Self-Trapped Exciton States in CsI
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1996年
    出版社:Physical Review B
    巻/号、頁:54巻23号16579-16584頁
    共著者名:T. Tsujimoto, H. Nishimura, M. Nakayama
  • Electric-Field Effects on Above-Barrier States in a GaAs/Al┣D2x┫D2Ga┣D21-x┫D2As Superlattice
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1995年
    出版社:Physical Review B
    巻/号、頁:51巻7号4236-4242頁
    共著者名:M. Nakayama, M.Ando, I.Tanaka, H.Nishimura, H.Schneider et al.
  • Biexciton Formation in GaAs/AlAs Type-II Superlattices under Extremely Low Excitation Powers
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1995年
    出版社:Physical Review B
    巻/号、頁:51巻12号7870-7873頁
    共著者名:M. Nakayama, K. Suyama, H. Nishimura
  • Origin of the 4.1eV Luminescence in Pure CsI Scintillator
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1995年
    出版社:Physical Review B
    巻/号、頁:51巻4号2167-2172頁
    共著者名:H. Nishimura, M. Sakata, T. Tsujimoto, M. Nakayama
  • Photoreflectance Study of Folded Above-Barrier States in(InAs)┣D21┫D2/(GaAs)┣D2m┫D2 Strained-Layer Superlattices
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1995年
    出版社:Supperlattics and Microstructures
    巻/号、頁:17巻1号31-34頁
    共著者名:M. Nakayama, T. Fujita, H. Nishimura
  • Photoreflectance and Resonanat Raman Scattering of Above-Barrier Transitions in a GaAs/AlGaAs Superlattice
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1995年
    出版社:Japanese Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:34巻Suppl.34-1号80-82頁
    共著者名:M. Nakayama, R. Sugie, H. Ohta, S. Nakashima
  • Optical Properties of Low-Dimensional Materials
    種別:著書
    単著・共著別:共著
    出版年月:1995年
    出版社:World Scientific
    巻/号、頁:1-414頁
    共著者名:T. Ogawa, T. Nakayama, M. Nakayama, Y. Yamada, Y. Kanemitsu et al.
  • Pseudodirect Biexcitons in GaAs/AlAs Type-II Superlattices
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1995年
    出版社:IL Nuovo Cimento
    巻/号、頁:17D巻11-12号1629-1633頁
    共著者名:M. Nakayama, K. Suyama, H. Nishimura
  • Optical Properties of RbI Thin Films Grown from the Vapor Phase onto Alkali-Halide and Quartz Substrates
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1995年
    出版社:Journal of the Physical Society of Japan
    巻/号、頁:64巻9号3514-3521頁
    共著者名:H. Nishimura, T. Ohashi, S. Kawase,M. Nakayama
  • Γ-X Mixing Effects on Pseudodirect Excitons in GaAs/AlAs Type-II Superlattices
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1994年
    出版社:Physical Review B
    巻/号、頁:49巻19号13564-13570頁
    共著者名:M. Nakayama, K.Imazawa, K.Suyama, I.Tanaka, H.Nishimura
  • Coherent Oscillation of Zone-Folded Phonon Modes in GaAs/AlAs Superlattices
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1994年
    出版社:Physical Review Letters
    巻/号、頁:73巻5号740-743頁
    共著者名:A. Yamamoto, T. Mishina, Y. Masumoto, M. Nakayama
  • Effects of Hydrostatic Pressure on the Self-Trapped Exciton Luminescence in CsI
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1994年
    出版社:J. Luminescence
    巻/号、頁:60&61巻798-801頁
    共著者名:T. Tsujimoto, H. Nishimura, M. Nakayama, H. Kurisu, T. Komatsu
  • Spectral Changes of the Self-Trapped Exciton Luminescence in RbI under Hydrostatic Pressure
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1994年
    出版社:J. Luminescence
    巻/号、頁:62巻41-47頁
    共著者名:H. Nishimura, T. Tsujimoto, M. Nakayama, S. Morita, M. Kobayashi
  • Effects of Hydrostatic Pressure on the Self-Trapped Exciton Luminescence in KI
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1994年
    出版社:Journal of Physical Society of Japan
    巻/号、頁:63巻7号2818-2824頁
    共著者名:H. Nishimura, T. Tsujimoto, M. Nakayama, T. Horiguchi, M. Kobayashi
  • Electric-Field Dependence of Oscillator Strengths of Stark-Ladder Transitions in a GaAs/AlAs Superlattice
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1994年
    出版社:Solid State Communications
    巻/号、頁:92巻5号385-388頁
    共著者名:I. Tanaka, M. Nakayama, H. Nishimura, K. Kawashima, K. Fujiwara
  • Critical Electric Field for Stark-Landder Formation in a GaAs/AlAs Superlattice
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1993年
    出版社:Physical Review B
    巻/号、頁:48巻4号2787-2790頁
    共著者名:I. Tanaka, M. Nakayama, H. Nishimura, K. Kawashima, K. Fujiwara
  • Γ-X Mixing Effects on Photoluminescence Intensity in GaAs/AlAs Type-II Superlattices
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1993年
    出版社:Solid State Communications
    巻/号、頁:88巻1号43-46頁
    共著者名:M. Nakayama, K. Imazawa, I. Tanaka, H. Nishimura
  • Optical Properties of(InAs)┣D21┫D2/(GaAs)┣D2n┫D2 Strained-Layer Superlattices
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1993年
    出版社:Japanese Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:32巻Suppl.32-1号160頁
    共著者名:M. Nakayama, T. Fujita, I. Tanaka, H. Nishimura, H. Terauchi
  • Incident-Photon Energy Dependence of Raman Scattering Profiles by Folded Acoustic Phonons in GaAs/AlAs Superlattices
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1993年
    出版社:Physical Review B
    巻/号、頁:47巻15号9566-9571頁
    共著者名:H. Kushibe, M. Nakayama, M. Yokota
  • Hydrostatic Pressure Effects on Self-Trapped Exciton Luminescence in KI
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1993年
    出版社:Japanese Journal of AppliedPhysics
    巻/号、頁:32巻Suppl.32-1号160頁
    共著者名:H. Nishimura, T. Tsujimoto, M. Nakayama, H. Kurisu, T. Komatsu et al.
  • Electroreflectance and Transfer-Matrix Analysis of Stark-Ladder Transitions in a GaAs/AlAs Superlattice
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1992年
    出版社:Surface Science
    巻/号、頁:267巻537-540頁
    共著者名:M. Nakayama, I. Tanaka, H. Nishimura, K. Kawashima, K. Fujiwara
  • 半導体超格子のワニエ・シユタルク局在状態とその共鳴
    種別:解説
    単著・共著別:共著
    出版年月:1992年
    出版社:日本物理学会誌
    巻/号、頁:47巻5号391-395頁
    共著者名:中山正昭, 田中功, 藤原賢三
  • Electroreflectance Intensity for Resonant Coupling between Wannier-Stark Localization States in a GaAs/AlAs Superlattice
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1992年
    出版社:Physical Review B
    巻/号、頁:46巻12号7656-7661頁
    共著者名:I. Tanaka, M. Nakayama, H. Nishimura, K. Kawashiha, K. Fujiwara
  • Raman Spectra of GaAs/AlAs Superlattices with Fluctuation of Period under Off- and Near-Resonant Conditions
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1992年
    出版社:Surface Science
    巻/号、頁:267巻426-429頁
    共著者名:M. Hangyo, M. Mitsuhara, S. Nakashima, M. Nakayama
  • Hole-Subband-Order Reversal in GaAs/In┣D2x┫D2Al┣D21-x┫D2As Strained-Layer Superlattices Investigated by Photoreflectance Spectroscopy
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1992年
    出版社:Superlattices and Microstructures
    巻/号、頁:12巻3号333-336頁
    共著者名:M. Nakayama, T. Doguchi, I. Tanaka, H. Nishimura
  • Photoreflectance Study of Hole-Subband Structures in GaAs/In┣D2x┫D2Ga┣D21-x┫D2As Strained-Layer Superlattices
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1992年
    出版社:Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:72巻6号2372-2376頁
    共著者名:M. Nakayama, T. Doguchi, H. Nishimura
  • Electroreflectance Detection of Resonant Coupling between Wannier-Stark Localization States in a GaAs/AlAs Superlattice
    種別:論文
    単著・共著別:共著
    出版年月:1991年
    出版社:Physical Review B
    巻/号、頁:44巻11号5935-5938頁
    共著者名:M. Nakayama, I. Tanaka, H. Nishimura, K. Kawashima, K. Fujiwara
  • Γ-X Crossover in GaAs/AlAs Short-Period Superlattices under Pressure(共著)
    出版年月:1991年
    出版社:Semiconductor Science Technology
    巻/号、頁:6巻
  • High Sensitivity of Electroreflectance to Stark-Ladder Transitions in a GaAs/AlAs Superlattice(共著)
    出版年月:1991年
    出版社:Solid State Communications
    巻/号、頁:77/4巻
  • Photoluminescence Properties of GaAs/AlAs Short-Period Superlattices(共著)
    出版年月:1990年
    出版社:Japanese Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:29/1巻
  • Anisotropic Properties of Photoluminescence in a GaAs/AlAs Type-II Superlattice(共著)
    出版年月:1990年
    出版社:Solid State Communications
    巻/号、頁:76/2巻
  • Raman Scattering in Long-Period Superlattices of GaAs, AlAs, and Ga┣D20.5┫D2Al┣D20.5┫D2As Layers(共著)
    出版年月:1990年
    出版社:Physical Review B
    巻/号、頁:41/8巻
  • Interference Effects on Photoreflectance Line Shapes of Excitons in GaAs/AlAs Superlattices(共著)
    出版年月:1990年
    出版社:Japanese Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:29/10巻
  • Anisotropy of Quantum-Size Effects in (001)-and (111)-Oriented GaAs/Al┣D20.3┫D2Ga┣D20.7┫D2As Multiple Quantum Wells(共著)
    出版年月:1989年
    出版社:Solid State Communications
    巻/号、頁:71/12巻
  • The Atomic Diffusion Process in Al-Mn Superlattices Examined by Annealing Treatments(共著)
    出版年月:1989年
    出版社:Journal of Physics : Condensed Matter
    巻/号、頁:1巻
  • Raman Scattering by Interface-Phonon Polaritons in a GaAs/AlAs Heterostructures(共著)
    出版年月:1988年
    出版社:Physical Review B
    巻/号、頁:38/9巻
  • X-Ray Diffraction Patterns of Configurational Fibonacci Lattices(共著)
    出版年月:1988年
    出版社:Journal of the Physical Society of Japan
    巻/号、頁:57/7巻
  • Single Crystals of Al-Mn Superlattice Grown by Molecular-Beam Epitaxy(共著)
    出版年月:1988年
    出版社:Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:63/2巻
  • Folded Acoustic Phonos in (Al, Ga)As Quasiperiodic Superlattices(共著)
    出版年月:1987年
    出版社:Physical Review B
    巻/号、頁:36/6巻
  • Intersubband transitions in GaAs-Al┣D2x┫D2Ga┣D21-x┫D2As Modulation-Doped Superlattices(共著)
    出版年月:1987年
    出版社:Applied Physics Letters
    巻/号、頁:51/21巻
  • 半導体超格子のフオノン・ラマン散乱
    出版年月:1987年
    出版社:固体物理
    巻/号、頁:22/6巻
  • Finite-Size Effects on Raman Scattering from GaAs-AlAs Superlattices(共著)
    出版年月:1986年
    出版社:Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:60/9巻
  • X-Ray Study of Misfit-Strain Relaxation in Lattice-Mismatched Heterojunctions(共著)
    出版年月:1986年
    出版社:Applied Physics Letters
    巻/号、頁:49/17巻
  • Effects of Buffer Layers in GaAs-In┣D20.2┫D2Al┣D20.8┫D2As Starined-Layer Superlattices(共著)
    出版年月:1986年
    出版社:Applied Physics Letters
    巻/号、頁:48/4巻
  • Photoluminescence Study of In┣D2x┫D2Al┣D21-x┫D2As-GaAs Strained-Layer Superlattices(共著)
    出版年月:1986年
    出版社:Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:59/2巻
  • Single Crystals of Nb-Ta Superlattice Grown by Molecular-Beam Epitaxy(共著)
    出版年月:1986年
    出版社:Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:60/10巻
  • Temperature Dependence of Molecular-Beam Eqitaxial Growth Rates for In┣D2x┫D2Ga┣D21-x┫D2As and In┣D2x┫D2Al┣D21-x┫D2As(共著)
    出版年月:1986年
    出版社:Japanese Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:25/9巻
  • Raman Scattering from GaAs-AlAs Monolayer Controlled Superlattices(共著)
    出版年月:1985年
    出版社:Solid State Communications
    巻/号、頁:53/5巻
  • Raman Study of GaAs-In┣D2x┫D2Al┣D21-x┫D2As Strained-Layer Superlattices(共著)
    出版年月:1985年
    出版社:Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:58/11巻
  • Zone-Folding Effects on Phonons in GaAs-AlAs Superlattices(共著)
    出版年月:1985年
    出版社:Japanese Jpurnal of Applied Physics
    巻/号、頁:24/10巻
  • X-Ray Studies of Semiconductor Superlattices Grown by Molecular-Beam Epitaxy(共著)
    出版年月:1985年
    出版社:Journal of the Physical Society of Japan
    巻/号、頁:54/12巻
  • Mono-and Bi-layer Superlattices of GaAs and AlAs(共著)
    出版年月:1984年
    出版社:Japanese Journal of Applied Physics
    巻/号、頁:23/8巻
  • X-Ray Study on Impurity Diffusion in a GaAs-AlAs Superlattice(共著)
    出版年月:1984年
    出版社:Applied Physics Letters
    巻/号、頁:44/10巻
  • Rates of Structural Fluctuations of Lysozyme in the Range of Thermal Unfolding Transition(共著)
    出版年月:1981年
    出版社:Biopolymers
    巻/号、頁:20巻

研究費獲得実績

科研費補助金獲得実績

  • 研究課題名:銅ハライド系マイクロキャビティにおける励起子ポラリトン凝縮の制御
    研究種目:基盤研究(B)
    代表者区分:代表者
    申請年度:2014年
    研究期間:2015年04月~2018年03月
    獲得金額【直接経費】:
    1年目 5,500(千円)
    2年目 4,600(千円)
    3年目 3,000(千円)
    獲得金額【間接経費】:
    1年目 1,650(千円)
    2年目 1,380(千円)
    3年目 900(千円)
  • 研究課題名:コヒーレント縦光学フォノン-プラズモン結合モードによる周波数可変テラヘルツ波発生
    研究種目:挑戦的萌芽研究
    代表者区分:代表者
    申請年度:2014年
    研究期間:2015年04月~2017年03月
    獲得金額【直接経費】:
    1年目 2,000(千円)
    2年目 1,000(千円)
    獲得金額【間接経費】:
    1年目 600(千円)
    2年目 300(千円)
  • 研究課題名:半導体エピタキシャル構造の内部電場制御によるテラヘルツ電磁波発生の制御
    研究種目:挑戦的萌芽研究
    代表者区分:代表者
    申請年度:2011年
    研究期間:2012年04月~2014年03月
    獲得金額【直接経費】:
    1年目 1600(千円)
    2年目 1500(千円)
    獲得金額【間接経費】:
    1年目 480(千円)
    2年目 450(千円)
  • 研究課題名:マイクロ構造による励起子安定物質の光学応答制御
    研究種目:基盤研究(B)
    代表者区分:代表者
    申請年度:2009年
    研究期間:2010年04月~2013年03月
    獲得金額【直接経費】:
    1年目 4300(千円)
    2年目 6400(千円)
    3年目 3800(千円)
    獲得金額【間接経費】:
    1年目 1920(千円)
    2年目 1290(千円)
    3年目 1140(千円)
  • 研究課題名:半導体量子構造におけるテラヘルツ電磁波発生機構
    研究種目:基盤研究(B)
    代表者区分:代表者
    申請年度:2005年
    研究期間:2006年04月~2009年03月
    獲得金額【直接経費】:
    1年目 8700(千円)
    2年目 2800(千円)
    3年目 3500(千円)
    獲得金額【間接経費】:
    1年目 2610(千円)
    2年目 840(千円)
    3年目 1050(千円)
  • 研究課題名:超高効率量子もつれ光源および検出器の創成と量子もつれ回復プロトコルの研究
    研究種目:学術創成研究
    代表者区分:分担者
    申請年度:2004年
    研究期間:2005年~2009年
    獲得金額【直接経費】:
    1年目 25000(千円)
    2年目 30000(千円)
    3年目 30000(千円)
    4年目 30000(千円)
    5年目 10000(千円)
    獲得金額【間接経費】:
    1年目 0(千円)
    2年目 0(千円)
    3年目 0(千円)
    4年目 0(千円)
    5年目 0(千円)
  • 研究課題名:励起子量子ビートによるコヒーレントフォノンの制御
    研究種目:基盤研究(B)
    代表者区分:代表者
    申請年度:2002年
    研究期間:2003年04月~2006年03月
    獲得金額【直接経費】:
    1年目 10700(千円)
    2年目 3700(千円)
    3年目 1400(千円)
    獲得金額【間接経費】:
    1年目 0(千円)
    2年目 0(千円)
    3年目 0(千円)
  • 研究課題名:半導体超格子におけるサブバンド間共鳴による光励起キャリア分布の制御
    研究種目:基盤研究(C)
    代表者区分:代表者
    申請年度:1998年
    研究期間:1999年~2000年
    獲得金額【直接経費】:
    1年目 2100(千円)
    2年目 1300(千円)
    3年目 0(千円)
    4年目 0(千円)
    5年目 0(千円)
    6年目 0(千円)
    獲得金額【間接経費】:
    1年目 0(千円)
  • 研究課題名:GaAs/AlAsタイプ-II超格子における高密度励起状態に関する研究
    研究種目:基盤研究(C)
    代表者区分:代表者
    申請年度:1996年
    研究期間:1997年~1998年
    獲得金額【直接経費】:
    1年目 2300(千円)
    2年目 600(千円)
    3年目 0(千円)
    4年目 0(千円)
    5年目 0(千円)
    6年目 0(千円)
    獲得金額【間接経費】:
    1年目 0(千円)
    2年目 0(千円)
    3年目 0(千円)
    4年目 0(千円)
    5年目 0(千円)
    6年目 0(千円)
  • 研究課題名:変調反射分光法による半導体超格子のミニバンド構造に関する研究
    研究種目:基盤研究(C)
    代表者区分:代表者
    申請年度:1994年
    研究期間:1995年~1996年
    獲得金額【直接経費】:
    1年目 1800(千円)
    2年目 400(千円)
    3年目 0(千円)
    4年目 0(千円)
    5年目 0(千円)
    6年目 0(千円)
    獲得金額【間接経費】:
    1年目 0(千円)
  • 研究課題名:GaAs/AlAsタイプ-II超格子における準直接遷移型励起子に関する研究
    研究種目:一般研究(C)
    代表者区分:代表者
    申請年度:1992年
    研究期間:1993年~1994年
    獲得金額【直接経費】:
    1年目 1900(千円)
    2年目 300(千円)
    3年目 0(千円)
    4年目 0(千円)
    獲得金額【間接経費】:
    1年目 0(千円)

その他研究資金獲得実績

  • 名称:奨励寄付金
    研究課題名:化合物半導体薄膜太陽電池の分光学的評価
    代表者区分:代表者
    研究期間:2014年10月~2015年09月
    形態:教育研究奨励寄附
    資金区分:民間企業・財団等
    獲得金額【直接経費】:
    1年目 900(千円)
    獲得金額【間接経費】:
    1年目 100(千円)
  • 名称:奨励寄付金
    研究課題名:化合物半導体薄膜太陽電池の分光学的評価
    代表者区分:代表者
    研究期間:2013年11月~2014年10月
    形態:教育研究奨励寄附
    資金区分:民間企業・財団等
    獲得金額【直接経費】:
    1年目 900(千円)
    獲得金額【間接経費】:
    1年目 100(千円)
  • 名称:奨励寄付金
    研究課題名:ヘテロ接合半導体光物性の研究
    代表者区分:代表者
    研究期間:2012年09月~2013年03月
    形態:教育研究奨励寄附
    資金区分:民間企業・財団等
    獲得金額【直接経費】:
    1年目 450(千円)
    獲得金額【間接経費】:
    1年目 50(千円)
  • 名称:奨励寄付金
    研究課題名:化合物半導体薄膜太陽電池の分光学的
    代表者区分:代表者
    研究期間:2011年04月~2012年03月
    形態:教育研究奨励寄附
    資金区分:民間企業・財団等
    獲得金額【直接経費】:
    1年目 900(千円)
    獲得金額【間接経費】:
    1年目 100(千円)
  • 名称:奨励寄付金
    研究課題名:ヘテロ接合半導体光物性の研究
    代表者区分:代表者
    研究期間:2011年04月~2012年03月
    形態:教育研究奨励寄附
    資金区分:民間企業・財団等
    獲得金額【直接経費】:
    1年目 900(千円)
    獲得金額【間接経費】:
    1年目 100(千円)
  • 名称:奨励寄付金
    研究課題名:化合物半導体薄膜太陽電池の分光学評価
    代表者区分:代表者
    研究期間:2010年04月~2011年04月
    形態:教育研究奨励寄附
    資金区分:民間企業・財団等
    獲得金額【直接経費】:
    1年目 900(千円)
    獲得金額【間接経費】:
    1年目 100(千円)
  • 名称:奨励寄付金
    研究課題名:ヘテロ接合半導体光物性の研究
    代表者区分:代表者
    研究期間:2010年04月~2011年03月
    形態:教育研究奨励寄附
    資金区分:民間企業・財団等
    獲得金額【直接経費】:
    1年目 900(千円)
    獲得金額【間接経費】:
    1年目 100(千円)
  • 名称:奨励寄付金
    研究課題名:ヘテロ接合半導体光物性の研究
    代表者区分:代表者
    研究期間:2009年04月~2010年03月
    形態:教育研究奨励寄附
    資金区分:民間企業・財団等
    獲得金額【直接経費】:
    1年目 1000(千円)
    獲得金額【間接経費】:
    1年目 0(千円)
  • 名称:奨励寄付金
    研究課題名:ヘテロ接合半導体光物性の研究
    代表者区分:代表者
    研究期間:2008年04月~2009年04月
    形態:教育研究奨励寄附
    資金区分:民間企業・財団等
    獲得金額【直接経費】:
    1年目 500(千円)
    獲得金額【間接経費】:
    1年目 0(千円)

学会活動

所属学会

  • 学会名:応用物理学会
    2001年~2006年 関西支部評議員
    1994年~1995年 学会誌編集委員
  • 学会名:日本物理学会
    2009年10月~2010年09月 領域5副代表
    2010年10月~2011年09月 領域5代表
  • 学会名:米国物理学会
  • 学会名:英国物理学会
    2004年~ フェロー

学会等における発表

  • i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル構造におけるコヒーレントLOフォノン-プラズモン結合モードからのテラヘルツ電磁波放射の減衰過程
    発表年月:2017年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • ZnO薄膜における励起子-励起子散乱発光のポラリトン的空間伝播
    発表年月:2017年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • ベイズ推定によるGaAs/AlAsタイプⅡ超格子の発光スペクトル解析
    発表年月:2017年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • アンドープGaAs/n型GaAsエピ構造における縦光学フォノン・プラズモン結合モードの時間領域テラヘルツ分光とラマン散乱分光
    発表年月:2017年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • GaAsエピタキシャル構造におけるテラヘルツ電磁波放射の励起光エネルギー依存性
    発表年月:2017年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • GaAs/AlAs多重量子井戸構造における励起子-電子散乱発光のポラリトン伝播特性
    発表年月:2017年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • GaAs/AlAs多重量子井戸構造における励起子-励起子散乱発光のポラリトン伝播特性
    発表年月:2016年12月
    発表会議名:第27回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • ZnO薄膜における励起子-励起子散乱発光の空間分解分光
    発表年月:2016年12月
    発表会議名:第27回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル構造におけるコヒーレントLOフォノン-プラズモン結合モードからのテラヘルツ電磁波放射の減衰ダイナミクス
    発表年月:2016年12月
    発表会議名:第27回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • GaAs/AlAsタイプⅡ超格子での定常発光スペクトルのベイズ解析
    発表年月:2016年12月
    発表会議名:第27回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • GaAs/AlAs多重量子井戸構造における励起子非弾性散乱による発光特性
    発表年月:2016年12月
    発表会議名:第27回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • β-Ga2O3単結晶における自己束縛励起子発光ダイナミクスの初期過程
    発表年月:2016年12月
    発表会議名:第27回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • CuBrマイクロキャビティにおける励起子ポラリトン凝縮体の分散関係
    発表年月:2016年12月
    発表会議名:第27回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • CuBrマイクロキャビティにおけるポラリトン凝縮体の拡散性GoldstoneモードIII
    発表年月:2016年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • β-Ga2O3単結晶における自己束縛励起子発光ダイナミクス
    発表年月:2016年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • GaAs/AlAs多重量子井戸構造における励起子-励起子散乱発光のダイナミクスと空間プロファイルの相関II
    発表年月:2016年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • GaAs/AlAs多重量子井戸構造における励起子非弾性散乱による発光特性
    発表年月:2016年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • i-GaAs/n-GaAsとi-GaAs/p-GaAsエピタキシャル構造におけるテラヘルツ電磁波放射特性の対比
    発表年月:2016年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • β-Ga2O3単結晶の発光ダイナミクスの初期過程
    発表年月:2016年07月
    発表会議名:第19回固体の励起状態の動的過程に関する国際会議
    学会発表区分:フランス
  • ノンドープGaAs/n型GaAsエピタキシャル構造におけるLOフォノン-プラズモン結合モードの減衰過程におけるコヒーレントLOフォノンの出現
    発表年月:2016年07月
    発表会議名:第19回固体の励起状態の動的過程に関する国際会議
    学会発表区分:フランス
  • CuBrマイクロキャビティにおける発光ダイナミクスに対するポラリトン凝縮の効果
    発表年月:2016年07月
    発表会議名:第19回固体の励起状態の動的過程に関する国際会議
    学会発表区分:フランス
  • GaAs/AlAs多重量子井戸構造における励起子-励起子散乱による発光のポラリトン的伝播
    発表年月:2016年07月
    発表会議名:第19回固体の励起状態の動的過程に関する国際会議
    学会発表区分:フランス
  • ZnO薄膜の発光スペクトルにおける励起子 光コヒーレント結合効果の可能性
    発表年月:2016年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • GaAs/AlAs多重量子井戸構造における励起子 励起子散乱発光のダイナミクスと空間プロファイルの相関
    発表年月:2016年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • 励起光エネルギーチューニングによるGaAs多層膜中の電子輸送過程の遷移
    発表年月:2016年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • CuBrマイクロキャビティにおけるポラリトン凝縮体の拡散性GoldstoneモードII
    発表年月:2016年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • PbI2マイクロキャビティにおける励起子ポラリトン特性
    発表年月:2016年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • CuCl薄膜中の励起子分子のエネルギー緩和時間の膜厚依存性
    発表年月:2016年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル構造におけるコヒーレントLOフォノン プラズモン結合モードからのテラヘルツ電磁波発生ダイナミクスII
    発表年月:2016年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • β-Ga2O3単結晶における自己束縛励起子の安定性評価
    発表年月:2015年12月
    発表会議名:第26回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル構造におけるコヒーレントLOフォノン-プラズモン結合モードからのテラヘルツ電磁波発生ダイナミクス
    発表年月:2015年12月
    発表会議名:第26回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • GaAs/AlAs多重量子井戸構造における励起子-電子非弾性散乱による発光特性
    発表年月:2015年12月
    発表会議名:第26回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • (114)GaAs/AlGaAs単一量子井戸構造における自由励起子発光の立ち上がり時間に対する励起子-音響フォノン散乱効果
    発表年月:2015年12月
    発表会議名:第26回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • GaAs/AlAsタイプⅡ超格子における電子・正孔プラズマから電子・正孔液滴への動的転移
    発表年月:2015年12月
    発表会議名:第26回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • CuBrマイクロキャビティにおけるポラリトン凝縮状態でのポラリトン分散関係
    発表年月:2015年12月
    発表会議名:第26回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • PbI2マイクロキャビティにおけるポラリトン光学特性
    発表年月:2015年12月
    発表会議名:第26回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • GaAs/AlAsタイプII超格子における電子・正孔プラズマから電子・正孔液滴への転移ダイナミクスII
    発表年月:2015年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • β-Ga2O3結晶における自己束縛励起子の安定性
    発表年月:2015年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • CuBr微小共振器におけるポラリトン凝縮状態の拡散型Goldstoneモード
    発表年月:2015年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • GaAs/AlAs多重量子井戸構造における励起子-電子散乱発光特性
    発表年月:2015年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • (114)GaAs/Al0.3Ga0.7As量子井戸構造の発光ダイナミクスに対する励起子 音響フォノン相互作用の効果
    発表年月:2015年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル構造におけるコヒーレントLOフォノン-プラズモン結合モードからのテラヘルツ電磁波発生ダイナミクス
    発表年月:2015年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル構造における縦光学フォノンのラマン散乱とテラヘルツ分光特性
    発表年月:2015年08月
    発表会議名:第40回赤外、ミリ波、及び、テラヘルツ波に関する国際会議
    学会発表区分:中華人民共和国
  • ノンドープGaAs/n型GaAsエピタキシャル構造におけるコヒーレント縦光学フォノン-プラズモン結合モードからのテラヘルツ電磁波放射の動的特性
    発表年月:2015年08月
    発表会議名:第40回赤外、ミリ波、及び、テラヘルツ波に関する国際会議
    学会発表区分:中華人民共和国
  • CuBrマイクロキャビティにおける凝縮状態におけるポラリトン分散関係
    発表年月:2015年05月
    発表会議名:第11回凝縮系とナノ物質における励起子と光学過程に関する国際会議
    学会発表区分:カナダ
  • β-Ga2O3単結晶における自己束縛励起子形成の実証
    発表年月:2015年05月
    発表会議名:第11回凝縮系とナノ物質における励起子と光学過程に関する国際会議
    学会発表区分:カナダ
  • GaAs/AlAsタイプ-II超格子における電子・正孔液滴形成の発光特性
    発表年月:2015年05月
    発表会議名:第11回凝縮系とナノ物質における励起子と光学過程に関する国際会議
    学会発表区分:カナダ
  • GaAs/AlAs多重量子井戸構造における励起子-電子散乱からの発光
    発表年月:2015年05月
    発表会議名:第11回凝縮系とナノ物質における励起子と光学過程に関する国際会議
    学会発表区分:カナダ
  • Eu添加GaNエピタキシャル薄膜における発光励起スペクトルの特異性
    発表年月:2015年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • GaAs/Al0.3Ga0.7As量子井戸構造の発光ダイナミクスに対する励起子 音響フォノン相互作用の効果II
    発表年月:2015年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • コロイド法により作製したCdTe及びCdTe/CdSナノ粒子の光学特性の温度依存性
    発表年月:2015年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • GaAs/AlAsタイプII超格子における電子・正孔プラズマから電子・正孔液滴への転移ダイナミクス
    発表年月:2015年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • ZnO薄膜における励起子間散乱から発光に至るまでのダイナミクス
    発表年月:2015年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • 共鳴準位より低いエネルギーに散乱された励起子は速やかにポラリトンになるのか?
    発表年月:2015年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • ZnO薄膜における光波-分極波長距離結合による超高速輻射緩和
    発表年月:2015年03月
    発表会議名:応用物理学会
    学会発表区分:国内
  • GaAs エピタキシャル構造中のキャリア輸送を利用した超高速光応答の制御
    発表年月:2015年03月
    発表会議名:応用物理学会
    学会発表区分:国内
  • 強相関系強誘電体YMnO3薄膜の光吸収および発光特性と それらの光誘起電流との相関
    発表年月:2015年03月
    発表会議名:応用物理学会
    学会発表区分:国内
  • 強相関系強誘電体YMnO3薄膜の光誘起電流と分極反転の相関
    発表年月:2015年03月
    発表会議名:応用物理学会
    学会発表区分:国内
  • CuCl薄膜における励起子分子のエネルギー緩和時間と位相緩和時間の膜厚依存性
    発表年月:2014年12月
    発表会議名:第25回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • Eu添加GaNエピタキシャル薄膜における発光励起スペクトルの特異性
    発表年月:2014年12月
    発表会議名:第25回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • GaAs/AlAsタイプII超格子における電子・正孔液滴の形成
    発表年月:2014年12月
    発表会議名:第25回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • ZnO薄膜における光-励起子結合効果による超高速非線形応答の観測
    発表年月:2014年12月
    発表会議名:第25回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • GaAs/Al0.3Ga0.7As単一量子井戸構造における自由励起子発光の立ち上がり時間に対する励起子-音響フォノン散乱効果
    発表年月:2014年12月
    発表会議名:第25回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • アンドープGaAs/n型GaAsエピタキシャル構造における非平衡キャリア輸送のポンプ・プローブ分光
    発表年月:2014年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • 偏光変調反射分光法による酸化亜鉛微小共振器中のポラリトン状態の観測 II
    発表年月:2014年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • GaN:Eu結晶薄膜におけるEu3+発光に対する励起子解離効果
    発表年月:2014年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • コロイド法により作製したCdTeナノ粒子の光学特性の温度依存性
    発表年月:2014年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • ZnO薄膜における光ー励起子コヒーレント結合の観測
    発表年月:2014年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • CuBrマイクロキャビティにおけるポラリトン凝縮と発光特性
    発表年月:2014年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • CuCl微小共振器における励起子分子の輻射緩和:Z12励起子の影響
    発表年月:2014年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • GaAs/AlAsタイプII超格子における電子・正孔液滴発光の観測
    発表年月:2014年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • GaAs/Al0.3Ga0.7As量子井戸構造の発光ダイナミクスに対する励起子 音響フォノン相互作用の効果
    発表年月:2014年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • CuBrマイクロキャビティにおける発光特性に対するポラリトン凝縮効果
    発表年月:2014年07月
    発表会議名:第6回光、光エレクトロニクス、フォトニクス材料と応用に関する国際会議
    学会発表区分:英国
  • CdSe自己組織化単層膜の発光特性に対する表面改質効果
    発表年月:2014年07月
    発表会議名:第6回光、光エレクトロニクス、フォトニクス材料と応用に関する国際会議
    学会発表区分:英国
  • GaAs/AlAsタイプII超格子における電子正孔液滴の発光観測
    発表年月:2014年07月
    発表会議名:第6回光、光エレクトロニクス、フォトニクス材料と応用に関する国際会議
    学会発表区分:英国
  • Layer-by-layer法により作製したCdTeナノ粒子層状構造の光学特性II
    発表年月:2014年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • アンドープGaAs/n-type GaAsエピタキシャル構造における縦光学フォノンのRaman散乱分光とテラヘルツ電磁波発生
    発表年月:2014年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • GaAsダイオード構造におけるコヒーレントLOフォノンからのテラヘルツ電磁波発生の電圧制御
    発表年月:2014年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • アンドープGaAs/n型GaAsエピタキシャル構造における光励起キャリアの輸送機構
    発表年月:2014年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • ZnO薄膜における励起子・励起子散乱発光ダイナミクスの膜厚依存性
    発表年月:2014年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • 偏光変調反射分光法による酸化亜鉛微小共振器中のポラリトン状態の観測
    発表年月:2014年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • CuCl微小共振器における四光波混合スペクトルの偏光依存性
    発表年月:2014年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • CuCl微小共振器における励起子分子の輻射緩和
    発表年月:2014年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • GaAs/AlAs多重量子井戸構造における励起子 励起子散乱発光ダイナミクスのポラリトン特性
    発表年月:2014年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • CuCl薄膜における励起子分子の位相緩和時間の膜厚依存性
    発表年月:2013年12月
    発表会議名:第24回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • CdTeナノ粒子層状構造の作製とその光学特性
    発表年月:2013年12月
    発表会議名:第24回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • Layer-by-layer法によるChTeナノ粒子層状構造の作製とその光学特性
    発表年月:2013年12月
    発表会議名:第24回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • CuBrマイクロキャビティの発光特性に対するポラリトン凝縮の影響
    発表年月:2013年12月
    発表会議名:第24回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • ZnOマイクロキャビティにおけるラビ分裂エネルギーに対する光子場形状の効果
    発表年月:2013年12月
    発表会議名:第24回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル構造におけるコヒーレントLOフォノンからのテラヘルツ電磁波に対する内部電場の効果
    発表年月:2013年12月
    発表会議名:第24回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • GaAs/AlAs多重量子井戸構造における励起子分子から電子・正孔プラズマへのモット転移
    発表年月:2013年12月
    発表会議名:第24回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • 強励起条件下におけるワイドギャップ半導体励起子のコヒーレントダイナミクス
    発表年月:2013年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル構造における光励起キャリアの非平衡輸送と超高速光応答
    発表年月:2013年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル構造におけるコヒーレントLOフォノンからのテラヘルツ電磁波の増強機構
    発表年月:2013年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • 水熱合成法によるCdTe及びCdTe/CdSナノ粒子の作製と光学特性
    発表年月:2013年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • 偏光変調反射分光法を用いた共振器ポラリトン状態の精密分光
    発表年月:2013年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • CuCl薄膜における励起子分子の位相緩和時間の膜厚依存性
    発表年月:2013年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • Layer-by-layer法により作製したCdTeナノ粒子層状構造の光学特性
    発表年月:2013年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • GaAs/AlAs多重量子井戸構造における励起子-励起子散乱の発光ダイナミクス
    発表年月:2013年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • ZnOマイクロキャビティにおけるラビ分裂エネルギーに対する光子場形状の効果
    発表年月:2013年07月
    発表会議名:第4回先端分光と光機能性材料に関する国際ワークショップ
    学会発表区分:ポーランド
  • GaAs/AlAs多重量子井戸構造における励起子分子に起因するモット転移
    発表年月:2013年07月
    発表会議名:第4回先端分光と光機能性物質に関する国際ワークショップ
    学会発表区分:ポーランド
  • 多重量子井戸構造におけるコヒーレント縦型光学フォンからのテラヘルツ電磁波放射
    発表年月:2013年06月
    発表会議名:マテリアル研究に関する共同会議2013
    学会発表区分:大韓民国
  • (11n)面方位GaAs/InAlAs歪み多重量子井戸におけるコヒーレントLOフォノンからの高強度THz電磁波発生Ⅱ
    発表年月:2013年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • ZnO薄膜における励起子―励起子散乱発光の時間分解発光特性
    発表年月:2013年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • CuClマイクロキャビティにおけるラビ分裂エネルギーに対する光子場形状の効果
    発表年月:2013年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • 半導体―金属ナノ粒子層状構造の作製とその光学特性Ⅱ
    発表年月:2013年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • アンドープGaAs/n型GaAsエピタキシャル層構造におけるキャリア輸送過程に起因した超高速光応答Ⅱ
    発表年月:2013年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • GaAs/AlAs多重量子井戸構造における励起子分子から電子・正孔プラズマへの転移
    発表年月:2013年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • CuBrマイクロキャビティにおけるラビ分裂エネルギーの制御
    発表年月:2012年12月
    発表会議名:第23回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • CuClマイクロキャビティにおけるラビ分裂エネルギーに対する光子場形状の効果
    発表年月:2012年12月
    発表会議名:第23回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • GaAs/AlAsタイプⅡ超格子におけるΓ-X共鳴条件での発光ダイナミクス
    発表年月:2012年12月
    発表会議名:第23回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • (11n)面方位GaAs/InAlAs歪み多重量子井戸におけるコヒーレントLOフォノンからのテラヘルツ電磁波発生の励起強度依存性
    発表年月:2012年12月
    発表会議名:第23回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • GaSb/GaAsエピタキシャル構造において同時観測されたGaAsとGaSbのコヒーレントLOフォノンダイナミクスのテラヘルツ分光
    発表年月:2012年12月
    発表会議名:第23回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • Layer-by-Layer法により作製した半導体-金属ナノ粒子層構造の光学特性
    発表年月:2012年12月
    発表会議名:第23回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • コロイド法によるCdTeナノ粒子の作製とその光学特性
    発表年月:2012年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • 半導体-金属ナノ粒子層状構造の作製とその光学特性
    発表年月:2012年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • GaSb/GaAsエピタキシャル構造におけるコヒーレントLOフォノン緩和過程のテラヘルツ分光
    発表年月:2012年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • CuBrマイクロキャビティにおけるポラリトンレーザー発振
    発表年月:2012年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • CuCl微小共振器中励起子分子のエネルギー緩和
    発表年月:2012年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • CuBrマイクロキャビティにおけるラビ分裂エネルギーの制御
    発表年月:2012年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • GaAs/AlAsタイプII超格子におけるΓ-X共鳴条件での発光ダイナミクス
    発表年月:2012年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • アンドープGaAs/n型GaAsエピタキシャル層構造におけるキャリア輸送過程に起因した超高速光応答
    発表年月:2012年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • ZnO薄膜における励起子-励起子散乱による発光減衰プロファイルの膜厚依存性
    発表年月:2012年07月
    発表会議名:第10回凝縮系物質、ナノ構造物質、分子性物質の励起子過程に関する国際会議
    学会発表区分:オランダ
  • コロイド法で作製したZnSe量子ドットの吸収と発光特性
    発表年月:2012年07月
    発表会議名:第10回凝縮系物質、ナノ構造物質、分子性物質の励起子過程に関する国際会議
    学会発表区分:オランダ
  • CuClマイクロキャビティにおけるラビ分裂エネルギーに対する光子場形状の効果
    発表年月:2012年07月
    発表会議名:第10回凝縮系物質、ナノ構造物質、分子性物質の励起子過程に関する国際会議
    学会発表区分:オランダ
  • CuBrマイクロキャビティにおける励起子ポラリトンの特性
    発表年月:2012年07月
    発表会議名:第10回凝縮系物質、ナノ構造物質、分子性物質の励起子過程に関する国際会議
    学会発表区分:オランダ
  • GaAs/AlAs超格子に埋め込まれたGaAs単一量子井戸における波動関数結合による励起子量子ビートの変調
    発表年月:2012年07月
    発表会議名:第10回凝縮系物質、ナノ構造物質、分子性物質の励起子過程に関する国際会議
    学会発表区分:オランダ
  • CuIマイクロキャビティにおける励起子ポラリトンのラビ分裂エネルギーの制御
    発表年月:2012年07月
    発表会議名:第10回凝縮系物質、ナノ構造物質、分子性物質の励起子過程に関する国際会議
    学会発表区分:オランダ
  • GaAs/AlGaAs超格子におけるフランツ・ケルディッシュ振動領域での量子ビートⅡ
    発表年月:2012年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • GaAs/AlAs超格子における重い正孔励起子共鳴励起条件でのミニブリルアンゾーン端励起子の発光ダイナミクス
    発表年月:2012年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル構造における縦光学フォノン・プラズモン結合モードによるテラヘルツ電磁波
    発表年月:2012年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • CuBrマイクロキャビティにおけるポラリトン発光特性
    発表年月:2012年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • 時間分解2光子偏光分光法によるCuCl薄膜及び微小共振器中励起子分子寿命の評価
    発表年月:2012年03月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • CuBrマイクロキャビティの作製とその光学特性
    発表年月:2011年12月
    発表会議名:第22回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • コロイド法により作製した半導体ナノ粒子間のエネルギー移動とその温度特性
    発表年月:2011年12月
    発表会議名:第22回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • GaAs/AlAs超格子におけるミニバンド換算有効質量の電場強度依存性Ⅱ
    発表年月:2011年12月
    発表会議名:第22回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • (11n)面方位GaAs/InAlAs歪み多重量子井戸におけるコヒーレント縦光学フォノンからの高強度テラヘルツ電磁波発生
    発表年月:2011年12月
    発表会議名:第22回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • GaSb/GaAsエピタキシャル構造の遮光されたGaAs緩衝層におけるコヒーレント縦光学フォノンからのテラヘルツ分光
    発表年月:2011年12月
    発表会議名:第22回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • GaAs/AlAs超格子におけるフランツ・ケルディッシュ振動領域での量子ビート
    発表年月:2011年12月
    発表会議名:第22回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • コロイド法によるZnSeナノ粒子の作製とその光学特性
    発表年月:2011年12月
    発表会議名:第22回光物性研究会
    学会発表区分:国内
  • CuCl微小共振器中における励起子分子?光子結合状態Ⅱ
    発表年月:2011年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • CuBrマイクロキャビティの作製とその光学特性
    発表年月:2011年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • コロイド法により作製した半導体ナノ粒子間のエネルギー移動とその温度依存性
    発表年月:2011年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • GaAs/AlGaAs超格子におけるフランツ・ケルディッシュ振動領域での量子ビート
    発表年月:2011年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • GaAs/AlAs超格子におけるワニエ・シュタルク局在過程でのフランツ・ケルディッシュ振動Ⅱ
    発表年月:2011年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • (11n)面方位GaAs/InAlAs歪み多重量子井戸におけるコヒーレントLOフォノンからのTHz電磁波発生
    発表年月:2011年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • GaSb/GaAsエピタキシャル構造における遮光されたGaAs緩衝層のコヒーレント縦光学フォノンからのテラヘルツ電磁波発生
    発表年月:2011年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • ZnO薄膜における電子・正孔プラズマ発光から励起子・励起子散乱発光への動的変遷過程
    発表年月:2011年09月
    発表会議名:日本物理学会
    学会発表区分:国内
  • ZnOマイクロキャビティにおけるラビ分裂エネルギーに対する活性層厚の効果
    発表年月:2011年08月
    発表会議名:第15回Ⅱ-Ⅵ族化合物半導体国際会議
    学会発表区分:メキシコ
  • GaSbトップ層によって光学的に遮られたGaAsバッファー層におけるコヒーレント縦光学フォノンのテラヘルツ分光法による検出
    発表年月:2011年08月
    発表会議名:第15回ナローギャップ系国際会議
    学会発表区分:米国
  • i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル構造からのテラヘルツ電磁波の時間発展の時間分割フーリエ変換法による解析
    発表年月:2011年07月
    発表会議名:第16回ルミネッセンスと凝縮系物質の分光に関する国際会議
    学会発表区分:米国
  • HfO2/SiO2分布ブラッグ反射鏡型CuClマイクロキャビティにおけるラビ分裂エネルギーの制御
    発表年月:2011年07月
    発表会議名:第16回ルミネッセンスと凝縮系物質の分光に関する国際会議
    学会発表区分:米国

学会誌等の編集・審査

  • 米国物理学会Phys. Rev. B誌、Phys. Rev. Lett.誌、英国物理学会J. Phys: Condensed Matter誌、日本物理学会J. Phys. Soc. Jpn誌、日本応用物理学会Appl. Phys. Express誌の論文審査 計15件

教育活動

担当教育の概要

  • 1.半導体工学Ⅰ(学部):半導体の基礎物性(バンド構造、状態密度とキャリア分布、ドーピングとp型、n型半導体の制御)、伝導現象(ドリフト運動と拡散現象)、p-n接合の物理と機能に関する講義を行う。 2. 半導体工学Ⅱ(学部):半導体工学Ⅰの講義内容をベースとして、金属/半導体接合、金属/酸化物/半導体接合、半導体へテロ接合の物理と機能に関する講義を行う。 3. 半導体物理学特論(院):半導体ナノ構造 (主に半導体量子井戸と超格子)のバンド構造と励起子状態に対する量子効果の物理、光学遷移の量子論、半導体ナノ構造特有の機能に関する講義を行う。

担当講義

  • 担当年度:2016年
    授業科目名:半導体工学Ⅰ
    講義区分:専門
  • 担当年度:2016年
    授業科目名:半導体工学Ⅱ
    講義区分:専門
  • 担当年度:2016年
    授業科目名:電子物理工学概論
    講義区分:専門
  • 担当年度:2016年
    授業科目名:技術と環境
    講義区分:共通
  • 担当年度:2016年
    授業科目名:電子物理工学関係外書講読
    講義区分:専門
  • 担当年度:2016年
    授業科目名:半導体物理学特論
    講義区分:大学院
  • 担当年度:2016年
    授業科目名:特別演習(光物性工学Ⅰ)
    講義区分:大学院
  • 担当年度:2016年
    授業科目名:特別演習(光物性工学Ⅱ)
    講義区分:大学院
  • 担当年度:2016年
    授業科目名:前期特別研究
    講義区分:大学院
  • 担当年度:2016年
    授業科目名:後期特別研究
    講義区分:大学院
  • 担当年度:2015年
    授業科目名:半導体工学Ⅰ
    講義区分:専門
  • 担当年度:2015年
    授業科目名:半導体工学Ⅱ
    講義区分:専門
  • 担当年度:2015年
    授業科目名:電子・物理工学概論
    講義区分:専門
  • 担当年度:2015年
    授業科目名:電子物理工学関係外書講読
    講義区分:専門
  • 担当年度:2015年
    授業科目名:半導体物理学特論
    講義区分:大学院
  • 担当年度:2015年
    授業科目名:特別演習(光物性工学Ⅰ)
    講義区分:大学院
  • 担当年度:2015年
    授業科目名:特別演習(光物性工学Ⅱ)
    講義区分:大学院
  • 担当年度:2015年
    授業科目名:前期特別研究
    講義区分:大学院
  • 担当年度:2015年
    授業科目名:後期特別研究
    講義区分:大学院
  • 担当年度:2014年
    授業科目名:半導体工学Ⅰ
    講義区分:専門
  • 担当年度:2014年
    授業科目名:半導体工学Ⅱ
    講義区分:専門
  • 担当年度:2014年
    授業科目名:量子エレクトロニクス
    講義区分:専門
  • 担当年度:2014年
    授業科目名:電子・物理工学概論
    講義区分:専門
  • 担当年度:2014年
    授業科目名:電子物理工学関係外書講読
    講義区分:専門
  • 担当年度:2014年
    授業科目名:半導体物理学特論
    講義区分:大学院
  • 担当年度:2014年
    授業科目名:特別演習(光物性工学Ⅰ)
    講義区分:大学院
  • 担当年度:2014年
    授業科目名:特別演習(光物性工学Ⅱ)
    講義区分:大学院
  • 担当年度:2014年
    授業科目名:前期特別研究
    講義区分:大学院
  • 担当年度:2014年
    授業科目名:後期特別研究
    講義区分:大学院
  • 担当年度:2013年
    授業科目名:技術と生命
    講義区分:共通
  • 担当年度:2013年
    授業科目名:半導体工学Ⅰ
    講義区分:専門
  • 担当年度:2013年
    授業科目名:半導体工学Ⅱ
    講義区分:専門
  • 担当年度:2013年
    授業科目名:電子・物理工学概論
    講義区分:専門
  • 担当年度:2013年
    授業科目名:電子物理工学関係外書講読
    講義区分:専門
  • 担当年度:2013年
    授業科目名:半導体物理学特論
    講義区分:大学院
  • 担当年度:2013年
    授業科目名:特別演習(光物性工学Ⅰ)
    講義区分:大学院
  • 担当年度:2013年
    授業科目名:特別演習(光物性工学Ⅱ)
    講義区分:大学院
  • 担当年度:2013年
    授業科目名:特別演習(電子・物理工学Ⅰ)
    講義区分:大学院
  • 担当年度:2012年
    授業科目名:半導体工学Ⅰ
    講義区分:専門
  • 担当年度:2012年
    授業科目名:半導体工学Ⅱ
    講義区分:専門
  • 担当年度:2012年
    授業科目名:量子エレクトロニクス
    講義区分:専門
  • 担当年度:2012年
    授業科目名:電子・物理工学概論
    講義区分:専門
  • 担当年度:2012年
    授業科目名:外書講読
    講義区分:専門
  • 担当年度:2012年
    授業科目名:半導体物理学特論
    講義区分:大学院
  • 担当年度:2012年
    授業科目名:特別演習(光物性工学Ⅰ)
    講義区分:大学院
  • 担当年度:2012年
    授業科目名:特別演習(光物性工学Ⅱ)
    講義区分:大学院
  • 担当年度:2012年
    授業科目名:特別演習(応用物理学Ⅰ)
    講義区分:大学院
  • 担当年度:2011年
    授業科目名:半導体工学Ⅰ
    講義区分:専門
  • 担当年度:2011年
    授業科目名:半導体工学Ⅱ
    講義区分:専門
  • 担当年度:2011年
    授業科目名:電子・物理工学概論
    講義区分:専門
  • 担当年度:2011年
    授業科目名:外書講読
    講義区分:専門
  • 担当年度:2011年
    授業科目名:半導体物理学特論
    講義区分:大学院
  • 担当年度:2011年
    授業科目名:特別演習(光物性工学Ⅰ)
    講義区分:大学院
  • 担当年度:2011年
    授業科目名:特別演習(光物性工学Ⅱ)
    講義区分:大学院
  • 担当年度:2011年
    授業科目名:特別演習(応用物理学Ⅰ)
    講義区分:大学院

教育活動実績

  • 担当年度:2010
    博士課程学生指導数【前期:6人】
    博士課程学生指導数【後期:2人】
    修士論文審査数【主査:4】
    修士論文審査数【副査:5】
    博士論文審査数【主査:0】
    博士論文審査数【副査:1】
    卒論指導数:3
    卒論審査数:3
    FD活動内容:授業アンケートを行い、その集計結果を分析し、授業改善を行った。

国際交流

外国人受け入れ実績

  • 活動年度:2014年
    研究者受入数:0
    留学生受入数:1

国際シンポジウム活動

  • 交流年月:2012年10月
    内容:7th International Conference on Hot-Wire Chemical Vapor Deposition (Osaka, Oct 2012)において、Local Steering and Advisory Committeeを務めて運営に貢献した。

その他国際交流活動

  • 内容:JICA研修「太陽光発電技術」プログラムで、研修講師(授業題目「半導体の光物性」と「太陽電池の諸特性」)、及び、実習指導(太陽電池の特性)を行った。

産学官連携可能情報

専門分野

  • 光物性工学

所属研究部門

  • 工学研究科 電子情報系専攻(電子・物理工学)

交流可能研究テーマ

  • 半導体量子構造の光物性と光機能性
    研究テーマの分野:応用物理学・工学基礎
  • 光機能性材料の評価
    研究テーマの分野:応用物理学・工学基礎

現在の研究課題

  • 課題名:ナノ構造半導体(超格子、量子井戸、量子ドット)の光物性と光機能性
    研究分野:固体物性I(光物性・半導体・誘電体)、応用物性・結晶工学
    キーワード:半導体超格子、量子井戸構造、光物性
  • 課題名:半導体マイクロキャビティの作製と励起子ポラリトンの光学応答
    研究分野:固体物性I(光物性・半導体・誘電体)、応用物性・結晶工学
    キーワード:半導体マイクロキャビティ、励起子ポラリトン、光学応答
  • 課題名:半導体薄膜とイオン性結晶薄膜の励起子光物性
    研究分野:固体物性I(光物性・半導体・誘電体)、応用物性・結晶工学
    キーワード:励起子、半導体、イオン結晶

電子メールアドレス

  • nakayama@a-phys.eng.osaka-cu.ac.jp

個人URL HP

交流研究テーマ情報

交流可能研究テーマ

  • 半導体量子構造の光物性と光機能性
    研究テーマの分野:応用物理学・工学基礎
    研究テーマの概要:半導体超格子、量子井戸構造における電子・正孔量子化状態、励起子、フォノンに関する分光学
    的基礎研究と、それに基づく光物性と光機能性の設計と評価。
    交流可能な時期・期間:随時
    交流の種別:受託研究、共同研究
    知識・技術の活用分野・応用方法等:光エレクトロニクス材料の開発と評価
    中核となる知識・技術・情報等:ホームページに記載している研究業績
    キーワード:半導体、超格子、量子井戸構造、光物性、光機能性
    共同研究の希望:産学連携等、民間を含む他機関との共同研究を希望する
    交流可能な研究テーマに関する詳細:(1) 紫外から近赤外波長領域(190nm~1.6μm)におけるの下記の光学スペクトルの精密測定:
     (a) 吸収、(b)発光、(c)反射、(d)光変調反射、(e)電場変調反射
    (2) 200nm~850nmの波長領域における時間分解発光スペクトル測定(サブナノ秒)
    (3) フォノン・ラマン散乱測定:励起光源Arイオンレーザー
    (4) 上記光学スペクトルの解析
    (5) 超格子・量子井戸構造における電子・正孔量子化状態の数値計算
  • 光機能性材料の評価
    研究テーマの分野:応用物理学・工学基礎
    研究テーマの概要:無機・有機半導体、絶縁体などの多様な物質の光機能性を光吸収、発光、
    光反射、ラマン散乱などの各種分光法を用いてスペクトル的な評価を
    行う。
    交流可能な時期・期間:随時
    交流の種別:受託研究、共同研究
    知識・技術の活用分野・応用方法等:光エレクトロニクス
    キーワード:光機能性材料、光スペクトル評価、分光学
    交流に関するコメント:状況に応じて適宜対応する
    共同研究の希望:産学連携等、民間を含む他機関との共同研究を希望する

Copyright (c) 2011 MEDIA FUSION Co.,Ltd. | 企画・運用 大阪市立大学 無断転用及び営業を目的とした二次利用を禁じます。